GAS-BARRIER MULTILAYER FILMA gas-barrier multilayer film including: a base member; and at least one thin film layer formed on at least one surface of the base member, wherein at least one layer of the thin film layer (s) satisfies at least one of the following requirements (A) and (B): [Requirement (A)] the layer contains silicon, oxygen, and carbon, and in a silicon distribution curve, an oxygen distribution curve, and a carbon distribution curve all the following requirements (i) to (iii) are satisfied, each of the silicon distribution curve, the oxygen distribution curve, and the carbon distribution curve representing the relationship between the distance from a surface of the layer in the film thickness direction of the layer and corresponding one of the ratio of the amount of silicon atoms to the total amount of silicon atoms, oxygen atoms, and carbon atoms (the atomic ratio of silicon), the ratio of the amount of oxygen atoms to said total amount (the atomic ratio of oxygen), and the ratio of the amount of carbon atoms to said total amount (the atomic ratio of carbon) : (i) the atomic ratio of silicon, the atomic ratio of oxygen, and the atomic ratio of carbon satisfy, in any region corresponding to 90% or more of the thickness of the layer, a requirement represented by the following formula (1) : atomic ratio of oxygen>atomic ratio of silicon>atomic ratio of carbon or the atomic ratio of silicon, the atomic ratio of oxygen, and the atomic ratio of carbon satisfy, in any region corresponding to 90% or more of the thickness of the layer, a requirement represented by the following formula (2): atomic ratio of carbon>atomic ratio of silicon>atomic ratio of oxygen and (ii) the carbon distribution curve has at least one extremum; and (iii) the absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the atomic ratio of carbon in the carbon distribution curve is 5 at% or greater; and [Requirement (B)] an electron beam transmittance curve has at least one extremum, the electron beam transmittance curve representing the relationship between the distance from a surface of the layer in the film thickness direction of the layer and the electron beam transmittance.A gas-barrier multilayer film comprising: a base member; and at least one thin film layer formed on at least one surface of the base member, wherein at least one layer of the thin film layer (s) satisfies at least one of the following requirements (A) and (B): [Requirement (A)] the layer contains silicon, oxygen, and carbon, and in a silicon distribution curve, an oxygen distribution curve, and a carbon distribution curve all the following requirements (i) to (iii) are satisfied, each of the silicon distribution curve, the oxygen distribution curve, and the carbon distribution curve representing the relationship between the distance from a surface of the layer in the film thickness direction of the layer and corresponding one of the ratio of the amount of silicon atoms to the total amount of silicon atoms, oxygen atoms, and carbon atoms (the atomic ratio of silicon), the ratio of the amount of oxygen atoms to said total amount (the atomic ratio of oxygen), and the ratio of the amount of carbon atoms to said total amount (the atomic ratio of carbon) : (i) the atomic ratio of silicon, the atomic ratio of oxygen, and the atomic ratio of carbon satisfy, in any region corresponding to 90% or more of the thickness of the layer, a requirement represented by the following formula (1): atomic ratio of oxygen>atomic ratio of silicon>atomic ratio of carbon or the atomic ratio of silicon, the atomic ratio of oxygen, and the atomic ratio of carbon satisfy, in any region corresponding to 90% or more of the thickness of the layer, a requirement represented by the following formula (2): atomic ratio of carbon>atomic ratio of silicon>atomic ratio of oxygen and (ii) the carbon distribution curve has at least one extremum; and (iii) the absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the atomic ratio of carbon in the carbon distribution curve is 5 at% or greater; and [Requirement (B)] an electron beam transmittance curve has at least one extremum, the electron beam transmittance curve representing the relationship between the distance from a surface of the layer in the film thickness direction of the layer and the electron beam transmittance.
