MATERIALS FOR FORMING A NUCLEATION-INHIBITING COATING AND DEVICES INCORPORATING SAMEAn opto-electronic device includes a substrate, a first electrode disposed over the substrate, a semiconducting layer disposed over the first electrode, a second electrode disposed over the semiconducting layer, the second electrode having a first portion and a second portion, a nucleation inhibition coating disposed over the first portion of the second electrode; and a conductive coating disposedover the second portion of the second electrode, wherein the nucleation inhibition coating is a compound of Formula (I).An optoelectronic device, comprising:a substrate;a first electrode disposed on the substrate;a semiconductor layer disposed on the first electrode;a second electrode disposed on the semiconductor layer, the second electrode having a first portion and a second portion;a nucleation suppressing coating disposed on the first portion of the second electrode; anda conductive coating disposed on the second portion of the second electrode;wherein:the nucleation inhibiting coating comprises a compound of formula (i)wherein x1to x10at least two of which are each independently selected from (i-a), (i-b), (i-c), (i-d), (i-e), (i-f) and (i-g), and the remainder of x1to x10each independently selected from the group consisting of: h. d (deuterium), f, cl, alkyl, cycloalkyl, silyl, fluoroalkyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkoxy, and fluoroalkoxy;wherein in (i-a), a1、a2、a3、a4and a5independently selected from the group consisting of: h. d (deuterium), f, cl, alkyl, cycloalkyl, silyl, fluoroalkyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkoxy, and fluoroalkoxy;wherein in (i-b), b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7and b8represents a connection to formula i, and the remainder b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7and b8independently selected from the group consisting of: h. d (deuterium), f, cl, alkyl, cycloalkyl, silyl, fluoroalkyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkoxy, and fluoroalkoxy;wherein in (i-c), c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9and c10represents a linkage to formula i; and the remainder c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9and c10independently selected from the group consisting of: h. d (deuterium), f, cl, alkyl, cycloalkyl, silyl, fluoroalkyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkoxy, and fluoroalkoxy;wherein in (i-d), d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、d9and d10represents a connection to formula i, and the remainder d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、d9and d10independently selected from the group consisting of: h. d (deuterium), f, cl, alkyl, cycloalkyl, silyl, fluoroalkyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkoxy, and fluoroalkoxy;wherein in (i-e), e1、e2、e3、e4、e5、e6、e7、e8、e9、e10、e11and e12represents a connection to formula i, and the remainder e1、e2、e3、e4、e5、e6、e7、e8、e9、e10、e11and e12independently selected from the group consisting of: h. d (deuterium), f, cl, alkyl, cycloalkyl, silyl, fluoroalkyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkoxy, and fluoroalkoxy;wherein in (i-f), f1、f2、f3、f4、f5、f6、f7、f8、f9and f10represents a connection to formula i, and the remainder f1、f2、f3、f4、f5、f6、f7、f8、f9and f10independently selected from the group consisting of: h. d (deuterium), f, cl, alkyl, cycloalkyl, silyl, fluoroalkyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkoxy, and fluoroalkoxy; andwherein in (i-g), g1、g2、g3、g4、g5、g6、g7、g8、g9、g10、g11and g12represents a connection to formula i, and the remainder g1、g2、g3、g4、g5、g6、g7、g8、g9、g10、g11and g12independently selected from the group consisting of: h. d (deuterium), f, cl, alkyl, cycloalkyl, silyl, fluoroalkyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkoxy, and fluoroalkoxy.
