SILSESQUIOXANE RESIN AND SILYL-ANHYDRIDE COMPOSITIONA silsesquioxane-containing composition comprising a silsesquioxane resin and a silyl-anhydride of formula (II) (see description), products prepared therefrom, photoresist compositions comprising thesilsesquioxane-containing composition and a photoacid generator, products prepared therefrom, methods of making and using same, and manufactured articles and semiconductor devices containing same.One kind contains silsesquioxane composition, it includes (a) silsesquioxane resins and (b) silicyl acid anhydride, in which:(a) silsesquioxane resins have formula (i): [hsio3/2]t1[z-l-sio3/2]t2[h(r1o)sio2/2]d[(r1o)xsio(4-x)/2]y[r2sio3/2]t3(i), in which:the molfraction that subscript t1 is 0.4 to 0.9；the molfraction that subscript t2 is 0.1 to 0.6；the molfraction that subscript d is 0 to 0.45；the integer that subscript x is 1,2 or 3；the molfraction that subscript y is 0 to 0.25；the molfraction that subscript t3 is 0 to 0.15；the summation of t1+t2 is >=0.9 to≤1, and summation=1 of t1+t2+d+y+t3；each r1it independently is h or (c1-c6) alkyl；each r2it independently is ho-l- or hooc-l-；each l independently is divalent (c1-c20) hydrocarbyl group, it is unsubstituted or replaced by least one substituent group, the substitution base is independently selected from (c1-c3) alkyl ,-oh and fluorine atom, at most perfluor replace and including perfluor replace；andeach z is-oh ,-cooh ,-o-thp ,-och (r3a)2、-oc(r3b)3、-cooch(r3a)2、-cooc(r3b)3、-ocooch (r3a)2or-ocooc (r3b)3,wherein thp is oxinane -2- base；wherein each r3ait independently is (c1-c6) alkyl, (c3-c12) naphthenic base, (c6-c10) aralkyl, ((c1-c6) alkyl) 3sich2ch2- or 2 r3ait is (c together with both carbon atom being bonded3-c12) naphthenic base or (c6-c12) two naphthenic base；andwherein each r3bit independently is (c1-c6) alkyl, (c3-c12) naphthenic base, (c6-c10) aralkyl, ((c1-c6) alkyl) 3sich2ch2-；or 2 r3bit is (c together with both carbon atom being bonded3-c12) naphthenic base or (c6-c12) two naphthenic base, and remaining r3bit independently is (c1-c6) alkyl, (c3-c12) naphthenic base, (c6-c10) aralkyl or ((c1-c6) alkane base) 3sich2ch2-；or whole 3 r3bit is (c together with the carbon atom that all of which is bonded7-c12) bicyclic alkyl；and(b) the silicyl acid anhydride has formula (ii): (r4o)3si-(l1)m-c(r5)2- c (=o)-o-c (=o)-r6(ii), in:each r5it independently is h, (c1-c6) alkyl or formula-(l2)n-si(or4)3monoradical；or two r5it is combined with formation (c2-c5) alkane-diyl；an or r5with r6it is combined to form key or (c1-c4) alkane-diyl, and remain remaining r5it independently is h, (c1-c6) alkyl or formula-(l2)n-si(or4)3monoradical；or two r5with r6it is combined with formation=ch-；r6with r as described above5it is combined or r6for (c1-c8) alkyl or formula-c (r7)2-(l2)n-si(or4)3monovalent radical group；the integer that subscript m is 0 or 1；each subscript n independently is 0 or 1 integer；each r4it independently is unsubstituted (c1-c6) alkyl；each l1and l2it independently is (c1-c8) hydrocarbon-diyl；andeach r7it independently is h or (c1-c6) alkyl；or two r7it is combined with formation (c2-c5) alkane-diyl.
