A PACKAGING STRUCTURE COMPRISING AT LEAST ONE TRANSITION FORMING A CONTACTLESS INTERFACEThe present invention relates to a packaging structure (100)comprising a split-block assembly with a first and a second conducting block section (10A,20A) and at least one transition between a first planar transmission line (2A) and a second transmission line (11A), and one or more input/output ports. The first transmission line (2A) is arranged on a substrate, e.g. an MMIC (1A), disposed on the first conducting block section (10A) and comprises a coupling section (3A), the first conducting block (10A) comprises a cavity (4A) with a cavity opening in an upper surface of the first conducting block section (10A) so arranged that,in an assembled state of the split-block assembly,the coupling section (3A) will be located above, or in,the opening of the cavity (4A), the second transmission line (11A) being in line with the first transmission line (2A) and located on an opposite side of the opening of the cavity (4A).The second conducting block section (20A) acts as a lid in an assembled state of the packaging structure. One of the conducting block sections is provided with a high impedance surface (15A)in a transition region along or facing the first (2A) and second (11A) transmission lines, a narrow gap being provided between the high impedance surface region (15A) and the opposing surface of the other conducting block section (10A)at least in the transition region such that the transition will be contactless without any galvanic contact between the first and second transmission lines(2A,11A).A high frequency packaging structure (100;200;300; 400;500;600;700;800) comprising at least one transition between a first transmission line (2A;...;2H) and a second transmission line (11 A; ... ; 11F;2G' ; 11H), said first transmission line being a planar transmission line, the packaging structure comprising a split-block assembly with a first conducting block section (10A;10B;10C;10D,10D;10E;10F;10G;10H) and a second conducting block section (20A;20B;20C;20D;20E;20F;20G;20H) and at least one input/output port,characterized inthat the first transmission line (2A;...;2H) is arranged on a substrate or forms part of a circuit arrangement arranged on a substrate, e.g. an MMIC (1 A; ... ; 1H), disposed on the first conducting block section (10A;... ;10H) and comprises or is connected to a coupling section (3A;.. ;3H), that the first conducting block section (10A;... ;10H) further, for the, or each, transition, comprises a cavity (4A; ... ;4H) with a cavity opening in an upper surface of the first conducting block section (10A;...;10H), that the first transmission line (2A;...;2H) is so arranged that the coupling section (3A;...;3H) will be located in the cavity (4A;...;4H) opening in an assembled state of the split- block assembly, the second transmission line (11A;...;11F;2G';11H) being arranged in line with the first transmission line (2A;...;2H) on an opposite side of the cavity (4A;...;4H) opening for providing a transition between the first and second transmission lines, that the second conducting block section (20 A;... ;20H) is arranged to act as a lid or a cover in an assembled state of the packaging structure, that one of the conducting block sections is provided with an high impedance or AMC surface region (15A;...;15H), e.g. comprising a periodic or a quasi-periodic structure, arranged along or facing the first (2A;...;2H) and second (11A;...;11F;2G';11H) transmission lines at the transition and there being a narrow gap between the high impedance or AMC surface region (15A;...;15H) and an opposing surface of the other conducting block section (10A;... ;10H) in the assembled state of the split-block assembly at least in the transition region such that the, or each, transition between a said first transmission line (2A; ... ;2H) and a said second transmission line (HA;...;llF;2G';llH)being contactless without any galvanic contact between the first transmission line (2A;...;2H) and the second transmission line (11A;...;11F;2G';11H).
