POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERNA positive resist composition including a resin component (A) and an acid-generator component (B), the resin component (A) including a structural unit (a1) derived from hydroxystyrene, and a structural unit (a2) having an acetal-type acid dissociable dissolution inhibiting group, and the acid-generator component (B) including an acid generator (B1-i) having at least one anion moiety selected from the group consisting of anion moieties represented by general formula (b-3), (b-4), and (b-5), an acid generator (B1-ii) having an anion moiety represented by general formula (b-6) shown below, or an acid generator (B1-iii) having a cation moiety represented by general formula (b'-3) shown below:  wherein X" represents an alkylene group of 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom has been substituted with a fluorine atom; Y" and Z", U", V", and W" each independently represents an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms in which at least one hydrogen atom has been substituted with a fluorine atom,  wherein R10" represents a hydrocarbon group which may or may not have a substituent,  wherein R7" to R9" each independently represents a phenyl group or naphthyl group that may or may not have a substituent; with the proviso that the case where all of R7" to R9" represent phenyl groups which do not have a substituent is excluded.A positive resist composition comprising a resin component (A) which exhibits increased alkali solubility under action of acid and an acid-generator component (B) which generates acid upon exposure, said resin component (A) comprising a structural unit (a1) derived from hydroxystyrene, and a structural unit (a2) represented by general formula (a2-1) or (a2-2) shown below:  wherein: in general formula (a2-1), R represents a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group; R1 and R2 each independently represents a hydrogen atom or a lower alkyl group; Y1 represents a lower alkyl group or a monovalent aliphatic cyclic group; and n21 represents an integer of 0 to 3, and in general formula (a2-2), R is as defined above; R3 and R4 each independently represents a hydrogen atom or a lower alkyl group; R5 represents an alkylene group or a divalent aliphatic cyclic group; Y2 represents a lower alkyl group or a monovalent aliphatic cyclic group; and n22 represents an integer of 0 to 3, and said acid-generator component (B) comprising an acid generator (B1-i) having at least one anion moiety selected from the group consisting of anion moieties represented by general formulas (b-3), (b-4), and (b-5) shown below:  wherein: in formula (b-3), X' represents an alkylene group of 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom has been substituted with a fluorine atom, in formula (b-4), Y' and Z' each independently represents an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms in which at least one hydrogen atom has been substituted with a fluorine atom, and in formula (b-5), U', V', and W' each independently represents an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms in which at least one hydrogen atom has been substituted with a fluorine atom, an acid generator (B1-ii) having an anion moiety represented by general formula (b-6) shown below:  wherein: in formula (b-6), R10' represents a hydrocarbon group which may or may not have a substituent, or an acid generator (B1-iii) having a cation moiety represented by general formula (b'-3) shown below:  wherein: in formula (b'-3), R7' to R9' each independently represents a phenyl group or naphthyl group that may or may not have a substituent; with the proviso that the case where all of R7' to R9' represent phenyl groups which do not have a substituent is excluded.
포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법수지 성분 (A) 와 산발생제 성분 (B) 를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물로서, 상기 (A) 성분은, 히드록시스티렌에서 유도되는 구성 단위 (a1) 과, 아세탈형 산해리성 용해 억제기를 갖는 구성 단위 (a2) 를 함유하고, 또한 상기 (B) 성분은, 일반식 (b-3), (b-4) 및 (b-5) 로 나타내는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 아니온부를 갖는 산발생제 (B1-ⅰ), 하기 일반식 (b-6) 으로 나타내는 아니온부를 갖는 산발생제 (B1-ⅱ), 또는 하기 일반식 (b'-3) 으로 나타내는 카티온부를 갖는 산발생제 (B1-ⅲ) 을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물. [화학식 1]  [식 중, X'' 는 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 2∼6 의 알킬렌기를 나타낸다. Y'', Z'', U'', V'', W'' 는 각각 독립적으로 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 1∼10 의 알킬기를 나타낸다] [화학식 2]  [식 (b-6) 중, R10'' 는 치환기를 갖고 있어도 되고 갖고 있지 않아도 되는 탄화수소기이다] [화학식 3]  [식 (b'-3) 중, R7''∼R9'' 는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되고 갖고 있지 않아도 되는 페닐기 또는 나프틸기를 나타낸다. 단, R7''∼R9'' 가 모두 치환기를 갖고 있지 않은 페닐기인 경우를 제외한다] 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 증대되는 수지 성분 (A) 와, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) 를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물로서, 상기 수지 성분 (A) 는, 히드록시스티렌에서 유도되는 구성 단위 (a1) 과, 하기 일반식 (a2-1) 또는 (a2-2) 로 나타내는 구성 단위 (a2) [화학식 1]  [식 (a2-1) 중, R 은 수소 원자, 할로겐 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고 ; R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 저급 알킬기이고 ; Y1 은 저급 알킬기 또는 1 가 (價) 의 지방족 고리형기이고 ; n21 은 0∼3 의 정수이다. 식 (a2-2) 중, R 은 상기와 동일하고 ; R3 및 R4 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 저급 알킬기이고 ; R5 는 알킬렌기 또는 2 가의 지방족 고리형기이고 ; Y2 는 저급 알킬기 또는 1 가의 지방족 고리형기이고 ; n22 는 0∼3 의 정수이다] 를 함유하고, 또한 상기 산발생제 성분 (B) 는 하기 일반식 (b-3), (b-4) 및 (b-5) 로 나타내는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 아니온부를 갖는 산발생제 (B1-ⅰ) [화학식 2]  [식 (b-3) 중, X'' 는 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 2∼6 의 알킬렌기를 나타낸다. 식 (b-4) 중, Y'', Z'' 는 각각 독립적으로 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 1∼10 의 알킬기를 나타낸다. 식 (b-5) 중, U'', V'', W'' 는 각각 독립적으로 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 1∼10 의 알킬기를 나타낸다] 하기 일반식 (b-6) 으로 나타내는 아니온부를 갖는 산발생제 (B1-ⅱ) [화학식 3]  [식 (b-6) 중, R10'' 는 치환기를 갖고 있어도 되고 갖고 있지 않아도 되는 탄화수소기이다] 또는 하기 일반식 (b'-3) 으로 나타내는 카티온부를 갖는 산발생제 (B1-ⅲ) [화학식 4]  [식 (b'-3) 중, R7''∼R9'' 는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되고 갖고 있지 않아도 되는 페닐기 또는 나프틸기를 나타낸다. 단, R7''∼R9'' 가 모두 치환기를 갖고 있지 않은 페닐기인 경우를 제외한다] 를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.