COMPOSITION AND PROCESS FOR SELECTIVELY ETCHING A LAYER COMPRISING AN ALUMINIUM COMPOUND IN THE PRESENCE OF LAYERS OF LOW-K MATERIALS, COPPER AND/OR COBALTA composition for selectively etching a layer comprising an aluminium compound in the presence of a layer of a low-k material and/or a layer comprising copper and/or cobalt is described, and a corresponding use of said composition. Further is described a process for the manufacture of a semiconductor device, comprising the step of selectively etching at least one layer comprising an aluminium compound in the presence of a layer of a low-k material and/or a layer comprising copper and/or cobalt by contacting the at least one layer comprising an aluminium compound with the described composition.A composition comprising: (A) at least one solubilizer, selected from the group consisting ofa compound of formula I: wherein R1 is at least one selected from the group consisting of hydrogen and —C(O)—R2 wherein R2 is selected from the group consisting of hydrogen and alkyl having 1, 2, 3 or 4 carbon atoms;a compound of formula II: wherein R3 is alkyl having 1, 2, 3 or 4 carbon atoms;trimethylamine-N-oxide,triethylamine-N-oxide,triethanolamine-N-oxide,pyridine-N-oxide, andN-ethylpyrrolidine-N-oxide;(B) an etchant comprising fluoride anions;(C) at least one corrosion inhibitor, selected from the group consisting ofbenzotriazole which is unsubstituted or substituted once or twice independently by C1-4-alkyl, amino-C1-4-alkyl, phenyl, thiophenyl, halogen, hydroxy, nitro and/or thiol;ethylene urea, ethylene thiourea, 1,2,4-triazole, 5-aminotetrazole, 5-amino-1,3,4-thiadiazol-2-thiol, 3-amino-1H-1,2,4 triazole, 3,5-diamino-1,2,4-triazole, tolyltriazole, 3-amino-5-mercapto-1,2,4-triazole, 1-amino-1,2,4-triazole, 1-amino-1,2,3-triazole, 1-amino-5-methyl-1,2,3-triazole, 3-mercapto-1,2,4-triazole, 3-isopropyl-1,2,4-triazole, naphthotriazole, 1 H-tetrazole-5-acetic acid, 1-phenyl-2-tetrazoline-5-thione, 4-methyl-2-phenylimidazole, 2-mercaptothiazoline, 2,4-diamino-6-methyl-1,3,5-triazine, thiazole, imidazole, benzimidazole, triazine, methyltetrazole, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,5-pentamethylenetetrazole, 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 2H-imidazole-2-thione, 4-methyl-4H-1,2,4-triazole-3-thiol, 5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol, benzothiazole, tritolyl phosphate, indazole, adenine, cytosine, guanine, thymine, 2,2′-azanediyldiacetic acid, propanethiol, citric acid, ascorbic acid, thiourea, 1,1,3,3-tetramethylurea, urea, uric acid, glycine, dodecylphosphonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, and nitrilotriacetic acid;(D) at least one chelating agent selected from the group consisting of histidine, 1,2-cyclohexylenedinitrilotetraacetic acid, 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedione, acetylacetonate, 2,2′-azanediyldiacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, etidronic acid, methanesulfonic acid, acetylacetone, 1,1,1-trifluoro-2,4-pentanedione, 1,4-benzoquinone, 8-hydroxyquinoline, salicylidene aniline; tetrachloro-1,4-benzoquinone, 2-(2-hydroxyphenyl)-benzoxazol, 2-(2-hydroxyphenyl)-benzothiazole, hydroxyquinoline sulfonic acid, sulfosalicylic acid, salicylic acid, pyridine, 2-ethylpyridine, 2-methoxypyridine, 3-methoxypyridine, 2-picoline, dimethylpyridine, piperidine, piperazine, triethylamine, triethanolamine, ethylamine, methylamine, isobutylamine, tert-butylamine, tributylamine, dipropylamine, dimethylamine, diglycol amine, monoethanolamine, methyldiethanolamine, pyrrole, isoxazole, bipyridine, pyrimidine, pyrazine, pyridazine, quinoline, isoquinoline, indole, 1-methylimidazole, diisopropylamine, diisobutylamine, aniline, pentamethyldiethylenetriamine, acetoacetamide, ammonium carbamate, ammonium pyrrolidinedithiocarbamate, dimethyl malonate, methyl acetoacetate, N-methyl acetoacetamide, tetramethylammonium thiobenzoate, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione, tetramethylthiuram disulfide, lactic acid, ammonium lactate, formic acid, propionic acid, and gamma-butyrolactone; and(G) water.