실세스퀴옥산 수지 및 실릴-무수물 조성물실세스퀴옥산 수지 및 화학식 II (명세서 참조)의 실릴-무수물을 포함하는 실세스퀴옥산-함유 조성물, 그로부터 제조된 생성물, 실세스퀴옥산-함유 조성물과 광산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물, 그로부터 제조된 생성물, 이의 제조 및 사용 방법, 및 이를 함유하는 제조 물품 및 반도체 디바이스.(A) 실세스퀴옥산 수지 및 (B) 실릴-무수물을 포함하는 실세스퀴옥산-함유 조성물로서,상기 (A) 실세스퀴옥산 수지는 하기 화학식 I:[화학식 I][HSiO3/2]t1[Z-L-SiO3/2]t2[H(R1O)SiO2/2]d[(R1O)xSiO(4-x)/2]y[R2SiO3/2]t3[상기 식에서,하첨자 t1은 0.4 내지 0.9의 몰 분율이고;하첨자 t2는 0.1 내지 0.6의 몰 분율이고;하첨자 d는 0 내지 0.45의 몰 분율이고;하첨자 x는 1, 2, 또는 3의 정수이고;하첨자 y는 0 내지 0.25의 몰 분율이고;하첨자 t3은 0 내지 0.15의 몰 분율이고;t1 + t2의 합계는 0.9 이상 내지 1 이하이고, t1 + t2 + d + y + t3의 합계는 1이고;각각의 R1은 독립적으로 H 또는 (C1-C6)알킬이고;각각의 R2는 독립적으로 HO-L- 또는 HOOC-L-이고;각각의 L은 독립적으로 비치환되거나 (C1-C3)알킬, -OH, 및 퍼플루오로-치환까지의 불소 원자로부터 독립적으로 선택되는 1개 이상의 치환체로 치환된 2가 (C1-C20)탄화수소 기이고;각각의 Z는 -OH, -COOH, -O-THP, -OCH(R3a)2, -OC(R3b)3, -COOCH(R3a)2, -COOC(R3b)3, -OCOOCH(R3a)2, 또는 -OCOOC(R3b)3이고,THP는 테트라하이드로피란-2-일이고;각각의 R3a는 독립적으로 (C1-C6)알킬, (C3-C12)사이클로알킬, (C6-C10)아르알킬, ((C1-C6)알킬)3SiCH2CH2-이거나, 또는 2개의 R3a는 그들 둘 모두가 결합된 탄소 원자와 함께 (C3-C12)사이클로알킬 또는 (C6-C12)바이사이클로알킬이고;각각의 R3b는 독립적으로 (C1-C6)알킬, (C3-C12)사이클로알킬, (C6-C10)아르알킬, ((C1-C6)알킬)3SiCH2CH2-이거나; 또는 2개의 R3b는 그들 둘 모두가 결합된 탄소 원자와 함께 (C3-C12)사이클로알킬 또는 (C6-C12)바이사이클로알킬이고, 나머지 R3b는 독립적으로 (C1-C6)알킬, (C3-C12)사이클로알킬, (C6-C10)아르알킬, 또는 ((C1-C6)알킬)3SiCH2CH2-이거나; 또는 3개 모두의 R3b는 그들 모두가 결합된 탄소 원자와 함께 (C7-C12)바이사이클로알킬임]을 갖고;상기 (B) 실릴-무수물은 하기 화학식 II:[화학식 II](R4O)3Si-(L1)m-C(R5)2-C(=O)-O-C(=O)-R6[상기 식에서,각각의 R5는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, 또는 화학식 -(L2)n-Si(OR4)3의 1가 기이거나; 또는 둘 모두의 R5는 함께 (C2-C5)알칸-다이일을 형성하거나; 또는 하나의 R5는 R6과 함께 결합 또는 (C1-C4)알칸-다이일을 형성하고, 나머지 R5는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, 또는 화학식 -(L2)n-Si(OR4)3의 1가 기이거나; 또는 둘 모두의 R5는 R6과 함께 =CH-를 형성하고;R6은 상기에 기재된 바와 같은 R5와 함께 취해지거나, 또는 R6은 (C1-C8)하이드로카르빌 또는 화학식 -C(R7)2-(L2)n-Si(OR4)3의 1가 기이고;하첨자 m은 0 또는 1의 정수이고;각각의 하첨자 n은 독립적으로 0 또는 1의 정수이고;각각의 R4는 독립적으로 비치환된 (C1-C6)알킬이고;각각의 L1 및 L2는 독립적으로 (C1-C8)하이드로카본-다이일이고;각각의 R7은 독립적으로 H 또는 (C1-C6)알킬이거나; 또는 둘 모두의 R7은 함께 (C2-C5)알칸-다이일을 형성함]를 갖는, 실세스퀴옥산-함유 조성물.