Method for producing a pattern formation moldThe method for producing a pattern formation mold includes: a first step of applying to a substrate a radiation-sensitive negative-type resist composition containing an epoxy resin represented by formula (I): (wherein R1 represents a moiety derived from an organic compound having k active hydrogen atoms (k represents an integer of 1 to 100); each of n1, n2, through nk represents 0 or an integer of 1 to 100; the sum of n1, n2, through nk falls within a range of 1 to 100; and each of “A” s, which may be identical to or different from each other, represents an oxycyclohexane skeleton represented by formula (II): (wherein X represents any of groups represented by formulas (III) to (V): and at least two groups represented by formula (III) are contained in one molecule of the epoxy resin)), along with a radiation-sensitive cationic polymerization initiator, and a solvent for dissolving the epoxy resin therein; a second step of drying the substrate coated with the radiation-sensitive negative-type resist composition, to thereby form a resist film; a third step of selectively exposing the formed resist film to an active energy beam according to a desired pattern; a fourth step of heating the exposed resist film so as to enhance a contrast of a pattern to be formed; a fifth step of developing the heated resist film, to thereby remove the unexposed area of the resist film through dissolution, thereby forming a patterned layer; and a sixth step of applying to the patterned layer a material other than that of the patterned layer such that spaces present in the patterned layer are filled, at least to some height, with the material, to thereby form a second layer, and removing the second layer, to thereby yield a pattern formation mold.  A method for producing a pattern formation mold, characterized in that the method comprises: a first step of applying to a substrate a radiation-sensitive negative-type resist composition containing an epoxy resin represented by formula (1):  (wherein R1 represents a moiety derived from an organic compound having k active hydrogen atoms (k represents an integer of 1 to 100); each of n1, n2, through nk represents 0 or an integer of 1 to 100; the sum of n1, n2, through nk falls within a range of 1 to 100; and each of “A”s, which may be identical to or different from each other, represents an oxycyclohexane skeleton represented by formula (2):  (wherein X represents any of groups represented by formulas (3) to (5):  (wherein R2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an acyl group), and at least two groups represented by formula (3) are contained in one molecule of the epoxy resin)), along with a radiation-sensitive cationic polymerization initiator, and a solvent for dissolving the epoxy resin therein; a second step of drying the substrate coated with the radiation-sensitive negative-type resist composition, to thereby form a resist film; a third step of selectively exposing the formed resist film to an active energy beam according to a desired pattern; a fourth step of heating the exposed resist film so as to enhance a contrast of a pattern to be formed; a fifth step of developing the heated resist film, to thereby remove the unexposed area of the resist film through dissolution, thereby forming a patterned layer; and a sixth step of applying to the patterned layer a material other than that of the patterned layer such that spaces present in the patterned layer are filled, at least to some height, with the material, to thereby form a second layer, and removing the second layer, to thereby yield a pattern formation mold. 
패턴 형성 몰드의 제조 방법본 발명의 패턴 형성 몰드의 제조 방법은 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지를 함유하는 방사선 민감성 네가티브형 레지스트 조성물을 방사선 민감성 양이온성 중합 개시제 및 상기 에폭시 수지를 용해시키기 위한 용매와 함께 기판에 도포하는 제1 단계; 상기 방사선 민감성 네가티브형 레지스트 조성물로 코팅된 기판을 건조시켜서 레지스트 필름을 형성하는 제2 단계; 상기 형성된 레지스트 필름을 소정 패턴에 따라 활성 에너지 빔에 선택적으로 노출시키는 제3 단계; 형성하고자 하는 패턴의 콘트라스트를 증가시키도록 상기 노출된 레지스트 필름을 가열하는 제4 단계; 상기 가열된 레지스트 필름을 현상하여 용해를 통하여 상기 레지스트 필름의 미노출 부분을 제거하여 패턴 형성된 층을 형성하는 제5 단계; 및 상기 패턴 형성된 층의 재료 이외의 재료를, 상기 패턴 형성된 층에 존재하는 공간을 상기 재료로 적어도 일부 높이로 충전하도록 상기 패턴 형성된 층에 도포하여 제2 층을 형성하고, 상기 제2 층을 제거하여 패턴 형성 몰드를 얻는 제6 단계를 포함한다: 화학식 1  상기 식에서, R1은 k 활성 수소 원자를 가진 유기 화합물로부터 유도되는 부분을 나타내고, k는 1 내지 100의 정수를 나타내며; 각각의 n1, n2 내지 nk는 0 또는 1 내지 100의 정수이고; n1, n2 내지 nk의 합은 1 내지 100의 범위 내에 있으며; 각각의 "A"는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 하기 화학식 2로 표시되는 옥시시클로헥산 골격을 나타내며: 화학식 2  상기 식에서, X는 하기 화학식 3 내지 5로 표시되는 임의의 기를 나타내고: 화학식 3  화학식 4  화학식 5  상기 식에서, R2는 수소 원자, 알킬기 또는 아실기를 나타내며, 화학식 3으로 표시되는 2 이상의 기는 에폭시 수지 1 개 분자에 함유된다.하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지를 함유하는 방사선 민감성 네가티브형 레지스트 조성물을 방사선 민감성 양이온성 중합 개시제 및 상기 에폭시 수지를 용해시키기 위한 용매와 함께 기판에 도포하는 제1 단계; 상기 방사선 민감성 네가티브형 레지스트 조성물로 코팅된 기판을 건조시켜서 레지스트 필름을 형성하는 제2 단계; 상기 형성된 레지스트 필름을 소정 패턴에 따라 활성 에너지 빔에 선택적으로 노출시키는 제3 단계; 형성하고자 하는 패턴의 콘트라스트를 증가시키도록 상기 노출된 레지스트 필름을 가열하는 제4 단계; 상기 가열된 레지스트 필름을 현상하여 용해를 통하여 상기 레지스트 필름의 미노출 부분을 제거하여 패턴 형성된 층을 형성하는 제5 단계; 및 상기 패턴 형성된 층의 재료 이외의 재료를, 상기 패턴 형성된 층에 존재하는 공간을 상기 재료로 적어도 일부 높이로 충전하도록 상기 패턴 형성된 층에 도포하여 제2 층을 형성하고, 상기 제2 층을 제거하여 패턴 형성 몰드를 얻는 제6 단계를 포함하는 패턴 형성 몰드의 제조 방법: 화학식 1  상기 식에서, R1은 k 활성 수소 원자를 가진 유기 화합물로부터 유도되는 부분을 나타내고, k는 1 내지 100의 정수를 나타내며; 각각의 n1, n2 내지 nk는 0 또는 1 내지 100의 정수이고; n1, n2 내지 nk의 합은 1 내지 100의 범위 내에 있으며; 각각의 "A"는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 하기 화학식 2로 표시되는 옥시시클로헥산 골격을 나타내며: 화학식 2  상기 식에서, X는 하기 화학식 3 내지 5로 표시되는 임의의 기를 나타내고: 화학식 3  화학식 4  화학식 5  상기 식에서, R2는 수소 원자, 알킬기 또는 아실기를 나타내며, 화학식 3으로 표시되는 2 이상의 기는 에폭시 수지 1 개 분자에 함유되는 것을 특징으로 하는 몰드 제조 방법.