Process for hydrophobicizing particles, and their use as fillers in polymer masterbatchesParticles are hydrophobicized by treatment with a compound containing amino and silane groups, followed by treatment with a silane compound containing a hydrophobic group. The invention is particularly useful for treating hydrophilic mineral particles. The treated particles can be used, for example, as fillers in polymer masterbatches.Processing particle, particularly inorganic  particle make it have hydrophobic method, and this method comprises following step:(a) compound of particle and general formula i or its acid salt or its quaternary ammonium salt are contacted whereinr 1, r 2and r 3in at least one, preferred r 1, r 2and r 3in at least two, r most preferably 1, r 2and r 3all be hydroxyl or hydrolyzable group; r 4be to stop si-r 4the divalent group of key hydrolysis; r 5be selected from hydrogen; c 1-40alkyl; c 6-40aryl; c 2-40single unsaturated, two unsaturated or triunsaturated alkenyls; the group of following general formula: x wherein is a 2-10 integer, r 13and r 14can be identical or different, each is hydrogen naturally; c 1-18alkyl; c 2-18single unsaturated, two unsaturated or triunsaturated alkenyls; phenyl; the group of following general formula: wherein, b is the integer of 1-10;it is the group of following general formula wherein c is the integer of 1-10, r 22and r 23identical or different, each is hydrogen, c naturally 1-10alkyl or c 2-10alkenyl, condition are that the α position of nitrogen-atoms is not two keys; be the group of following general formula:-[(ch 2) rnh] d-h wherein r is the integer of 1-6, and d is the integer of 1-4;r 6can be as r 5defined any group, perhaps r 5and r 6can form the divalent group of following general formula together: wherein a be selected from-chr or-the nr group, wherein r is hydrogen or c 1-40alkyl or c 2-40alkenyl, c 6-40aryl, sauerstoffatom and sulphur atom, t and v are 1,2,3 or 4 independently of one another; condition be t and v and be no more than 6, preferably 4; and (b) compound of particle with general formula i i contacted: wherein:r 15, r 16and r 17have and r 1, r 2and r 3identical definition; and r 12be selected from c 8-40alkyl or c 8-40unsaturated, the two unsaturated or three unsaturated chain thiazolinyls of list, wherein any one can be by one or more aryl, preferred phenyl inserts; be group or its acid salt or the quaternary ammonium salt of following general formula: r wherein 18be to stop si-r 18the divalent group of key hydrolysis, r 19be selected from hydrogen, c 1-40alkyl, c 2-40the aryl of single unsaturated, two unsaturated or three unsaturated chain thiazolinyls, replacement is as phenylene-(c 6h 4)-, biphenylene-(c 6h 4)-(c 6h 4)-,-(c 6h 4)-o-(c 6h 4)-or naphthylidene-(c 10h 6do not replace)-, or by c 1-20alkyl or c 2-20the aryl that list is unsaturated, two unsaturated or three unsaturated chain thiazolinyl bases replace; r 20can be any as r 19defined group, condition are r 19and r 20the place does not have tertiary carbon atom at contiguous nitrogen-atoms, and r 19and r 20in at least one be at least 8 carbon atoms of its length, the carbochain do not cut off by any heteroatoms.
소수성화 입자의 제조 및 중합체 마스터배치 내의충전제로서의 그의 용도아미노기 및 실란기를 포함하는 화합물로 처리하고, 이어서 소수성 기를 포함하는 실란 화합물로 처리함으로써 입자를 소수성화한다. 본 발명은 친수성 광물 입자를 처리하는 데에 특히 유용하다. 처리된 입자는 예를 들어 중합체 마스터배치에서 충전제로서 사용될 수 있다.(a) 입자를 하기 화학식 I의 화합물 또는 그들의 산 부가 염 또는 4급 암모늄 염과 접촉시키는 단계, 및 (b) 입자를 하기 화학식 II의 화합물 또는 그들의 산 부가 염 또는 4급 암모늄 염과 접촉시키는 단계를 포함하는, 입자, 특히 광물 입자의 소수성화 처리 방법. ＜화학식 I＞ [이미지] ＜화학식 II＞ [이미지] 상기 식에서, 1개 이상의 R1, R2 및 R3, 바람직하게는 2개의 R1, R2 및 R3, 가장 바람직하게는 R1, R2 및 R3은 히드록실 또는 가수 분해성 기이고, R4는 Si-R4 결합에서 가수 분해에 저항하는 2가의 기이고, R5는 수소, C1-40 알킬, C6-C40 아릴기, C2-40 모노-, 디- 또는 트리-불포화 알케닐기, 하기 화학식 [이미지] [상기 식에서, x는 2 내지 10의 정수이고, R13 및 R14는 동일하거나 상이할 수 있고, 각각 수소, C1-18 알킬, C2-18 모노-, 디- 또는 트리-불포화 알케닐, 페닐, 하기 화학식 [이미지] (여기서, b는 1 내지 10의 정수임)의 기, 하기 화학식 [이미지] (여기서, c는 1 내지 10의 정수이고, R22 및 R23은 동일하거나 상이할 수 있고, 각각 수소, C1-10 알킬기 또는 C2-10 알케닐기이고, 알파 위치에서 질소 원자에 이중 결합이 없음)의 기, 하기 화학식 [이미지] (여기서, r은 1 내지 6의 정수이고, d는 1 내지 4의 정수임)의 기임]의 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, R6는 R5에 대해 정의된 임의의 기일 수 있거나, 또는 R5 및 R6는 함께 하기 화학식 [이미지] [여기서, A는 -CHR 또는 -NR 기 (여기서, R은 수소 또는 C1-40 알킬 또는 C2-40 알케닐기, C6-C40 아릴기, 산소 원자 및 황 원자임)으로 이루어진 군으로부터 선택되고, t 및 v는 각각 독립적으로 1,2,3 또는 4이고, t와 v의 합계는 6을 넘지 않고 바람직하게는 4임]의 2가의 기를 형성하고, R15, R16 및 R17은 R1, R2 및 R3의 정의와 동일하고, R12는 1개 이상의 아릴기, 바람직하게는 페닐기가 개재될 수 있는 C8-40 알킬기 또는 C8-40 모노-, 디- 또는 트리-불포화 알케닐기, 하기 화학식 [이미지] (여기서, R18은 Si-R18 결합에서 가수 분해에 저항하는 2가의 기이고, R19는 수소, C1-40 알킬기, C2-40 모노-, 디- 또는 트리-불포화 알케닐기, 예를 들면 페닐렌기 -(C6H4)-, 비페닐렌기 -(C6H4)-(C6H4)-, -(C6H4)-O-(C6H4)-기 또는 나프틸렌기 -(C10H6)-와 같은 치환되지 않았거나 또는 C1-20 알킬 또는 C2-20 모노-, 디- 또는 트리-불포화 알케닐기로 치환된 방향족 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, R20은 R19에 대해 정의된 임의의 기일 수 있고, 단 R19 및 R20은 질소 원자에 인접한 3차 탄소 원자를 갖지 않고, R19 및 R20 중 적어도 1개는 임의의 헤테로원자가 개재되지 않은 길이가 탄소원자수 8 이상인 탄소쇄를 가짐)의 기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 