THERMALLY CONDUCTIVE SILICONE COMPOSITION AND CURED PRODUCT OF SAMEA thermally conductive silicone composition is provided, a cured material from which does not impose stress to IC packages, even left at a high temperature.The silicone composition has a viscosity at 25 degrees C of 10 to 1,000 Pa·s, and comprises (A) 100 parts by mass of an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups per molecule and a dynamic viscosity at 25 degrees C of 10 to 100,000 mm2/s, (B) an organohydrogenpolysiloxane represented by the following formula (1) : wherein n and m are positive integers which meet the equations: 10≦n+m≦100and0.01≦n/m+n≦0.3, R1 is, independently of each other, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, (C) an organohydrogenpolysiloxane represented by the following formula (2): wherein p is a positive integer of from 5 to 1,000, and R2 is, independently of each other, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, (D) an organohydrogenpolysiloxane represented by the following formula (3): wherein k is a positive integer of from 2 to 10; R is, independently of each other, a hydrogen atom or R4, provided that two of R are a hydrogen atom, wherein R4 is a group bonded to a silicon atom via a carbon atom or via a carbon atom and an oxygen atom and has a group selected from an epoxy group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an ether group and a trialkoxysilyl group. R3 is, independently of each other, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, (E) 400 to 3, 000 parts by mass of a thermally conductive filler, (F) a catalytic amount of a platinum group metal catalyst, and (G) 0.01 to 1 part by mass of a reaction retardant, wherein amounts of components (B), (C) and (D) meet the following conditions: a ratio, [the total number of Si-H groups in components (B), (C) and (D)]/[the number of alkenyl groups in component (A)], is in a range of 0.6 to 1.5; a ratio, [the total number of Si-H groups in components (C) and (D)]/[the number of Si-H groups in component (B)], is in a range of 1 to 10; and a ratio, [the number of Si-H groups in component (C)]/[the number of Si-H groups in component (D)], is in a range of 1 to 10. The present invention also provides a semi-conductor device provided with a cured material obtained by curing the aforesaid composition.A silicone composition having a viscosity at 25 degrees C of 10 to 1,000 Pa·s, and comprising (A) 100 parts by mass of an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups per molecule and a dynamic viscosity at 25 degrees C of 10 to 100,000 mm2/s, (B) an organohydrogenpolysiloxane represented by the following formula (1):  wherein n and m are positive integers which meet the equations: 10≦n+m≦100and0.01≦n/m+n≦0.3,and R1 is, independently of each other, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, (C) an organohydrogenpolysiloxane represented by the following formula (2):  wherein p is a positive integer of from 5 to 1,000, and R2 is, independently of each other, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, (D) an organohydrogenpolysiloxane represented by the following formula (3):  wherein k is a positive integer of from 2 to 10; R is, independently of each other, a hydrogen atom or R4, provided that two of R are a hydrogen atom, wherein R4 is a group bonded to a silicon atom via a carbon atom or via a carbon atom and an oxygen atom and has a group selected from an epoxy group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an ether group and a trialkoxysilyl group. R3 is, independently of each other, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, (E) 400 to 3, 000 parts by mass of a thermally conductive filler, (F) a catalytic amount of a platinum group metal catalyst, and (G) 0.01 to 1 part by mass of a reaction retardant, wherein amounts of components (B), (C) and (D) meet the following conditions: a ratio, [the total number of Si-H groups in components (B), (C) and (D)]/[the number of alkenyl groups in component (A)], is in a range of 0.6 to 1.5; a ratio, [the total number of Si-H groups in components (C) and (D)]/[the number of Si-H groups in component (B)], is in a range of 1 to 10; and a ratio, [the number of Si-H groups in component (C)]/[the number of Si-H groups in component (D)], is in a range of 1 to 10. The present invention also provides a semi-conductor device provided with a cured material obtained by curing the aforesaid composition.
열전도성 실리콘 조성물 및 그 경화물본 발명은 고온하에서 방치해도 IC 패키지에 스트레스를 주지 않는 경화물을 부여하는 열전도성 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 25℃에서 점도 10~1,000㎩·s를 갖는 실리콘 조성물로, (A) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖고, 25℃에서의 동점도 10~100,000 ㎟/s를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부, (B) 분자 사슬 중에 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는, 화학식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산(화학식 1에서 n, m은 10≤n+m≤100이고, 또한 0.01≤n/(n+m)≤0.3을 만족하는 양의 정수임), (C)분자사슬 양 말단에 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는, 화학식 2로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산, (D) 분자 중에 규소 원자에 결합된 수소 원자 2개와, R4로 표시되는 기를 2개 이상 갖는, 화학식 3으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산(화학식 3에서 R4는 탄소 원자 또는 탄소 원자와 산소 원자를 사이에 두고 규소 원자에 결합되어 있는, 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 에테르기, 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기를 갖는 기임) (E) 열전도성 충전재 400~3,000 질량부 (F) 백금족 금속계 촉매 촉매량, 및 (G) 반응제어제 0.01~1 질량부 를 함유하고, 상기 (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분의 배합량이 [(B)성분, (C)성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(A)성분 유래의 알케닐기의 갯수]가 0.6~1.5의 범위에 있는 값이고, [(C) 성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(B)성분유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값이며, 또한 [(C)성분 유래의 Si-H기의 갯수]/[(D)성분유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값인 양으로, 실리콘 조성물, 및 상기 조성물을 경화하여 얻어진 경화물을 구비하는 반도체 장치를 제공한다.25℃에서 점도 10~1,000 ㎩·s를 갖는 실리콘 조성물로,(A) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖고, 25℃에서의 동점도 10~ 100,000 ㎟/s를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부,(B) 하기 화학식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산(화학식 1)(상기 화학식 1에서, n, m은 10≤n+m≤100이고, 또한 0.01≤n/(n+m)≤0.3을 만족하는 양의 정수이며, R1은 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기임),(C) 하기 화학식 2로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산(화학식 2)(화학식 2에서, p는 5~1000의 범위에 있는 양의 정수이고, R2은 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기이다),(D)하기 화학식 3으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산(화학식 3)(화학식 3에서, k는 2~10의 양의 정수이다. R은 서로 독립적으로, 수소 원자 또는 R4이고, 단, R로 표시되는 기 중 2개는 수소 원자이다. 상기 R4는 탄소 원자 또는 탄소 원자와 산소 원자를 사이에 두고 규소 원자에 결합되어 있는, 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 에테르기, 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기를 갖는 기이다. R3는 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기이다)(E) 열전도성 충전재 400~3,000 질량부(F) 백금족 금속계 촉매 촉매량, 및(G) 반응제어제 0.01~1 질량부를 함유하고,상기 (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분의 배합량이[(B)성분, (C)성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(A)성분 유래의 알케닐기의 갯수]가 0.6~1.5의 범위에 있는 값이고,[(C) 성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(B)성분 유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값이고, 또한[(C)성분 유래의 Si-H기의 갯수]/[(D)성분 유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값인 양인, 실리콘 조성물.