비접촉 인터페이스를 형성하는 적어도 하나의 천이부를 포함하는 패키징 구조체본 발명은, 제1 및 제2 전도성 블록 섹션(10A, 20A)을 갖는 분할 블록 어셈블리 및 제1 평면 전송 라인(2A)과 제2 전송 라인(11A) 사이의 적어도 하나의 천이부, 및 하나 이상의 입력/출력 포트를 포함하는 패키징 구조체(100)에 관한 것이다. 제1 전송 라인(2A)은, 제1 전도성 블록 섹션(10A) 상에 배치되는 기판, 예를 들면, MMIC(1A) 상에 배치되고 커플링 섹션(3A)을 포함하며, 제1 전도성 블록(10A)은, 분할 블록 어셈블리의 조립된 상태에서, 커플링 섹션(3A)이, 캐비티(4A)의 개구 위에, 또는 내에 위치하도록 그렇게 배치되는 캐비티 개구를 갖는 캐비티(4A)를 제1 전도성 블록 섹션(10A)의 상부 표면 내에 포함하며, 상기 제2 전송 라인(11A)은 제1 전송 라인(2A)과 일직선 상에 있고 캐비티(4A)의 개구의 대향 측 상에 위치한다. 제2 전도성 블록 섹션(20A)은 패키징 구조체의 조립된 상태에서 덮개로서 작용한다. 전도성 블록 섹션 중 하나는, 천이부 영역에서, 제1 전송 라인(2A) 및 제2 전송 라인(11A)을 따라 또는 그와 대향하는 고 임피던스 표면(15A)을 구비하며, 적어도 천이부 영역에서 고 임피던스 표면 영역(15A)과 다른 전도성 블록 섹션(10A)의 대향 표면 사이에 폭이 좁은 갭이 제공되고, 그 결과 천이부는 제1 및 제2 전송 라인(2A, 11A) 사이에 어떠한 갈바닉 접촉도 없이 비접촉으로 될 것이다.제1 전송 라인(2A; ..., 2H)과 제2 전송 라인(11A; ...; 11F; 2G'; 11H) 사이에 적어도 하나의 천이부(transition)를 포함하는 고주파 패키징 구조체(100; 200; 300; 400; 500; 600; 700; 800)에 있어서, 상기 제1 전송 라인은 평면의 전송 라인이고, 상기 패키징 구조체는, 제1 전도성 블록 섹션(10A; 10B; 10C; 10D, 10D; 10E; 10F; 10G; 10H) 및 제2 전도성 블록 섹션(20A; 20B; 20C; 20D; 20E; 20F; 20G; 20H)을 갖는 분할 블록 어셈블리 및 적어도 하나의 입력/출력 포트를 포함하고,상기 제1 전송 라인(2A; ...; 2H)은 기판 상에 배치되거나 또는 기판 상에 배치되는 회로 장치(circuit arrangement), 예를 들면, 상기 제1 전도성 블록 섹션(10A; ...; 10H) 상에 배치되는 MMIC(1A; ...; 1H)의 일부를 형성하고, 커플링 섹션(3A; ...; 3H)을 포함하거나 또는 커플링 섹션(3A; ...; 3H)에 연결되는 것, 상기 제1 전도성 블록 섹션(10A; ...; 10H)은, 상기, 또는 각각의 천이부에 대해, 상기 제1 전도성 블록 섹션(10A; ...; 10H)의 상부 표면에 캐비티 개구를 갖는 캐비티(4A; ...; 4H)를 더 포함하는 것, 상기 제1 전송 라인(2A; ...; 2H)은, 상기 커플링 섹션(3A; ...; 3H)이 상기 분할 블록 어셈블리의 조립된 상태에서 상기 캐비티(4A; ...; 4H) 개구 내에 위치하도록 배치되며, 상기 제2 전송 라인(11A; ...; 11F; 2G'; 11H)은, 상기 제1 전송 라인과 상기 제2 전송 라인 사이에 천이부를 제공하기 위해 상기 캐비티(4A; ...; 4H) 개구의 대향 측 상에서 상기 제1 전송 라인(2A; ...; 2H)과 일렬로 배치되는 것, 상기 제2 전도성 블록 섹션(20A; ...; 20H)은, 상기 패키징 구조체의 조립된 상태에서 덮개 또는 커버로서 작용하도록 배치되는 것, 상기 전도성 블록 섹션 중 하나는, 예를 들면, 주기적 또는 준 주기적(quasi-periodic) 구조체를 포함하며, 상기 천이부에서 상기 제1 전송 라인(2A; ...; 2H) 및 제2 전송 라인(11A; ...; 11F; 2G'; 11H)을 따라 배치되거나 또는 상기 제1 전송 라인(2A; ...; 2H) 및 제2 전송 라인(11A; ...; 11F; 2G'; 11H)과 대향하는 고 임피던스 또는 AMC 표면 영역(15A; ...; 15H)을 구비하며, 상기 제1 전송 라인(2A; ...; 2H)과 상기 제2 전송 라인(HA; ...; 11F; 2G'; 11H) 사이의 상기, 또는 각각의 천이부가, 상기 제1 전송 라인(2A; ...; 2H)과 상기 제2 전송 라인(11A; ...; 11F; 2G'; 11H) 사이에 어떠한 갈바닉 접촉(galvanic contact)도 없이 비접촉이도록, 적어도 상기 천이부 영역에서 상기 고 임피던스 또는 AMC 표면 영역(15A; ...; 15H)과 상기 분할 블록 어셈블리의 상기 조립된 상태에서의 다른 전도성 블록 섹션(10A; ...; 10H)의 대향 표면 사이에 폭이 좁은 갭이 존재하는 것을 특징으로 하는 고주파 패키징 구조체(100; 200; 300; 400; 500; 600; 700; 800).