DEVICE MANUFACTURING PROCESS UTILIZING A DOUBLE PATTERING PROCESSA process for manufacturing a semiconductor device using a multiple exposure patterning process has the steps of: a) providing a coated semiconductor substrate with an antireflective coating or an underlayer, b) applying in a first coating step, a first photosensitive composition over the coated semiconductor substrate to produce a bilayer stack, c) exposing the first photosensitive composition in the bilayer stack in a imagewise manner to actinic radiation in a first exposure step to produce a first pattern, d) developing the exposed first photosensitive composition in an aqueous base developer to produce an imaged bilayer stack containing a relief image, e) rinsing the imaged bilayer stack containing the relief image with an aqueous liquid optionally containing a surfactant, f) applying a fixer solution to the imaged bilayer stack to stabilize (fix) the relief image, g) applying an optional bake step, h) rinsing the imaged bilayer stack containing the stabilized image with a liquid optionally containing a surfactant, i) applying a second optional bake step, j) applying in a second coating step a second photosensitive composition onto the imaged bilayer stack to produce a multilayer stack, k) exposing the second photosensitive composition in the multilayer stack in an imagewise manner to actinic radiation in a second exposure step to produce a second pattern in which the second pattern is offset from the first pattern by a predetermined amount, I) developing the exposed second photosensitive composition in an aqueous base developer to produce an imaged multilayer stack containing a second relief image, and m) rinsing the imaged multilayer stack containing the second relief image with an aqueous liquid optionally containing a surfactant; wherein the first and second photosensitive compositions each comprise a photoacid generator and a substantially aqueous base insoluble polymer whose aqueous base solubility increases upon treatment with acid and further comprises an anchor group, and the fixer solution comprises a polyfunctional fixer compound which is reactive with the anchor group, but does not contain silicon and wherein the semiconductor substrate stays within a lithographic cell from at least the first coating step until at least after the final exposure.A process for manufacturing a semiconductor device using a multiple exposure patterning process, comprising: a) providing a coated semiconductor substrate with an antireflective coating or an underlayer, b) applying in a first coating step, a first photosensitive composition over the coated semiconductor substrate to produce a bilayer stack, c) exposing the first photosensitive composition in the bilayer stack in a imagewise manner to actinic radiation in a first exposure step to produce a first pattern, d) developing the exposed first photosensitive composition in an aqueous base developer to produce an imaged bilayer stack containing a relief image, e) rinsing the imaged bilayer stack containing the relief image with an aqueous liquid optionally containing a surfactant, f) applying a fixer solution to the imaged bilayer stack to stabilize (fix) the relief image, g) applying an optional bake step, h) rinsing the imaged bilayer stack containing the stabilized image with a liquid optionally containing a surfactant, i) applying a second optional bake step, j) applying in a second coating step a second photosensitive composition onto the imaged bilayer stack to produce a multilayer stack, k) exposing the second photosensitive composition in the multilayer stack in an imagewise manner to actinic radiation in a second exposure step to produce a second pattern in which the second pattern is offset from the first pattern by a predetermined amount, I) developing the exposed second photosensitive composition in an aqueous base developer to produce an imaged multilayer stack containing a second relief image, and m) rinsing the imaged multilayer stack containing the second relief image with an aqueous liquid optionally containing a surfactant; wherein the first and second photosensitive compositions each comprise a photoacid generator and a substantially aqueous base insoluble polymer whose aqueous base solubility increases upon treatment with acid and further comprises an anchor group, and the fixer solution comprises a polyfunctional fixer compound which is reactive with the anchor group, but does not contain silicon and wherein the semiconductor substrate stays within a lithographic cell from at least the first coating step until at least after the final exposure.