가스 배리어성 적층 필름기재와, 상기 기재의 적어도 한쪽의 표면 상에 형성된 적어도 1층의 박막층을 구비하는 가스 배리어성 적층 필름이며,상기 박막층 중의 적어도 1층이 하기 조건 (A) 및 (B):[조건 (A)]상기 층이 규소, 산소 및 탄소를 함유하며, 상기 층의 막 두께 방향에서의 상기 층의 표면으로부터의 거리와, 규소 원자, 산소 원자 및 탄소 원자의 합계량에 대한 규소 원자의 양의 비율(규소의 원자비), 산소 원자의 양의 비율(산소의 원자비) 및 탄소 원자의 양의 비율(탄소의 원자비)의 관계를 각각 나타내는 규소 분포 곡선, 산소 분포 곡선 및 탄소 분포 곡선에 있어서, 하기 조건 (i) 내지 (iii):(i) 규소의 원자비, 산소의 원자비 및 탄소의 원자비가 상기 층의 막 두께의 90% 이상의 영역에 있어서 하기 수학식 1로 표시되는 조건을 만족하는 것, 또는 규소의 원자비, 산소의 원자비 및 탄소의 원자비가 상기 층의 막 두께의 90% 이상의 영역에 있어서 하기 수학식 2로 표시되는 조건을 만족하는 것,<수학식 1>(산소의 원자비)>(규소의 원자비)>(탄소의 원자비)<수학식 2>(탄소의 원자비)>(규소의 원자비)>(산소의 원자비)(ii) 상기 탄소 분포 곡선이 적어도 1개의 극값을 갖는 것,(iii) 상기 탄소 분포 곡선에서의 탄소의 원자비의 최대값 및 최소값의 차의 절대값이 5at% 이상인 것을 모두 만족하는 것;[조건 (B)]상기 층의 막 두께 방향에서의 상기 층의 표면으로부터의 거리와 전자선 투과도의 관계를 나타내는 전자선 투과도 곡선이 적어도 1개의 극값을 갖는 것;중 적어도 하나의 조건을 만족하는 가스 배리어성 적층 필름.기재와, 상기 기재의 적어도 한쪽의 표면 상에 형성된 적어도 1층의 박막층을 구비하는 가스 배리어성 적층 필름이며,상기 박막층 중의 적어도 1층이 하기 조건 (A) 및 (B):[조건 (A)]상기 층이 규소, 산소 및 탄소를 함유하며, 상기 층의 막 두께 방향에서의 상기 층의 표면으로부터의 거리와, 규소 원자, 산소 원자 및 탄소 원자의 합계량에 대한 규소 원자의 양의 비율(규소의 원자비), 산소 원자의 양의 비율(산소의 원자비) 및 탄소 원자의 양의 비율(탄소의 원자비)의 관계를 각각 나타내는 규소 분포 곡선, 산소 분포 곡선 및 탄소 분포 곡선에 있어서, 하기 조건 (i) 내지 (iii):(i) 규소의 원자비, 산소의 원자비 및 탄소의 원자비가 상기 층의 막 두께의 90% 이상의 영역에 있어서 하기 수학식 1로 표시되는 조건을 만족하는 것, 또는 규소의 원자비, 산소의 원자비 및 탄소의 원자비가 상기 층의 막 두께의 90% 이상의 영역에 있어서 하기 수학식 2로 표시되는 조건을 만족하는 것,<수학식 1>(산소의 원자비)>(규소의 원자비)>(탄소의 원자비)<수학식 2>(탄소의 원자비)>(규소의 원자비)>(산소의 원자비)(ii) 상기 탄소 분포 곡선이 적어도 1개의 극값을 갖는 것,(iii) 상기 탄소 분포 곡선에서의 탄소의 원자비의 최대값 및 최소값의 차의 절대값이 5at% 이상인 것을 모두 만족하는 것;[조건 (B)]상기 층의 막 두께 방향에서의 상기 층의 표면으로부터의 거리와 전자선 투과도의 관계를 나타내는 전자선 투과도 곡선이 적어도 1개의 극값을 갖는 것;중 적어도 하나의 조건을 만족하는 가스 배리어성 적층 필름.