COMPOSITION FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DEVICES, OPTICAL DEVICES, MICROMACHINES AND MECHANICAL PRECISION DEVICESAqueous composition for developing photoresists applied to semiconductor substrates, said aqueous composition comprising a quaternary ammonium compound of formula I wherein (a) R1 is selected from a C4 to C30 organic radical of formula –X-CR10 R11 R12, wherein R10, R11 and R12 are independently selected from a C1 to C20 alkyl and two or three of R10, R11 and R12 may together form a ring system, and R2, R3 and R4 are selected from R1 or a C1 to C10 alkyl, C1 to C10 hydroxyalkyl C1 to 1C30 aminoalkyl or C1 to C20A alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a C1 to C4 divalent organic radical, or (b) R and R2 areindependently selected from an organic radical of formula IIa or IIb (IIa) 20 or wherein Y is C4 to C20 alkanediyl, Y 2 is a one-, two-or tricyclic C to C20 carbocyclic or heterocyclic aromatic system, and R3 and R4 are selected from R or a C to C 10 alkyl, C to C 10 hydroxyalkyl, C to C 30 aminoalkyl, or C to C 20 alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a C to C 4 divalent organic radical, and Xis a chemical bond or a C to C 4 divalent organic radical, or30 (c)at least two of R, R 2, R 3, and R 4 together form a saturated mono, bi or tricyclic C to C 30 organic ring system and the remaining R 3 and R 4, if any, together form a monocyclic C to C 30 organic ring system or are selected from a C to C 10 alkyl, C to C 10 hydroxyalkyl, C to C 30 aminoalkyl, or C to C20 alkoxyalkyl, and Xis a chemical bond or a C1 to C4 divalent organic radical, or 3 (d)a combination thereof, and wherein Z is a counter-ion and z is an integer, which is chosen so that the overall bulky quaternary ammonium compound is electrically uncharged.A composition for developing photoresists applied to semiconductor substrates, said composition comprising a quaternary ammonium compound of formula IR°z Z (I)-N—4wherein R (a) R1 is selected from a C4 to C3o organic radical of formula -X-CR10R11 R12,wherein R10, R11 and R12 are independently selected from a Ci to C20 alkyl and two or three of R10, R11 and R12 may together form a ring system, and R2, R3 and R4 are selected from R1 or a Ci to C10 alkyl, Ci to C10 hydroxyalkyl Ci to C30 aminoalkyl or Ci to C20 alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a Ci to C4 divalent organic radical, or(b) R1 and R2 are independently selected from an organic radical of formula lla or lib or-X-Y2 (lib) wherein Y1 is C4 to C20 alkanediyl, Y2 is a one-, two- or tricyclic C5 to C20 carbocyclic or heterocyclic aromatic system, and R3 and R4 are selected from R1 or a Ci to C10 alkyl, Ci to C10 hydroxyalkyl, Ci to C30 aminoalkyl, or Ci to C20 alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a Ci to C4 divalent organic radical, and X is a chemical bond or a Ci to C4 divalent organic radical, or(c) at least two of R1 , R2, R3, and R4 together form a saturated mono, bi or tricyclic C5 to C30 organic ring system and the remaining R3 and R4, if any, together form a monocyclic C5 to C30 organic ring system or are selected from a Ci to C10 alkyl, Ci to C10 hydroxyalkyl, Ci to C30 aminoalkyl, or Ci to C20 alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a Ci to C4 divalent organic radical, or(d) a combination thereof, and wherein Z is a counter-ion and z is an integer, which is chosen so that the overall bulky quaternary ammonium compound is electrically uncharged. The aqueous composition according to claim 1 , wherein R10, R11 and R12 of R1 are independently selected from Ci to Cs alkyl and R2, R3 and R4 are independently selected from Ci to C4 alkyl.The aqueous composition according to claim 1 , whereinR1, R2 are independently selected from cyclohexyl, cyclooctyl or cyclodecyl, which may be unsubstituted or substituted by Ci to C4 alkyl, andR3, R4 are independently selected from Ci to C4 alkyl.The aqueous composition according to claim 1 , wherein the Ci to C30 aminoalkyl is selected from wherein:X is a divalent group, for each repeating unit 1 to n independentlyselected from(a) linear or branched Ci to C20 alkanediyl, which may optionally be substituted and which may optionally be interrupted by up to 