Solid imaging deviceA solid imaging device having an island shape semiconductor (1a) is provided. The island shape semiconductor (1a) has: a first semiconductor N+ region (2) formed on a substrate, a second semiconductor P region (3) formed on the region (2), a third semiconductor region (6a, 6b) formed on an upper side region of region (3), an insulation layer (4a, 4b) formed on the peripheral part of a lower side region of region (6a, 6b) and region (2), a gate conductor layer (5a, 5b) formed on an outer periphery of the insulation layer (4a, 4b) and functioning as a gate electrode forming a channel in the lower region of region (2), a light reflection conductor layer (9a, 9b) formed in an outer periphery of the insulation layer (4a, 4b), a fifth semiconductor P+ region (10) formed on region (3) and region (6a, 6b), and a micro lens (11) formed on region (10); and having a focus positioned on the vicinity of an upper surface of region (10).A solid photographic device has a plurality of pixels and is arranged in two-dimentional shape, it is characterized in that, on substrate, is formed with a plurality of island semiconductors that constitute said a plurality of pixels:said each island semiconductor has respectively:the 1st semiconductor regions is formed at this island semiconductor bottom;the 2nd semiconductor regions is formed on said the 1st semiconductor regions and is conductivity type or the proper semiconductor opposite with said the 1st semiconductor applications;the 3rd semiconductor regions, be formed at said the 2nd semiconductor regions upper side zone and for and the identical conductivity type of said the 1st semiconductor regions;the 4th semiconductor regions, be formed at said the 3rd semiconductor regions peripheral part and for and the opposite conductivity type of said the 1st semiconductor regions;insulating barrier is formed at the peripheral part in the lower side zone of said the 4th semiconductor regions and said the 2nd semiconductor regions;conductor layer is formed at the peripheral part of said insulating barrier, and forms the gate electrode of raceway groove and bring into play function as the lower area in said the 2nd semiconductor regions;reflect conductor layer, be formed at the peripheral part of said the 3rd semiconductor regions, said the 4th semiconductor regions and said insulating barrier, and the reflect electromagnetic energy ripple;the 5th semiconductor regions is formed at the upper area of said the 2nd semiconductor regions and said the 3rd semiconductor regions, and is and the identical conductivity type of said the 4th semiconductor regions; andlenticule is formed on said the 5th semiconductor applications, near the position of focus the 5th semiconductor regions upper surface;said island semiconductor contains: the position of bringing into play function as photoelectric conversion department; accumulate portion and the position of bringing into play function as signal charge; the position of bringing into play function as the signal charge reading part; and the position of bringing into play function as accumulating signal charge removal portion;said photoelectric conversion department is made up of the photodiode area that constitutes with said the 2nd semiconductor regions and said the 3rd semiconductor regions, produces signal charge through being incident to said lenticular electromagnetic energy wave in said photoelectric conversion department;the said signal charge portion of accumulating is made up of said the 3rd semiconductor regions and the signal charge that will in said photoelectric conversion department, produce is accumulated:said signal charge reading part by with the lower area of said the 5th semiconductor regions, said the 2nd semiconductor regions as drain electrode or source electrode; and the portion of accumulating is constituted by the joint transistor of grid with said signal charge, and with will be corresponding to being accumulated in that said signal charge is accumulated the signal charge amount of portion and the mode that the drain interpolar electric current that between said joint transistor drain and source electrode, flows that changes reads as the output signal is brought into play function;said accumulate signal charge removal portion by with said the 1st semiconductor regions as drain electrode, with said conductor layer as grid, with said the 3rd semiconductor regions as source electrode, constitute with said the 2nd semiconductor regions of being seized on both sides by the arms mos transistor as raceway groove by said the 1st semiconductor regions and said the 3rd semiconductor regions, and will accumulate the mode that the signal charge of accumulating portion in said signal charge is removed to said the 1st semiconductor regions through applying predetermined voltage and bring into play function in said conductor layer.
