Method of making polishing layer for chemical mechanical polishing padA method of forming a chemical mechanical polishing pad polishing layer is provided, including: providing a mold having a base with a negative of a groove pattern; providing a poly side (P) liquid component; providing an iso side (I) liquid component; providing a pressurized gas; providing an axial mixing device; introducing the poly side (P) liquid component, the iso side (I) liquid component andthe pressurized gas to the axial mixing device to form a combination; discharging the combination from the axial mixing device at a velocity of 5 to 1,000 m/sec toward the base; allowing the combination to solidify into a cake; deriving the chemical mechanical polishing pad polishing layer from the cake; wherein the chemical mechanical polishing pad polishing layer has a polishing surface with the groove pattern formed into the polishing surface; and wherein the polishing surface is adapted for polishing a substrate.A kind of method for forming chemical mechanical polishing pads polishing layer, it is included：the mould with substrate is provided, wherein the substrate has the internal or female screw of groove pattern formed therein；poly- side (p) liquid component is provided, poly- side (p) liquid component includes (p) side polyalcohol, (p) side polyamine and (p) side at least one of hydramine；heteropleural (i) liquid component is provided, heteropleural (i) liquid component includes at least one polyfunctional isocyanate；gas-pressurized is provided；axial backmixing device with inner cylindrical cavity is provided；wherein described inner cylindrical cavity has closed end, openend, symmetry axis, leads to the inner cylindrical cavity extremely few (p) side liquid inlet opening, lead at least one (i) side liquid inlet opening of the inner cylindrical cavity, and lead to at least one tangent line gas-pressurized charging aperture of the inner cylindrical cavity；wherein described closed end and the openend are perpendicular to the symmetry axis；wherein described at least one (p) side liquid inlet opening and at least one (i) side liquid inlet opening are close to the closure periphery of the end along the inner cylindrical cavity arranges；wherein described at least one tangent line gas-pressurized charging aperture is since the closed end at least one (p) side liquid the downstream of charging aperture and at least one (i) side liquid inlet opening, arranged along the periphery of the inner cylindrical cavity row；wherein described poly- side (p) liquid component is under 6,895 to 27,600kpa (p) side the blowing pressure via described at least one individual (p) side liquid inlet opening is incorporated into the inner cylindrical cavity；wherein described heteropleural (i) liquid component is under 6,895 to 27,600kpa (i) side the blowing pressure via described at least one individual (i) side liquid inlet opening is incorporated into the inner cylindrical cavity；wherein described poly- side (p) liquid component and the heteropleural (i) liquid component flow to the inner cylindrical cavity through group it is 1 to arrive 500g/s to close mass flowrate,wherein described poly- side (p) liquid component, the heteropleural (i) liquid component and the gas-pressurized are in the interior cylindrical mutually mixed in chamber, to form combination；wherein described gas-pressurized enters under 150 to 1,500kpa supply pressure via at least one tangent line gas-pressurized material mouth is incorporated into the inner cylindrical cavity；wherein calculated under 20 deg c and 1atm pressure based on ideal gas conditions, the gas-pressurized enters the interior cylindrical the entrance velocity of chamber is 50 to arrive 600m/s；with 5 to 1,000m/s speed, from described in the openend of the inner cylindrical cavity towards substrate discharge combination；the combination is set to be frozen into pie；the pie is separated from the mould；withthe chemical mechanical polishing pads polishing layer is obtained from the pie, wherein the chemical mechanical polishing pads polishing layer has polished surface, wherein the groove pattern is formed in the polished surface, and wherein described polished surface is suitable for polishing substrate.