이중 패터닝 공정을 이용한 장치 제조 방법a) 반사방지 코팅(antireflective coating) 또는 하지층(underlayer)을 구비한 코팅된 반도체 기판을 제공하는 단계, b) 제1코팅 단계에서, 이중층 스택(bilayer stack)을 생성하기 위하여 제1감광성 조성물(first photosensitive composition)을 상기 코팅된 반도체 기판상에 적용하는 단계, c) 제1노광 단계에서 상기 이중층 스택의 상기 제1감광성 조성물을 상에 따라(imagewise manner) 화학방사선(actinic radiation)에 노광시켜 제1패턴을 생성하는 단계, d) 릴리프 이미지를 포함하는 이미지화된(imaged) 이중층 스택을 생성하기 위하여 수성 현상액(aqueous base developer)으로 상기 노광된 제1감광성 조성물을 현상하는 단계, e) 계면활성제를 선택적으로 포함하는 수성액체로 상기 릴리프 이미지를 포함하는 이미지화된 이중층 스택을 세정하는 단계, f) 상기 릴리프 이미지를 안정시키기(고정시키기) 위하여 상기 이미지화된 이중층 스택에 정착액(fixer solution)을 적용하는 단계, g) 선택적인 베이킹(bake) 단계를 적용하는 단계, h) 계면활성제를 선택적으로 포함하는 액체로 상기 안정화된 이미지를 포함하는 이미지화된 이중층 스택을 세정하는 단계, i) 두 번째 선택적인 베이킹 단계를 적용하는 단계, j) 제2코팅 단계에서, 다중층 스택(multilayer stack)을 생성하기 위하여 제2감광성 조성물을 상기 이미지화된 이중층 스택 상에 적용하는 단계, k) 제2노광 단계에서 상기 다중층 스택의 상기 제2감광성 조성물을 상에 따라 화학방사선에 노광시켜 상기 제2노광패턴이 상기 제1노광패턴으로부터 소정의 양만큼 상쇄된 제2패턴을 생성하는 단계, l) 제2릴리프 이미지를 포함하는 이미지화된 다중층 스택을 생성하기 위하여 상기 노광된 제2감광성 조성물을 수성 현상액으로 현상하는 단계, 및 m) 상기 제2릴리프 이미지를 포함하는 이미지화된 다중층 스택을 계면활성제를 선택적으로 포함하는 수성액체로 세정하는 단계;를 포함하며, 여기서, 상기 제1감광성 조성물 및 제2감광성 조성물 각각은 광산 발생제(photoacid generator), 및 산으로의 처리로 수용해성(aqueous base solubility)이 증가하는 실질적으로 수성인 불용성 중합체를 포함하고, 앵커기(anchor group)를 더 포함하며, 상기 정착액은 상기 앵커기와 반응하는 다관능 정착 화합물(polyfunctional fixer compound)을 포함하지만 실리콘을 포함하지 않으며, 상기 반도체 기판은 상기 제1코팅 단계로부터 적어도 최종 노광 단계 이후까지 리소그래피 셀(lithographic cell) 내에 존재하는, 다중 노광 패터닝 공정(multiple exposure patterning process)을 이용한 반도체 장치의 제조 방법. a) 반사방지 코팅(antireflective coating) 또는 하지층(underlayer)을 구비한 코팅된 반도체 기판을 제공하는 단계, b) 제1코팅 단계에서, 이중층 스택(bilayer stack)을 생성하기 위하여 제1감광성 조성물(first photosensitive composition)을 상기 코팅된 반도체 기판상에 적용하는 단계, c) 제1노광 단계에서 상기 이중층 스택의 상기 제1감광성 조성물을 상에 따라(imagewise manner) 화학방사선(actinic radiation)에 노광시켜 제1패턴을 생성하는 단계, d) 릴리프 이미지를 포함하는 이미지화된(imaged) 이중층 스택을 생성하기 위하여 수성 현상액(aqueous base developer)으로 상기 노광된 제1감광성 조성물을 현상하는 단계, e) 계면활성제를 선택적으로 포함하는 수성액체로 상기 릴리프 이미지를 포함하는 이미지화된 이중층 스택을 세정하는 단계, f) 상기 릴리프 이미지를 안정시키기(고정시키기) 위하여 상기 이미지화된 이중층 스택에 정착액(fixer solution)을 적용하는 단계, g) 선택적인 베이킹(bake) 단계를 적용하는 단계, h) 계면활성제를 선택적으로 포함하는 액체로 상기 안정화된 이미지를 포함하는 이미지화된 이중층 스택을 세정하는 단계, i) 두 번째 선택적인 베이킹 단계를 적용하는 단계, j) 제2코팅 단계에서, 다중층 스택(multilayer stack)을 생성하기 위하여 제2감광성 조성물을 상기 이미지화된 이중층 스택 상에 적용하는 단계, k) 제2노광 단계에서 상기 다중층 스택의 상기 제2감광성 조성물을 상에 따라 화학방사선에 노광시켜 상기 제2노광패턴이 상기 제1노광패턴으로부터 소정의 양만큼 상쇄된 제2패턴을 생성하는 단계, l) 제2릴리프 이미지를 포함하는 이미지화된 다중층 스택을 생성하기 위하여 상기 노광된 제2감광성 조성물을 수성 현상액으로 현상하는 단계, 및 m) 상기 제2릴리프 이미지를 포함하는 이미지화된 다중층 스택을 계면활성제를 선택적으로 포함하는 수성액체로 세정하는 단계;를 포함하며, 여기서, 상기 제1감광성 조성물 및 제2감광성 조성물 각각은 광산 발생제(photoacid generator), 및 산으로의 처리로 수용해성(aqueous base solubility)이 증가하는 실질적으로 수성인 불용성 중합체를 포함하고, 앵커기(anchor group)를 더 포함하며, 상기 정착액은 상기 앵커기와 반응하는 다관능 정착 화합물(polyfunctional fixer compound)을 포함하지만 실리콘을 포함하지 않으며, 상기 반도체 기판은 상기 제1코팅 단계로부터 적어도 최종 노광 단계 이후까지 리소그래피 셀(lithographic cell) 내에 존재하는, 다중 노광 패터닝 공정(multiple exposure patterning process)을 이용한 반도체 장치의 제조 방법.