ELASTIC WAVE DEVICE, HIGH-FREQUENCY FRONT-END CIRCUIT AND COMMUNICATION DEVICEThe present invention provides an elastic wave device capable of effectively suppressing an unnecessary wave even if a plurality of IDT electrodes having different electrode finger pitches are provided on the same piezoelectric substrate. An elastic wave device 1 is provided with: a piezoelectric substrate 2 comprising LiNbO3; and a first dielectric film 8 (dielectric film) provided on the piezoelectric substrate 2 so as to cover first and second IDT electrodes 4A, 4B provided on the piezoelectric substrate 2. The first and second IDT electrodes 4A, 4B each have a main electrode layer. When wavelengths defined by the electrode finger pitches of the first and second IDT electrodes 4A, 4B are denoted by [lambda]1, [lambda]2, the mean value thereof is denoted by [lambda]0, [lambda]1/[lambda]0=1+X and [lambda]2/[lambda]0=1-X, 0.05<=X<=0.65 holds. The wavelength [lambda]1 is the longest, and the wavelength [lambda]2 is the shortest. In Euler angles ([phi], [theta], [psi]) of the piezoelectric substrate 2, [phi] is 0 degree +- 5 degrees, [psi] is 0 degree +- 10 degrees, and [theta] satisfies expression 1. In expression 1, B1<T*r<=0.10[lambda]0 and B2<T*r<=0.10[lambda]0.A kind of acoustic wave device, has:piezoelectric substrate, by linbo3it constitutes；multiple idt electrodes are arranged on the piezoelectric substrate, and include the first idt electrode and the second idt electrode；anddielectric film is arranged on the piezoelectric substrate, so that the multiple idt electrode is covered,first idt electrode and second idt electrode have main electrode layer,wavelength as defined in electrode finger spacing as first idt electrode is set as λ1, will be by the electrode of second idt electrode refer to that wavelength as defined in spacing is set as λ2, by the wavelength x1and the wavelength x2average value be set as λ0=(λ1+λ2)/2, if λ1/λ0=1+x and λ2/λ0=1-x, at this point, 0.05≤x≤0.65,the wavelength x of first idt electrode in the multiple idt electrode1longest, and second idt electrode is described wavelength x2it is most short,the average value λ will be used0the master of the main electrode layer and second idt electrode to first idt electrode the film thickness of at least one of electrode layer has carried out normalized film thickness and has been set as t, by the close of the material of the main electrode layer and pt degree ratio is set as r, at this point, the eulerian angles of the piezoelectric substrateinit is 0 ° ± 5 °, ψ is 0 ° ± 10 °, and θ meets following formula 1,-a1/(t×r-b1)+c1≤θ≤-a2/(t×r-b2)+c2... formula 1b1the λ of < t × r≤0.100, and b2the λ of < t × r≤0.100,a in above-mentioned formula 11、b1、c1、a2、b2and c2by having used 2~formula of following formula 8 of x to indicate,a1=0.056 × 10-4.93×x+ 0.0016 ... formula 2b1=-0.088 × x2+ 0.066 × x+0.0386 (0.05≤x≤0.375) ... formula 3b1=0.051 (0.375≤x≤0.65) ... formula 4c1=0.714 × 10-5.26×x+ 29.37 ... formulas 5a2=0.0987 × x2- 0.0918 × x+0.0644 ... formula 6b2=-0.0651 × x2+ 0.1114 × x+0.0351 ... formula 7c2=0.7830 × x2- 1.7424 × x+32.70 ... formula 8.
탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치전극지 피치가 다른 복수개의 IDT 전극이 동일한 압전 기판 상에 마련되어 있는 경우에도 불요파를 효과적으로 억제할 수 있는 탄성파 장치를 제공한다. 탄성파 장치(1)는 LiNbO3으로 이루어지는 압전 기판(2)과, 압전 기판(2) 상에 마련된 제1, 제2 IDT 전극(4A, 4B)을 덮도록 압전 기판(2) 상에 마련된 제1 유전체막(8)(유전체막)을 포함한다. 제1, 제2 IDT 전극(4A, 4B)은 주전극층을 가진다. 제1, 제2 IDT 전극(4A, 4B)의 전극지 피치에 의해 규정되는 파장을 λ1, λ2, 그 평균값을 λ0으로 하고, λ1/λ0=1+X이며 λ2/λ0=1-X로 했을 때에, 0.05≤X≤0.65이다. 파장 λ1이 가장 길고, 파장 λ2가 가장 짧다. 압전 기판(2)의 오일러각(φ, θ, ψ)에서의 φ가 0°±5°이고, ψ가 0°±10°이며, θ가 식 1을 충족시킨다. 식 1에서 B1＜T×r≤0.10λ0이고, B2＜T×r≤0.10λ0이다.LiNbO3으로 이루어지는 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 마련되어 있으면서 제1 IDT 전극 및 제2 IDT 전극을 포함하는 복수개의 IDT 전극과, 상기 복수개의 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 상에 마련되어 있는 유전체막을 포함하고,상기 제1 IDT 전극 및 상기 제2 IDT 전극이 주(主)전극층을 가지며, 상기 제1 IDT 전극의 전극지(電極指) 피치에 의해 규정되는 파장을 λ1, 상기 제2 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 파장을 λ2, 상기 파장 λ1 및 상기 파장 λ2의 평균값을 λ0=(λ1+λ2)/2로 하고, λ1/λ0=1+X이며 λ2/λ0=1-X로 했을 때에, 0.05≤X≤0.65이고, 상기 복수개의 IDT 전극 중 상기 제1 IDT 전극의 상기 파장 λ1이 가장 길고, 상기 제2 IDT 전극의 상기 파장 λ2가 가장 짧으며, 상기 제1 IDT 전극의 상기 주전극층 및 상기 제2 IDT 전극의 상기 주전극층 중 적어도 한쪽의 막 두께를 상기 평균값 λ0으로 규격화한 막 두께를 T, 상기 주전극층의 재료와 Pt의 밀도비를 r로 했을 때에, 상기 압전 기판의 오일러각(φ, θ, ψ)에서의 φ가 0°±5°이고, ψ가 0°±10°이며, θ가 하기 식 1을 충족시키고, -A1/(T×r-B1)+C1≤θ≤-A2/(T×r-B2)+C2 … 식 1 B1＜T×r≤0.10λ0이며 B2＜T×r≤0.10λ0이고,상기 식 1에서의 A1, B1, C1, A2, B2 및 C2가 X를 이용한 하기 식 2~식 8에 의해 나타내지는, 탄성파 장치. A1=0.056×10-4.93×X+0.0016 … 식 2 B1=-0.088×X2+0.066×X+0.0386(0.05≤X≤0.375) … 식 3 B1=0.051(0.375≤X≤0.65) … 식 4 C1=0.714×10-5.26×X+29.37 … 식 5 A2=0.0987×X2-0.0918×X+0.0644 … 식 6 B2=-0.0651×X2+0.1114×X+0.0351 … 식 7 C2=0.7830×X2-1.7424×X+32.70 … 식 8