Semiconductor composition comprising an inorganic semiconducting material and an organic binderThe present invention relates to a semiconductor composition comprising an inorganic semiconducting material and an organic binder. The present invention further relates to an electronic device comprising a semiconducting layer consisting of such semiconductor composition.Semiconductor composition, it includes inorganic semiconductor material and organic bond, and the organic bond has formula (i)whereina at each occurrence independently of other any ground be selected from 1,2,3,4,5,6 and 7 integer,a0and a1it is c-r independently of one another at each occurrence5or n, condition is a0and a1at least one of be n,b1, b2, b3, b4, c1, c2, c3 and c4 are each 0 or 1 independently of one another at each occurrence,sp1, sp2, sp3and sp4formula (iii-a) to (iii-h) is independently from each other at each occurrencear1, ar2, ar3and ar4formula (ii) is independently from each other at each occurrence,wherein * is represented to each group sp1, sp2, sp3or sp4if each key or they be not present, then it represents that to formula (ii) each key of center cell, to each group r1, r2, r3or r4each key and to substituent r7and r8each key；r1, r2, r3, r4if with the r existed5and r6it is group r independently of one another at each occurrenceaor group rb, condition is r1, r2, r3, r4if with the r existed5and r6at least one of be group ra,raat each occurrence independently selected from(i) h, f, br, cl ,-cn ,-ch2br ,-ch2or0,-nc ,-nco ,-ncs ,-ocn ,-scn ,-c (o) nr0r00,-c (o) x0,-c (o) r0,-c (o) r0-or00,-nr0r00,-pr0r00,-o-p (or0)(or00) ,-o-ph (o)-or0,-sh ,-sr0,-s (o)r0,-so3h ,-so2r0,-so3r0,-no2,-sf5,-c ≡ c-r0,-cr0=cr00r000,(ii) there is the fluorinated alkyl of 1 to 40 carbon atom,(iii) there is the alkyl or fluorinated alkyl of 1 to 40 carbon atom, the adjacent carbon atom of two of which is by-cr0=cr00- or-c ≡ c- are substituted,(iv) there is the alkyl or fluorinated alkyl of 1 to 40 carbon atom, wherein one or more, preferably non-conterminous carbon atom quilt hetero atom or heteroatom group are substituted,(v) there is the aryl of 6 to 30 carboatomic ring atoms,(vi) there is the heteroaryl of 5 to 30 annular atoms,wherein described aryl and heteroaryl can be unsubstituted or by one or more group rssubstitution, and wherein described alkyl and fluorine r can be selected from by one or more by changing alkyls, the substituent group of aryl and heteroaryl as defined herein,rbat each occurrence independently selected from(i) h ,-sir0r00r000,(ii) there is the alkyl of 1 to 40 carbon atom,(iii) there is the alkoxy of 1 to 39 carbon atom,(iv)-(ch2)d-r9, wherein d is integer 1 to 5, and r9it is selected from(a)-sir0r00r000,-c ≡ c-sir0r00r000,(b) there is the alkyl of 1 to 19 carbon atom,(c) there is the alkyl of 1 to 19 carbon atom, the adjacent carbon atom of two of which is by-cr0=cr00- or-c ≡ c- replacements,(d) there is the alkyl of 1 to 19 carbon atom, wherein one or more, preferably non-conterminous carbon atom is defined herein hetero atom or heteroatom group substitute,(e) there is the aryl of 6 to 30 carboatomic ring atoms, and(f) there is the heteroaryl of 5 to 30 annular atoms,wherein described aryl and heteroaryl can be unsubstituted or by one or more group rssubstitution, and wherein described alkyl and fluorine r can be selected from by one or more by changing alkyls, the substituent group of aryl and heteroaryl,r0, r00and r000h, f, c are independently from each other at each occurrence1-40organic group or organic miscellaneous base, and the c replaced1-40 organic group or organic miscellaneous base,x0at each occurrence independently selected from f, cl, br and i,rsat each occurrence independently selected from the alkyl with 1 to 30 carbon atom, the alkyl halide with 1 to 30 carbon atom base, the aryl with 6 to 30 carboatomic ring atoms, by least one independently selected from f, cl, br, i substituent group have 6 to the aryl of 30 carboatomic ring atoms, the alkyl with 1 to 30 carbon atom and the haloalkyl with 1 to 30 carbon atom, with 1 to the heteroaryl of 30 annular atoms, by least one independently selected from f, cl, br, i substituent group has 1 to 30 ring original the heteroaryl of son, the alkyl with 1 to 30 carbon atom and the haloalkyl with 1 to 30 carbon atom.
