Optical sensor with narrow angular responseThe present invention relates to an optical sensor based on CMOS technology and comprising: a semiconductor substrate (21,31); an array of photocells (2,3), each of which includes a respective photodetector active area (11,12,22,32) that is formed in the semiconductor substrate (21,31) and is exposed on a given planar surface (13) of said semiconductor substrate (21,31), each photocell (2,3) beingdesigned to provide a respective output electrical signal related to incident light impinging on the respective photodetector active area (11,12,22,32); a multilayer structure (23,33), that includesmetal and dielectric layers and is formed on the given planar surface (13) of the semiconductor substrate (21,31); and light shielding means (14,15,24,35), that are formed in or on the multilayer structure (23,33) and are made of one or more materials reflecting and/or absorbing incident light impinging on said light shielding means (14,15,24,35); wherein each photodetector active area (11,12,22,32) is associated with a corresponding optical path (26,36) extending through the light shielding means (14,15,24,35) and directed towards said photodetector active area (11,12,22,32) to allow incidentlight with incident direction falling within a given direction range to reach said photodetector active area (11,12,22,32). The optical sensor is characterized in that: all the photocells (2,3) are connected in parallel to provide an overall output electrical signal related to incident light impinging on all the photodetector active areas (11,12,22,32); and all the optical paths (26,36) are parallel to a given direction thereby causing all the photodetector active areas (11,12,22,32) to be reached by incident light with incident direction parallel to said given direction.A kind of optical sensor based on cmos technology, including：semiconductor substrate (21,31)；the array of photovoltaic element (2,3), each described photovoltaic element- include being formed in the semiconductor substrate (21,31) and exposed to the semiconductor substrate (21,31) to allocating corresponding photoelectric detector active area (11,12,22,32) on face surface (13), and- the incident light that is designed to provide on photoelectric detector active area (11,12,22,32) corresponding to being mapped to is relevant corresponding output electric signal；sandwich construction (23,33), including metal layer and dielectric layer, the sandwich construction be formed in the semiconductor substrate (21, 31) on given plane surface (13)；andshading device (14,15,24,35), be formed among or on the sandwich construction (23,33) and by reflection and/ or absorb the one or more materials of incident light penetrated on the shading device and be made；wherein each photodetector active area (11,12,22,32) is with extending through shading device (14,15,24,35) and referring to to the photodetector active area (11,12,22, respective optical path (26,36) 32) it is associated, to allow incident direction to fall into incident light in the range of assigned direction reaches the photodetector active area (11,12,22,32)；it is characterized in that：all photovoltaic elements (2,3) be connected in parallel with provide and incide all photodetector active areas (11,12,22, 32) the related overall output electric signal of incident light on；andall light paths (26,36) enter parallel to given direction so that incident direction is parallel with the assigned direction penetrate light and reach all photodetector active areas (11,12,22,32).
좁은 각도 응답을 갖는 광학 센서본 발명은 CMOS 기술에 기반한 광학 센서에 관한 것으로, 광학 센서는 반도체 기판(21, 31); 각각이 상기 반도체 기판(21, 31)에 형성되며 상기 반도체 기판(21, 31)의 소정의 평평한 표면(13) 상에 노출된 각각의 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)을 포함하고, 각각의 광전지(2, 3)가 상기 각각의 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)에 충돌하는 입사광에 관련된 각각의 출력 전기 신호를 제공하도록 설계된, 광전지(2, 3) 어레이; 금속 및 유전체층을 포함하며, 상기 반도체 기판(21, 31)의 상기 소정의 평평한 표면(13) 상에 형성된 다층 구조체(23, 33); 및 상기 다층 구조체(23, 33) 내에 또는 상에 형성되며 충돌하는 입사광을 반사 및/또는 흡수하는 하나 이상의 물질로 구성된 차광 수단(14, 15, 24, 35);을 포함하며, 상기 각각의 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)은 상기 차광 수단(14, 15, 24, 35)을 통해 연장되며 상기 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)에 도달하는 소정의 방향 범위 내에 속하는 입사 방향을 갖는 입사광을 허용하도록 상기 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 332) 쪽을 향하는 대응되는 광 경로(26, 36)와 연관된다. 상기 광학 센서는, 모든 광전지(2, 3)가 모든 상기 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)에 충돌하는 입사광에 관련된 전체 출력 전기 신호를 제공하도록 병렬로 연결; 및 모든 상기 광 경로(26, 36)는, 모든 상기 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)에 소정의 방향에 평행한 입사 방향을 갖는 입사광이 도달되도록, 상기 소정의 방향에 평행한 것을 특징으로 한다.CMOS 기술에 기반한 광학 센서에 있어서,[이미지] 반도체 기판(21, 31);[이미지] 각각이, 상기 반도체 기판(21, 31)에 형성되며 상기 반도체 기판(21, 31)의 소정의 평탄한 표면(13) 상에 노출된 각각의 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)을 포함하고, 상기 각각의 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)에 충돌하는 입사광에 관련된 각각의 출력 전기 신호를 제공하도록 된, 광전지(2, 3) 어레이;[이미지] 금속 및 유전체층을 포함하며, 상기 반도체 기판(21, 31)의 상기 소정의 평탄한 표면(13) 상에 형성된 다층 구조체(23, 33); 및[이미지] 상기 다층 구조체(23, 33) 내에 또는 상에 형성되고, 충돌하는 입사광을 반사 및/또는 흡수하는 하나 이상의 재료로 구성된 차광 수단(14, 15, 24, 35);을 포함하며,상기 각각의 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)은 상기 차광 수단(14, 15, 24, 35)을 통해 연장되며 상기 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)에 도달하는 소정의 방향 범위 내에 속하는 입사 방향을 갖는 입사광을 허용하도록 상기 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32) 쪽을 향하는 대응되는 광 경로(26, 36)와 연관되며,모든 상기 광전지(2, 3)는 모든 상기 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)에 충돌하는 입사광에 관련된 전체 출력 전기 신호를 제공하도록 병렬로 연결되며,모든 상기 광 경로(26, 36)는, 모든 상기 광검출기 활성 영역(11, 12, 22, 32)에 소정의 방향에 평행한 입사 방향을 갖는 입사광이 도달되도록, 상기 소정의 방향에 평행한 것을 특징으로 하는, 광학 센서.