Wafer producing method and processing feed direction detecting methodA wafer is produced from an ingot by confirming whether or not an inclined c-axis of the ingot and a second orientation flat of the ingot are perpendicular to each other, and detecting a processing feed direction perpendicular to the direction in which the c-axis is inclined. The method includes performing sampling irradiation of the ingot with a laser beam, along a direction parallel to the second orientation flat and a plurality of directions inclined clockwise and counterclockwise by respective predetermined angles from the second orientation flat, thereby forming a plurality of sampled reduced strength areas in the ingot; measuring the number of nodes which exist per unit length on each of the sampled reduced strength areas, and determining a direction in which the sampled reduced strength area where the measured number of nodes is zero extends as a processing feed direction.A wafer producing method of producing a wafer from a cylindrical single-crystal SiC ingot having a cylindrical peripheral surface including a first orientation flat and a second orientation flat shorter than said first orientation flat and perpendicular to said first orientation flat, and a circular upper surface, said cylindrical single-crystal SiC ingot having a c-axis inclined from a vertical axis perpendicular to said circular upper surface toward said second orientation flat and an off-angle formed between a c-plane perpendicular to said c-axis and said upper surface, said wafer producing method comprising: a processing feed direction detecting step of confirming whether or not a direction in which said c-axis is inclined and said second orientation flat are perpendicular to each other, and detecting a processing feed direction perpendicular to the direction in which said c-axis is inclined;a reduced strength area forming step of positioning the focused point of a laser beam in said cylindrical single-crystal SiC ingot at a depth from said circular upper surface, which depth corresponds to the thickness of a wafer to be produced, and while relatively moving said cylindrical single-crystal SiC ingot and said focused point in said processing feed direction which has been detected in the processing feed direction detecting step, irradiating said cylindrical single-crystal SiC ingot with a laser beam having a wavelength that transmits through SiC, thereby forming a straight reduced strength area made up of a modified layer parallel to said circular upper surface and cracks extending from said modified layer along said c-plane at the depth corresponding to the thickness of the wafer to be produced;a peeling plane forming step of forming a peeling plane in said cylindrical single-crystal SiC ingot by carrying out the reduced strength area forming step a plurality of times at predetermined intervals in a direction perpendicular to said processing feed direction; anda wafer producing step of, after the peeling plane forming step, producing a wafer from said cylindrical single-crystal SiC ingot by peeling off a portion of said cylindrical single-crystal SiC ingot from said peeling plane that serves as a boundary face;wherein the processing feed direction detecting step includes: a sampling step of performing sampling irradiation for positioning the focused point of a laser beam in said cylindrical single-crystal SiC ingot at a predetermined depth from said circular upper surface and, while moving said cylindrical single-crystal SiC ingot and said focused point relatively to each other, irradiating said cylindrical single-crystal SiC ingot with a laser beam having a wavelength that transmits through SiC, along a direction parallel to said second orientation flat and a plurality of directions inclined clockwise and counterclockwise by respective predetermined angles from said second orientation flat, thereby forming a plurality of straight sampled reduced strength areas in said cylindrical single-crystal SiC ingot, each of said straight sampled reduced strength areas being made up of a modified layer parallel to said circular upper surface and cracks extending from said modified layer along said c-plane, anda determining step of capturing respective images of said straight sampled reduced strength areas with imaging means, measuring the number of nodes which exist per unit length on each of said straight sampled reduced strength areas in one of the images thereof, and determining a direction in which the straight sampled reduced strength area where the measured number of nodes is zero extends as a processing feed direction.