무기 반도전성 재료 및 유기 결합제를 포함하는 반도체 조성물본 발명은 무기 반도전성 재료 및 유기 결합제를 포함하는 반도체 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이러한 반도체 조성물로 이루어지는 반도전성 층을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.무기 반도전성 재료 및 유기 결합제를 포함하는 반도전성 조성물로서, 상기 유기 결합제가 화학식 (I) 의 것인 반도체 조성물:[이미지][식 중,a 는 각 경우 서로 독립적으로, 1, 2, 3, 4, 5, 6 및 7 로 이루어진 군에서 선택되는 정수이고,A0 및 A1 은 각 경우 서로 독립적으로, C-R5 또는 N 이고, 단, A0 및 A1 중 하나 이상은 N 이고,b1, b2, b3, b4, c1, c2, c3 및 c4 는 각각, 각 경우 서로 독립적으로, 0 또는 1 이고,Sp1, Sp2, Sp3 및 Sp4 는 각 경우 서로 독립적으로, 화학식 (III-a) 내지 (III-h)[이미지][이미지]로 이루어진 군에서 선택되고,Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4 는 각 경우 서로 독립적으로, 화학식 (II)[이미지](식 중, * 는 각각의 기 Sp1, Sp2, Sp3 또는 Sp4 또는 - 이것이 존재하지 않는 경우 - 화학식 (II) 의 중심 단위, 각각의 기 R1, R2, R3 또는 R4 및 치환기 R7 및 R8 에 대한 각각의 결합을 나타낸다)에서 선택되고,R1, R2, R3, R4 및 - 존재하는 경우 - R5 및 R6 은 각 경우 서로 독립적으로, 기 RA 또는 기 RB 이고, 단, R1, R2, R3, R4 및 - 존재하는 경우 - R5 및 R6 중 하나 이상은 기 RA 이고,RA 는 각 경우 독립적으로,(i) H, F, Br, Cl, -CN, -CH2Br, -CH2OR0, -NC, -NCO, -NCS, -OCN, -SCN, -C(O)NR0R00, -C(O)X0, -C(O)R0, -C(O)R0-OR00, -NR0R00, -PR0R00, -O-P(OR0)(OR00), -O-PH(O)-OR0, -SH, -SR0, -S(O)R0, -SO3H, -SO2R0, -SO3R0, -NO2, -SF5, -C≡C-R0, -CR0=CR00R000,(ii) 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 불소화 알킬,(iii) 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 불소화 알킬 (2 개의 인접한 탄소 원자는 -CR0=CR00- 또는 -C≡C- 로 대체된다),(iv) 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 불소화 알킬 (하나 이상의, 바람직하게는 비-인접한, 탄소 원자는 헤테로원자 또는 헤테로원자 기로 대체된다),(v) 6 내지 30 개의 탄소 고리 원자를 갖는 아릴,(vi) 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴(상기 아릴 및 헤테로아릴은 비치환될 수 있거나 또는 하나 이상의 기 RS 로 치환될 수 있고, 상기 알킬 및 불소화 알킬은 RS, 본원에서 정의한 바와 같은 아릴 및 헤테로아릴로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 기로 치환될 수 있다)로 이루어진 군에서 선택되고,RB 는 각 경우 독립적으로,(i) H, -SiR0R00R000,(ii) 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알킬,(iii) 1 내지 39 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시,(iv) -(CH2)d-R9 (식 중, d 는 1 내지 5 의 정수이고, R9 는(a) -SiR0R00R000, -C≡C-SiR0R00R000,(b) 1 내지 19 개의 탄소 원자를 갖는 알킬,(c) 1 내지 19 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 (2 개의 인접한 탄소 원자는 -CR0=CR00- 또는 -C≡C- 로 대체된다),(d) 1 내지 19 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 (하나 이상의, 바람직하게는 비-인접한, 탄소 원자는 본원에서 정의한 바와 같은 헤테로원자 또는 헤테로원자 기로 대체된다),(e) 6 내지 30 개의 탄소 고리 원자를 갖는 아릴, 및(f) 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴(상기 아릴 및 헤테로아릴은 비치환될 수 있거나 또는 하나 이상의 기 RS 로 치환될 수 있고, 상기 알킬 및 불소화 알킬은 RS, 아릴 및 헤테로아릴로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 기로 치환될 수 있다)로 이루어진 군에서 선택된다)로 이루어진 군에서 선택되고,R0, R00 및 R000 은 각 경우 서로 독립적으로, H, F, C1-40 오르가닐 또는 오르가노헤테릴, 및 치환 C1-40 오르가닐 또는 오르가노헤테릴로 이루어진 군에서 선택되고,X0 은 각 경우 독립적으로, F, Cl, Br 및 I 로 이루어진 군에서 선택되고,RS 는 각 경우 독립적으로, 1 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 알킬, 1 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 할로겐화 알킬, 6 내지 30 개의 탄소 고리 원자를 갖는 아릴, F, Cl, Br, I, 1 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 및 1 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 할로겐화 알킬로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되는 하나 이상의 기로 치환되는 6 내지 30 개의 탄소 고리 원자를 갖는 아릴, 1 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴, F, Cl, Br, I, 1 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 및 1 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 할로겐화 알킬로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되는 하나 이상의 기로 치환되는 1 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴로 이루어진 군에서 선택된다].