PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC FILMS AND POLYSILICON AND/OR SILICON NITRIDE FILMSCMP process for substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films comprising the steps of (1 ) contacting the substrate with an aqueous composition containing (A) abrasive particles which are positively charged when dispersed in an aqueous medium having a pH in the range of from 3 to 9; (B) a water-soluble or water-dispersible linear or branched alkylene oxide homopolymer or copolymer; and (C) a water-soluble or water-dispersible polymer selected from (c1 ) aliphatic and cycloaliphatic poly(N-vinylamide) homopolymers and copolymers, (c2) homopolymers and copolymers of acrylamide monomers of the general formulas I and II: H2C=C(-R)-C(=0)-N(-R1)(-R2) (I), H2C=C(-R)-C(=0)-R3 (II), wherein the variables have the following meaning R hydrogen atom, fluorine atom, chlorine atom, nitrile group, or organic residue; R1 and R2 hydrogen atom or organic residue; R3 saturated N-heterocyclic ring; (c3) cationic polymeric flocculants; and (c4) mixtures thereof; (2) polishing the substrate until the silicon oxide dielectric film is removed and the polysilicon and/or silicon nitride film is or are exposed exposed.Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films, the said process comprising the steps of(1 ) contacting the substrate at least once with an aqueous polishing composition containing(A) at least one type of abrasive particles which are positively charged when dispersed in an aqueous medium having a pH in the range of from 3 to 9 as evidenced by the electrophoretic mobility;(B) at least one water-soluble or water-dispersible polymer selected from the group consisting of linear and branched alkylene oxide homopolymers and copolymers; and(C) at least one water-soluble or water-dispersible polymer selected from the group consisting of(c1 ) linear and branched , aliphatic and cycloaliphatic poly(N- vinylamide) homopolymers and copolymers,(c2) homopolymers and copolymers of acrylamide monomers of the general formulas I and II:H2C=C(-R)-C(=0)-N(-R1)(-R2) (I), H2C=C(-R)-C(=0)-R3 (II), wherein the variables have the following meaningR hydrogen atom, fluorine atom, chlorine atom, nitrile group, residue comprising or consisting of at least one moiety selected from the group consisting of substituted and unsubstituted aliphatic moieties havi ng 1 to 6 carbon atoms , substituted and unsubstituted cycloaliphatic moieties having 3 to 10 carbon atoms, substituted and unsubstituted aromatic moieties having 6 to 10 carbon atoms;R1 andR2 the same or different from each other and independent of each other hydrogen atom or residue comprising or consisting at least one moiety selected from the group consisting of substituted and unsubstituted aliphatic moieties having 1 to 20 carbon atoms, substituted and unsubstituted cycloaliphatic moieties having 3 to 10 carbon atoms, substituted and unsubstituted aromatic moieties having 6 to 10 carbon atoms; R3 substituted or unsubstituted, saturated heterocyclic ring containing at least one nitrogen atom, the said heterocyclic ring being linked to the carbon atom of the carbonyl moiety via a covalent carbon nitrogen bond;the said homopolymers and copolymers having a weight average molecular weight of less than 100,000 Dalton;(c3) cationic polymeric flocculants having a weight average molecular weight of less than 100,000 Dalton; and(c4) mixtures thereof;(2) polishing the substrate at a temperature and for the time sufficient to remove the silicon oxide dielectric film and expose the polysilicon and/or the silicon nitride film; and(3) removing the polished substrate from the contact with the aqueous polishing composition.The process according to claim 1 , characterized in that has an oxide-to-polysilicon selectivity >50.The process according to claim 1 or 2, characterized in that the abrasive particles (A) contain or consist of ceria.The process according to anyone of the claims 1 to 3, characterized in that the linear and branched alkylene oxide homopolymers and copolymers (B) are selected from the grou p consisti ng of ethyleneoxide and propyleneoxide homopolymers and copolymers.The process according to claim 4, characterized in that it contains polyethylene glycol PEG as the polymer (B).The process according to anyone of the claims 1 to 5, characterized in that the linear or branched, aliphatic or cycloaliphatic poly(N-vinylamide) homopolymers or copolymers (c1 ) are selected from the group consisting of homopolymers and copolymers of aliphatic and cycloaliphatic N-vinylamide monomers selected from the group consisting of N-vinylacetamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylvalerolactam, N-vinylcaprolactam, N-vinylsuccinimide and mixtures thereof. 