웨이퍼 생성 방법 및 가공 이송 방향 검출 방법본 발명은 생산성의 향상을 도모할 수 있는 웨이퍼 생성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 웨이퍼의 생성 방법은, c축이 기울어지는 방향과 제2 오리엔테이션 플랫이 직각을 이루고 있는지의 여부를 확인하여, c축이 기울어지는 방향과 직각을 이루는 가공 이송 방향을 검출하는 가공 이송 방향 검출 공정을 포함한다. 가공 이송 방향 검출 공정은, 레이저 광선을 잉곳에 조사하는 샘플 조사를, 제2 오리엔테이션 플랫에 대해 평행한 방향 및 제2 오리엔테이션 플랫을 기준으로 하여 시계 방향 및 반시계 방향으로 정해진 각도마다 기울인 복수의 방향에 대해 각각 실시하여, 샘플 강도 저하부를 복수개 형성하는 샘플링 공정과, 샘플 강도 저하부의 각각의 단위 길이에 존재하는 노드의 수를 계측하고, 노드의 수가 0개인 샘플 강도 저하부가 연장되는 방향을 가공 이송 방향으로서 결정하는 결정 공정을 포함한다.제1 오리엔테이션 플랫 및 상기 제1 오리엔테이션 플랫보다 짧고 또한 상기 제1 오리엔테이션 플랫에 직교하는 제2 오리엔테이션 플랫이 형성된 원통 형상의 둘레면과, 원형 형상의 상면을 구비하고, 상기 상면에 수직인 수직축에 대해 c축이 상기 제2 오리엔테이션 플랫을 향해 기울어지며 상기 c축에 직교하는 c면과 상기 상면이 이루는 오프각을 상기 제2 오리엔테이션 플랫측을 향해 갖는 원기둥 형상의 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 생성 방법으로서,상기 c축이 기울어지는 방향과 상기 제2 오리엔테이션 플랫이 직각을 이루고 있는지의 여부를 확인하여, 상기 c축이 기울어지는 방향과 직각을 이루는 가공 이송 방향을 검출하는 가공 이송 방향 검출 공정과,상기 상면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이의 위치에 레이저 광선의 집광점을 위치시키고, 상기 가공 이송 방향 검출 공정에서 검출된 상기 가공 이송 방향으로 상기 단결정 SiC 잉곳과 상기 집광점을 상대적으로 이동시키면서, SiC에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 상기 단결정 SiC 잉곳에 조사함으로써, 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 있어서 상기 상면에 평행한 개질층과 상기 개질층으로부터 상기 c면을 따라 신장되는 크랙으로 이루어지는 직선형의 강도 저하부를 형성하는 강도 저하부 형성 공정과,상기 강도 저하부 형성 공정을 상기 가공 이송 방향에 직교하는 방향으로 정해진 간격을 두고 복수 회 실시하여 박리면을 형성하는 박리면 형성 공정과,상기 박리면 형성 공정을 실시한 후, 상기 박리면을 계면으로 해서 상기 단결정 SiC 잉곳의 일부를 박리하여 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 생성 공정을 포함하며,상기 가공 이송 방향 검출 공정은, 상기 상면으로부터 정해진 깊이의 위치에 집광점을 위치시키고, 상기 단결정 SiC 잉곳과 상기 집광점을 상대적으로 이동시키면서, SiC에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 상기 단결정 SiC 잉곳에 조사하는 샘플 조사를, 상기 제2 오리엔테이션 플랫에 대해 평행한 방향 및 상기 제2 오리엔테이션 플랫을 기준으로 하여 시계 방향 및 반시계 방향으로 정해진 각도마다 기울인 복수의 방향의 각각에 있어서 행하여, 상기 상면에 평행한 개질층과 상기 개질층으로부터 상기 c면을 따라 신장되는 크랙으로 이루어지는 직선형의 샘플 강도 저하부를 복수개 형성하는 샘플링 공정과,상기 복수의 샘플 강도 저하부의 각각을 촬상 수단에 의해 촬상하고, 상기 촬상 수단에 의해 촬상된 화상에 기초하여 상기 복수의 샘플 강도 저하부의 각각의 단위 길이당 존재하는 노드의 수를 계측하며, 노드의 수가 0개인 샘플 강도 저하부가 연장되는 방향을 가공 이송 방향으로서 결정하는 결정 공정을 포함하는 것인 웨이퍼 생성 방법.