화학적 기계적 연마 패드용 연마층의 제조 방법하기를 포함하는 화학적 기계적 연마 패드 연마층의 형성 방법이 제공된다: 그루브 패턴의 음각이 있는 기저를 갖는 주형을 제공하는 단계; 폴리 사이드 (P) 액체 성분을 제공하는 단계; 이소 사이드 (I) 액체 성분을 제공하는 단계; 가압 가스를 제공하는 단계; 축방향 혼합 장치를 제공하는 단계; 폴리 사이드 (P) 액체 성분, 이소 사이드 (I) 액체 성분 및 가압 가스를 축방향 혼합 장치에 주입하여 조합물을 형성하는 단계; 조합물을 축방향 혼합 장치로부터 기저를 향해 5 내지 1,000 m/sec의 속도로 배출하는 단계; 조합물을 케이크로 고화시키는 단계; 케이크로부터 화학적 기계적 연마 패드 연마층을 유도하는 단계로서, 상기 화학적 기계적 연마 패드 연마층은 연마 표면 내에 형성된 그루브 패턴이 있는 연마 표면을 갖고; 그리고 상기 연마 표면은 기판을 연마하기 위해 적용되는 것인 단계.화학적 기계적 연마 패드 연마층의 형성 방법으로서, 기저(base)를 갖는 주형을 제공하는 단계로서, 상기 기저는 이에 형성된 그루브 패턴의 음각을 가지는 단계; (P) 사이드 폴리올, (P) 사이드 폴리아민 및 (P) 사이드 알코올 아민 중 적어도 하나를 포함하는, 폴리 사이드 (P) 액체 성분을 제공하는 단계; 적어도 하나의 다작용성 이소시아네이트를 포함하는, 이소 사이드 (I) 액체 성분을 제공하는 단계; 가압 가스를 제공하는 단계;내부 원통형 챔버를 갖는 축방향 혼합 장치를 제공하는 단계로서, 여기서 상기 내부 원통형 챔버는 폐쇄 단부, 개방 단부, 대칭축, 상기 내부 원통형 챔버 내로 개방되어 있는 적어도 하나의 (P) 사이드 액체 공급 포트, 상기 내부 원통형 챔버 내로 개방되어 있는 적어도 하나의 (I) 사이드 액체 공급 포트, 및 상기 내부 원통형 챔버 내로 개방되어 있는 적어도 하나의 접선방향의 가압 가스 공급 포트를 가지고; 상기 폐쇄 단부 및 상기 개방 단부는 상기 대칭축에 수직하고;상기 적어도 하나의 (P) 사이드 액체 공급 포트 및 상기 적어도 하나의 (I) 사이드 액체 공급 포트는 상기 폐쇄 단부 근처의 상기 내부 원통형 챔버의 둘레를 따라 배치되고; 상기 적어도 하나의 접선방향의 가압 가스 공급 포트는 상기 폐쇄 단부로부터의 상기 적어도 하나의 (P) 사이드 액체 공급 포트 및 상기 적어도 하나의 (I) 사이드 액체 공급 포트의 상기 내부 원통형 챔버 다운스트림의 둘레를 따라 배치되고; 상기 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 6,895 내지 27,600 kPa의 (P) 사이드 충전 압력으로 상기 적어도 하나의 (P) 사이드 액체 공급 포트를 통해 상기 내부 원통형 챔버로 주입되고; 상기 이소 사이드 (I) 액체 성분은 6,895 내지 27,600 kPa의 (I) 사이드 충전 압력으로 상기 적어도 하나의 (I) 사이드 액체 공급 포트를 통해 상기 내부 원통형 챔버로 주입되고; 상기 내부 원통형 챔버로의 상기 폴리 사이드 (P) 액체 성분 및 상기 이소 사이드 (I) 액체 성분의 조합된 질량 유량은 1 내지 500 g/s이고,상기 폴리 사이드 (P) 액체 성분, 상기 이소 사이드 (I) 액체 성분 및 상기 가압 가스는 상기 내부 원통형 챔버 내에서 상호혼합되어 조합물을 형성하고;상기 가압 가스는 150 내지 1,500 kPa의 공급 압력으로 상기 적어도 하나의 접선방향의 가압 가스 공급 포트를 통해 상기 내부 원통형 챔버로 주입되고; 상기 가압 가스의 상기 내부 원통형 챔버로의 유입 속도는 20 ℃ 및 1 atm 압력에서 이상 가스 조건을 기준으로 계산된 50 내지 600 m/s인, 축방향 혼합 장치를 제공하는 단계;상기 조합물을 상기 내부 원통형 챔버의 개방 단부로부터 상기 기저를 향하여 5 내지 1,000 m/sec의 속도로 배출하는 단계; 상기 조합물을 케이크로 고화시키는 단계; 상기 케이크를 상기 주형으로부터 분리하는 단계; 그리고 상기 케이크로부터 화학적 기계적 연마 패드 연마층을 유도하는 단계로서, 상기 화학적 기계적 연마 패드 연마층은 연마 표면 내에 형성된 그루브 패턴을 갖는 연마 표면을 가지고, 상기 연마 표면은 기판을 연마하기 위해 적용되는, 단계를 포함하는, 방법.