고체 촬상 장치화소를 구성하는 섬 형상 반도체(1a)는, 기판상에 형성된 제1 반도체 N+영역(2)과, 영역(2) 상에 형성된 제2 반도체 P영역(3)과, 영역(3)의 상부 측면 영역에 형성된 제3 반도체 N영역(6a, 6b)과, 영역(6a, 6b) 및 영역(2)의 하부 측면 영역의 외주부에 형성된 절연층(4a, 4b)과, 절연층(4a, 4b)의 외주부에 형성되어, 영역(2)의 하부 영역에 채널을 형성하는 게이트 전극으로서 기능하는 게이트 도체층(5a, 5b)과, 게이트 도체층(5a, 5b)을 제외한 N영역(6a, 6b) 및 절연층(4a, 4b)의 외주부에 형성된 광반사 도체층(9a, 9b)과, 영역(3) 및 영역(6a, 6b) 상에 형성된 제5 반도체 P+영역(10)과, 영역(10) 상에 형성되어, 영역(10)의 상부 표면 부근에 초점이 위치하는 마이크로렌즈(11)를 포함한다. 복수의 화소가 2차원 형상으로 배열된 고체 촬상 장치로서,기판상에 상기 복수의 화소를 구성하는 복수의 섬 형상 반도체가 형성되고,상기 각 섬 형상 반도체는, 각각해당 섬 형상 반도체의 하부에 형성된 제1 반도체 영역과, 상기 제1 반도체 영역상에 형성되어, 상기 제1 반도체 영역과 반대의 도전형 또는 고유반도체인 제2 반도체 영역과, 상기 제2 반도체 영역의 상부 측면 영역에 형성되어, 상기 제1 반도체 영역과 동일한 도전형인 제3 반도체 영역과,상기 제3 반도체 영역의 외주부에 형성되어, 상기 제1 반도체 영역과 반대의 도전형인 제4 반도체 영역과, 상기 제4 반도체 영역 및 상기 제2 반도체 영역의 하부 측면 영역의 외주부에 형성된 절연층과,상기 절연층의 외주부에 형성되어, 상기 제2 반도체 영역의 하부 영역에 채널을 형성하는 게이트 전극으로서 기능하는 도체층과,상기 제3 반도체 영역, 상기 제4 반도체 영역 및 상기 절연층의 외주부에 형성되어, 전자기 에너지파를 반사하는 반사 도체층과,상기 제2 반도체 영역 및 상기 제3 반도체 영역의 상부 영역에 형성되어, 상기 제4 반도체 영역과 동일한 도전형인 제5 반도체 영역과,상기 제5 반도체 영역상에 형성되어, 해당 제5 반도체 영역의 상부 표면 부근에 초점이 위치하는 마이크로렌즈를 포함하고,상기 섬 형상 반도체가 광전 변환부로서 기능하는 부위와, 신호 전하 축적부로서 기능하는 부위와, 신호 전하 읽기부로서 기능하는 부위와, 축적 신호 전하 제거부로서 기능하는 부위를 포함하고 있으며,상기 광전 변환부가 상기 제2 반도체 영역 및 상기 제3 반도체 영역으로 구성된 포토다이오드 영역으로 구성되고, 상기 마이크로렌즈에 입사한 전자기 에너지파에 의해, 상기 광전 변환부에 신호 전하가 발생하고,상기 신호 전하 축적부가 상기 제3 반도체 영역으로 구성되고, 상기 광전 변환부에서 발생한 신호 전하를 축적하며,상기 신호 전하 읽기부가 상기 제5 반도체 영역, 상기 제2 반도체 영역의 하부 영역을 드레인 또는 소스로 하고, 상기 신호 전하 축적부를 게이트로 한 접합 트랜지스터로 구성됨과 함께, 상기 신호 전하 축적부에 축적된 신호 전하의 양에 따라서 변화하는 상기 접합 트랜지스터의 드레인과 소스 사이에 흐르는 드레인?소스간 전류를 출력 신호로서 읽어내도록 기능하고,상기 축적 신호 전하 제거부가 상기 제1 반도체 영역을 드레인으로, 상기 도체층을 게이트로, 상기 제3 반도체 영역을 소스로, 상기 제1 반도체 영역과 상기 제3 반도체 영역 사이에 끼워진 상기 제2 반도체 영역을 채널로 한 MOS 트랜지스터로 구성되고, 상기 도체층에 소정의 전압을 인가함으로써 상기 신호 전하 축적부에 축적된 신호 전하를 상기 제1 반도체 영역으로 제거하도록 기능하는것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.