POSITIVE WORKING PHOTOSENSITIVE MATERIALDisclosed herein is a photosensitive composition comprising a) at least one photoacid generator; b) at least one Novolak polymer; c) at least one acrylate polymer, comprising a component having structure (I); d) at least one glycidyl hydroxy benzoic acid condensate material comprising one or more compounds having structure (II); e) at least one heterocyclic thiol compound comprising a ring structure chosen from the general structures (III),(IIIa) or (IIIb); and f) at least one solvent. Disclose herein are also the methods of using this composition to form a resist pattern and the methods of using these resist patterns to produce metal lines. Disclosed herein are also compounds and mixtures of compounds having structure (II).A positive photosensitive composition comprising:a) at least one photoacid generator;b) at least one novolac polymer;c) at least one acrylate polymer comprising a component having structure (i),wherein r is1to r6independently is-h or-ch3a is a straight chain or branched c2to c10alkylene, b is c1to c12primary or secondary unsubstituted, linear, branched, cyclic or cycloaliphatic alkyl, c being c1to c12primary or secondary unsubstituted, linear, branched, cyclic or alicyclic alkyl, d is a linking group which is a direct valence bond, or linear or branched c1to c10alkylene, ar is a substituted or unsubstituted aromatic or heteroaromatic radical, e is a linear or branched c2to c10alkylene, g is an acid cleavable group, t is 0 mol% to about 40 mol%, v is 0 mol% to about 15 mol%, w is 0 mol% to about 45 mol%, x is 0 mol% to about 80 mole%, y is from about 20 mole% to about 50 mole% and z is from about 20 mole% to about 50 mole%, and further wherein the sum of t, v, w, x, y and z equals 100 mole%;d) at least one glycidyl hydroxybenzoic acid condensate material comprising one or more compounds having the structure (ii),wherein the content of the first and second substances,w is an organic moiety having a molecular weight of 600 or less, wherein w forms an ether linkage with the oxygen to which it is bonded,m is an integer of 1 to 3, andn is an integer of 1 to 4, and with the other proviso thatwhen m is 1, n is 3 or 4, andwhen m is 2 or 3, n is an integer of 1 to 4,n 'is 0 or 1 and n' is,e) at least one heterocyclic thiol compound comprising a ring structure selected from the general structures (iii), (iiia), or (iiib), or a tautomer thereof; andwherein the ring structure is a monocyclic structure having 4 to 8 atoms or a polycyclic structure having 5 to 20 atoms; and wherein the monocyclic structure or the polycyclic structure comprises an aromatic, nonaromatic or heteroaromatic ring, andin the structure (iii), x is selected from the group consisting of c (rt)1)(rt2) o, s, se and te;in the structure (iiia), y is selected from the group consisting of c (rt)3) and n;in the structure (iiib), z is selected from the group consisting of c (rt)3) and n; and isrt1、rt2and rt3is independently selected froma group consisting of: h. a substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a substituted alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, an unsubstituted alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, a substituted alkynyl group having 2 to 8 carbon atoms, an unsubstituted alkynyl group having 2 to 8 carbon atoms, a substituted aromatic group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted heteroaromatic group having 3 to 20 carbon atoms, an unsubstituted aromatic group having 6 to 20 carbon atoms, and an unsubstituted heteroaromatic group having 3 to 20 carbon atoms;f) at least one solvent.
포지티브형 감광성 물질a) 적어도 하나의 광산 발생제; b)적어도 하나의 노볼락 중합체; c) 구조 (I)를 갖는 성분을 포함하는 적어도 하나의 아크릴레이트 중합체; d) 구조 (II)를 하나 이상의 화합물을 포함하는 적어도 하나의 글리시딜 히드록시 벤조산 축합 물질; e) 일반 구조 (III), (IIIa) 또는 (IIIb)로부터 선택된 고리 구조를 포함하는 적어도 하나의 복소환식 티올 화합물; 및 f) 적어도 하나의 용매를 포함하는 감광성 조성물이 본원에 개시된다. 또한 이러한 조성물을 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법 및 이러한 레지스트 패턴을 사용하여 금속선을 제조하는 방법이 본원에 개시된다. 또한 구조 (II)를 갖는 화합물 및 화합물의 혼합물이 본원에 개시된다. 하기를 포함하는 포지티브형(positive working) 감광성 조성물:a) 적어도 하나의 광산 발생제;b) 적어도 하나의 노볼락 중합체;c) 구조 (I)를 갖는 성분을 포함하는 적어도 하나의 아크릴레이트 중합체:[이미지]상기 식에서, R1 내지 R6은 독립적으로 -H, 또는 -CH3이고, A는 선형 또는 분지형 C2 내지 C10 알킬렌기이고, B는 C1 내지 C12 1급 또는 2급 비치환된 선형, 분지형, 환형 또는 지환식 알킬기이고, C는 C1 내지 C12 1급 또는 2급 비치환된 선형, 분지형, 환형 또는 지환식 알킬기이고, D는 직접적인 원자가 결합인 연결기, 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬렌기이고, Ar은 치환 또는 비치환 방향족기 또는 헤테로방향족기이고, E는 선형 또는 분지형 C2 내지 C10 알킬렌기이고, G는 산 절단성 기이고, t는 0 몰% 내지 약 40 몰%이고, v는 0 몰% 내지 약 15 몰%이고, w는 0 몰% 내지 약 45 몰%이고, x는 0 몰% 내지 약 80 몰%이고, y는 약 20 몰% 내지 약 50 몰%이고, z는 약 20 몰% 내지 약 50 몰%이고, 추가로 여기서 t, v, w, x, y 및 z의 합은 100 몰%과 동일함;d) 구조 (II)를 갖는 하나 이상의 화합물을 포함하는 적어도 하나의 글리시딜 히드록시 벤조산 축합 물질:[이미지]상기 식에서, W는 600 이하의 분자량을 갖는 유기 잔기이고, 여기서 W는 이에 결합된 산소와 에테르 결합을 형성하고, m은 1 내지 3의 정수이고, n은 1 내지 4의 정수이고, 추가로, 단, m이 1인 경우, n은 3 또는 4이고, m이 2 또는 3인 경우, n은 1 내지 4의 정수이고,n'은 0 또는 1임; e) 일반 구조 (III), (IIIa) 또는 (IIIb), 또는 이의 호변이성체로부터 선택된 고리 구조를 포함하는 적어도 하나의 복소환식 티올 화합물:[이미지]상기 식에서, 상기 고리 구조는 4 내지 8개의 원자를 갖는 단일 고리 구조, 또는 5 내지 20개의 원자를 갖는 다중 고리 구조이고, 여기서 단일 고리 구조, 또는 다중 고리 구조는 방향족, 비방향족, 또는 헤테로방향족 고리를 포함하고, 상기 구조 (III)에서, X는 C(Rt1)(Rt2), O, S, Se, 및 Te로 이루어진 군으로부터 선택되고; 상기 구조 (IIIa)에서, Y는 C(Rt3) 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 상기 구조 (IIIb)에서, Z는 C(Rt3) 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되고; Rt1, Rt2, 및 Rt3은 독립적으로 H, 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 치환된 알킬기, 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 알킬기, 2 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 치환된 알케닐기,　2 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 알케닐기, 2 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 치환된 알키닐기, 2 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 알키닐기, 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 치환된 방향족기, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 치환된 헤테로방향족기, 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 방향족기 및 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 헤테로방향족기로 이루어진 군으로부터 선택됨; f) 적어도 하나의 용매.