핵 형성 억제 코팅 형성용 물질 및 이를 포함하는 장치광전자 장치는 기판, 상기 기판 위에 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 배치된 반도체층, 상기 반도체층 위에 배치된 제2 전극으로서, 제1 부분 및 제2 부분을 갖는 제2 전극, 상기 제2 전극의 제1 부분 위에 배치된 핵 형성 억제 코팅; 및 상기 제2 전극의 제2 부분 위에 배치된 전도성 코팅;을 포함하며, 상기 핵 형성 억제 코팅은 화학식 (I)의 화합물이다[이미지] (화학식 I).광전자 장치로서,기판;상기 기판 위에 배치된 제1 전극;상기 제1 전극 위에 배치된 반도체층;상기 반도체층 위에 배치된 제2 전극으로서, 제1 부분 및 제2 부분을 갖는 제2 전극;상기 제2 전극의 제1 부분 위에 배치된 핵 형성 억제 코팅; 및상기 제2 전극의 제2 부분 위에 배치된 전도성 코팅;을 포함하며,여기서:상기 핵 형성 억제 코팅은 화학식 (I)의 화합물을 포함하고[이미지](화학식 I)상기 식에서, X1 내지 X10 중 적어도 2개는 (I-A), (I-B), (I-C), (I-D), (I-E), (I-F) 및 (I-G)로부터 각각 독립적으로 선택되고, X1 내지 X10 중 나머지는: H, D(중수소), F, Cl, 알킬, 시클로알킬, 실릴, 플루오로알킬, 아릴알킬, 아릴, 헤테로아릴, 알콕시 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 각각 독립적으로 선택되고;[이미지](I-A)(I-A)에서, A1, A2, A3, A4 및 A5는 H, D(중수소), F, Cl, 알킬, 시클로알킬, 실릴, 플루오로알킬, 아릴알킬, 아릴, 헤테로아릴, 알콕시 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 각각 독립적으로 선택되고;[이미지](I-B)(I-B)에서, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7 및 B8 중 적어도 하나는 화학식 I에 대한 부착을 나타내고, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7 및 B8 중 나머지는 H, D(중수소), F, Cl, 알킬, 시클로알킬, 실릴, 플루오로알킬, 아릴알킬, 아릴, 헤테로아릴, 알콕시 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고;[이미지](I-C)(I-C)에서, C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7, C8, C9 및 C10 중 적어도 하나는 화학식 I에 대한 부착을 나타내고, C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7, C8, C9 및 C10 중 나머지는: H, D(중수소), F, Cl, 알킬, 시클로알킬, 실릴, 플루오로알킬, 아릴알킬, 아릴, 헤테로아릴, 알콕시 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고;[이미지](I-D)(I-D)에서, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7, D8, D9 및 D10 중 적어도 하나는 화학식 I에 대한 부착을 나타내고, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7, D8, D9 및 D10 중 나머지는: H, D(중수소), F, Cl, 알킬, 시클로알킬, 실릴, 플루오로알킬, 아릴알킬, 아릴, 헤테로아릴, 알콕시 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고;[이미지](I-E)(I-E)에서, E1, E2, E3, E4, E5, E6, E7, E8, E9, E10, E11 및 E12 중 적어도 하나는 화학식 I에 대한 부착을 나타내고, E1, E2, E3, E4, E5, E6, E7, E8, E9, E10, E11 및 E12 중 나머지는: H, D(중수소), F, Cl, 알킬, 시클로알킬, 실릴, 플루오로알킬, 아릴알킬, 아릴, 헤테로아릴, 알콕시 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고;[이미지](I-F)(I-F)에서, F1, F2, F3, F4, F5, F6, F7, F8, F9 및 F10 중 적어도 하나는 화학식 I에 대한 부착을 나타내고, F1, F2, F3, F4, F5, F6, F7, F8, F9 및 F10 중 나머지는: H, D(중수소), F, Cl, 알킬, 시클로알킬, 실릴, 플루오로알킬, 아릴알킬, 아릴, 헤테로아릴, 알콕시 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고; 그리고[이미지](I-G)(I-G)에서, G1, G2, G3, G4, G5, G6, G 7, G 8, G9, G10, G11 및 G12 중 적어도 하나는 화학식 I에 대한 부착을 나타내고, G1, G2, G3, G4, G5, G6, G 7, G 8, G9, G10, G11 및 G12 중 나머지는: H, D(중수소), F, Cl, 알킬, 시클로알킬, 실릴, 플루오로알킬, 아릴알킬, 아릴, 헤테로아릴, 알콕시 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는, 광전자 장치.