5 heteroatoms selected from O and N,(b) C5 to C20 cycloalkanediyl, which may optionally be substituted and which may optionally be interrupted by up to 5 heteroatoms selected from O and N,(c) C6 to C20 organic group of formula -X1-A-X2-, wherein X1 and X2 are independently selected from a Ci to C7 linear or branched alkanediyl and A is selected from a C5 to C12 aromatic moiety or a C5 to C30 cycloalkanediyl, which H atoms may optionally be substituted and which C atoms may optionally be interrupted by up to 5 heteroatoms selected from O and N,(d) polyoxyalkylene diradical of formula III:wherein p is 0 or 1 , r is an integer from 1 to 100, and R5 is selected from H and a linear or branched Ci to C20 alkyl group; R4 are monovalent groups independently selected from a linear or branched Cs to C30 alkyl group, a C5 to C30 cycloalkyl, a Ci to C20 hydroxyalkyl, and a C2 to C4 oxyalkylene homo or copolymers , all of which may optionally be substituted, and wherein pair-wise R3- R4 and adjacent R4- R4 and R3 - R3 may optionally together form a bivalent group X, and may also be a continuation Q of the molecule by branching, and, if n is equal to or greater than 2, R3, R4 or R3 and R4 may also be hydrogen atoms; n is an integer from 1 to 5, or, in case at least one of X, R3 and R4comprises a C2 to C4 polyoxyalkylene group, n may be an integer from 1 to 10000, and provided that, if at least one Q is present, n includes all repeating units of branches Q; Qis an integer from 1 to 5D is a divalent group, for each repeating unit 1 to n independentlyselected from(a) linear or branched Ci to C20 alkanediyl,(b) C5 to C20 cycloalkanediyl,(d) C6 to C20 arylalkanediyl of formula -Z1-A-Z2-, wherein Z1 and Z2 are independently selected from a Ci to C7 alkanediyl and A is a C5 to C12 aromatic moiety,all of which may optionally be substituted and which may optionally be interrupted by one or more heteroatoms selected from O, S, and N;R5 is a monovalent groups independently selected from linear orbranched, Ci to C20 alkyl, C5 to C20 cycloalkyl, C5 to C20 aryl, Ce to C20 alkylaryl, and Ce to C20 arylalkyl, which may optionally be substituted. ueous composition according to anyone of the preceding claims, wherein at io of R10, R11 and R12 together form a mono, bi or tri cyclic ring system.
집적 회로 기기, 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 정밀 기계 장비 제조용 조성물화학식 I 의 4 차 암모늄 화합물을 함유하는, 반도체 기판에 적용되는 포토레지스트 현상 조성물: [식 중, (a) R1 은 화학식 -X-CR10R11R12 (식 중, R10, R11 및 R12 은 C1 내지 C20 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R10, R11 및 R12 중 둘 또는 셋이 함께 고리 시스템을 형성함) 의 C4 내지 C30 유기 라디칼로부터 선택되고, R2, R3 및 R4 은 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬 C1 내지 C30 아미노알킬 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는 (b) R1 및 R2 는 화학식 IIa 또는 IIb 의 유기 라디칼로부터 독립적으로 선택되고 또는 [식 중, Y1 는 C4 내지 C20 알칸디일이고, Y2 는 단환-, 이환- 또는 삼환 C5 내지 C20 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 방향족 시스템임], R3 및 R4 는 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는 (c) R1, R2, R3 및 R4 중 둘 이상이 함께 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하고, 나머지 R3 및 R4 은, 존재한다면, 함께 단환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하거나, 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는 (d) 이들의 조합임, 그리고 여기서, Z 는 카운터-이온이고, z 는 정수이며, 전체 벌키 4 차 암모늄 화합물이 전기적으로 하전되지 않도록 선택됨].화학식 I 의 4 차 암모늄 화합물을 함유하는, 반도체 기판에 적용되는 포토레지스트 현상 조성물:[식 중,(a) R1 은 화학식 -X-CR10R11R12 (식 중, R10, R11 및 R12 은 C1 내지 C20 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R10, R11 및 R12 중 둘 또는 셋이 함께 고리 시스템을 형성함) 의 C4 내지 C30 유기 라디칼로부터 선택되고, R2, R3 및 R4 은 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬 C1 내지 C30 아미노알킬 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는(b) R1 및 R2 는 화학식 IIa 또는 IIb 의 유기 라디칼로부터 독립적으로 선택되고또는[식 중, Y1 는 C4 내지 C20 알칸디일이고, Y2 는 단환-, 이환- 또는 삼환 C5 내지 C20 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 방향족 시스템임], R3 및 R4 는 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는(c) R1, R2, R3 및 R4 중 둘 이상은 함께 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하고, 나머지 R3 및 R4 은, 존재한다면, 함께 단환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하거나, 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는 (d) 이들의 조합임, 그리고여기서, Z 는 카운터-이온이고, z 는 전체 벌키 4 차 암모늄 화합물이 전기적으로 하전되지 않도록 선택되는 정수임].