산화규소 유전체 필름 및 폴리실리콘 및/또는 질화규소 필름을 함유하는 기판의 화학적 기계적 연마 방법하기 단계를 포함하는, 산화규소 유전체 필름 및 폴리실리콘 및/또는 질화규소 필름을 함유하는 기판의 CMP 방법: (1) 기판을, 하기를 함유하는 수성 연마 조성물과 접촉시키는 단계; (A) 3 내지 9 의 범위의 pH 를 갖는 수성 매질에서 분산될 때 양전하를 띄는 연마제 입자; (B) 수용성 또는 수분산성 선형 또는 분지형 알킬렌 옥시드 단일중합체 및 공중합체; 및 (C) (c1) 지방족 및 시클로지방족 폴리(N-비닐아미드) 단일중합체 및 공중합체, (c2) 화학식 I 및 II : H2C=C(-R)-C(=O)-N(-R1)(-R2) (I), H2C=C(-R)-C(=O)-R3 (II) [식 중, 상기 변수는 하기 의미를 가짐: R 은 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 니트릴기, 또는 유기 잔기이고; R1 및 R2 는 수소 원자 또는 유기 잔기이며; R3 은 포화된 N-헤테로시클릭 고리임]의 아크릴아미드 단량체의 단일중합체 및 공중합체; (c3) 양이온성 중합체 응집제; 및 (c4) 이들의 혼합물로부터 선택되는 수용성 또는 수분산성 중합체; (2) 산화규소 유전체 필름을 제거하고 폴리실리콘 및/또는 질화규소 필름이 노출될 때까지 기판을 연마하는 단계.하기 단계를 포함하는, 산화규소 유전체 및 폴리실리콘 필름을 함유하는 기판의 화학적 기계적 연마 방법:(1) 기판을, 하기를 함유하는 수성 연마 조성물과 1 회 이상 접촉시키는 단계; (A) 전기영동 이동도에 의해 입증된 바와 같이 3 내지 9 의 범위의 pH 를 갖는 수성 매질에서 분산될 때 양전하를 띄는 1 종 이상의 연마제 입자; (B) 선형 또는 분지형 알킬렌 옥시드 단일중합체 및 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 수용성 또는 수분산성 중합체; 및 (C) 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 수용성 또는 수분산성 중합체: (c1) 선형 또는 분지형, 지방족 및 시클로지방족 폴리(N-비닐아미드) 단일중합체 및 공중합체, (c2) 화학식 I 및 II 의 아크릴아미드 단량체의 단일중합체 및 공중합체: H2C=C(-R)-C(=O)-N(-R1)(-R2) (I), H2C=C(-R)-C(=O)-R3 (II), [식 중, 상기 변수는 하기 의미를 가짐: R 은 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 니트릴기, 치환 및 비치환된 탄소수 1 내지 6 의 지방족 부분, 치환 및 비치환된 탄소수 3 내지 10 의 시클로지방족 부분, 치환 및 비치환된 탄소수 6 내지 10 의 방향족 부분으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 부분을 포함하는 또는 상기 부분으로 이루어진 잔기이고; R1 및 R2 는 서로 동일 또는 상이하고, 서로 독립적으로 수소 원자 또는 치환 및 비치환된 탄소수 1 내지 20 의 지방족 부분, 치환 및 비치환된 탄소수 3 내지 10 의 시클로지방족 부분, 치환 및 비치환된 탄소수 6 내지 10 의 방향족 부분으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 이상의 부분을 포함하거나 상기 부분으로 이루어진 잔기이며; R3 은 하나 이상의 질소 원자를 함유하는 치환 또는 비치환, 포화된 헤테로시클릭 고리이고, 상기 헤테로시클릭 고리는 탄소 질소 공유결합을 통해 카르보닐 부분의 탄소 원자에 연결됨]; 상기 단일중합체 및 공중합체의 중량 평균 분자량은 100,000 Dalton 미만임; (c3) 중량 평균 분자량이 100,000 Dalton 미만인 양이온성 중합체 응집제; 및 (c4) 이들의 혼합물;(2) 산화규소 유전체 필름을 제거하고 폴리실리콘 및/또는 질화규소 필름을 노출시키기에 충분한 시간 동안 및 온도에서 기판을 연마하는 단계; 및 (3) 연마된 기판을 수성 연마 조성물로부터 분리시키는 단계.