저-k 물질, 구리 및/또는 코발트의 층의 존재하에서 알루미늄 화합물을 포함하는 층을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 방법저-k 물질의 층 및/또는 구리 및/또는 코발트를 포함하는 층의 존재하에서, 알루미늄 화합물을 포함하는 층을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물, 및 상기 조성물의 상응하는 용도가 개시되어 있다. 또한, 알루미늄 화합물을 포함하는 하나 이상의 층을 상기 기술한 조성물과 접촉시킴으로써, 저-k 물질의 층 및/또는 구리 및/또는 코발트를 포함하는 층의 존재하에서, 알루미늄 화합물을 포함하는 하나 이상의 층을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 기재되어 있다.저-k 물질의 층 및/또는 구리 및/또는 코발트를 포함하는 층의 존재하에서, 알루미늄 화합물을 포함하는 층을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물로서, 하기의 것을 포함하는 조성물:(A) 하기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 가용화제:- 화학식 I 의 화합물:(식 중, R1 은 하기로 이루어진 군에서 선택된다:- 수소 및- -C(O)-R2 (R2 는 수소 및 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬로 이루어진 군에서 선택된다)),- 화학식 II 의 화합물:(식 중, R3 은 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬이다),- 트리메틸아민-N-옥사이드,- 트리에틸아민-N-옥사이드,- 트리에탄올아민-N-옥사이드,- 피리딘-N-옥사이드,- N-에틸피롤리딘-N-옥사이드, 및- 이의 혼합물;(B) 플루오라이드 음이온을 포함하는 하나 이상의 에칭제;(C) 하기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 부식 억제제:미치환되거나 또는 C1-4-알킬, 아미노-C1-4-알킬, 페닐, 티오페닐, 할로겐, 히드록시, 니트로 및/또는 티올로 독립적으로 1 회 또는 2 회 치환되는 벤조트리아졸;에틸렌 우레아, 에틸렌 티오우레아, 1,2,4-트리아졸, 5-아미노테트라졸, 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올, 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸, 3,5-디아미노-1,2,4-트리아졸, 톨릴트리아졸, 3-아미노-5-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 1-아미노-1,2,4-트리아졸, 1-아미노-1,2,3-트리아졸, 1-아미노-5-메틸-1,2,3-트리아졸, 3-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 3-이소프로필-1,2,4-트리아졸, 나프토트리아졸, 1H-테트라졸-5-아세트산, 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온, 4-메틸-2-페닐이미다졸, 2-메르캅토티아졸린, 2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진, 티아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 트리아진, 메틸테트라졸, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,5-펜타메틸렌테트라졸, 1-페닐-5-메르캅토테트라졸, 2H-이미다졸-2-티온, 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올, 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올, 벤조티아졸, 트리톨릴 포스페이트, 인다졸, 아데닌, 시토신, 구아닌, 티민, 2,2'-아잔디일디아세트산, 프로판티올, 시트르산, 아스코르브산, 티오우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 우레아, 요산, 글리신, 도데실포스폰산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 니트릴로트리아세트산;및 이의 혼합물;(D) 히스티딘, 1,2-시클로헥실렌디니트릴로테트라아세트산, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄디온, 아세틸아세토네이트, 2,2'-아잔디일디아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 에티드론산, 메탄술폰산, 아세틸아세톤, 1,1,1-트리플루오로-2,4-펜탄디온, 1,4-벤조퀴논, 8-히드록시퀴놀린, 살리실리덴 아닐린; 테트라클로로-1,4-벤조퀴논, 2-(2-히드록시페닐)-벤족사졸, 2-(2-히드록시페닐)-벤조티아졸, 히드록시퀴놀린 술폰산, 술포살리실산, 살리실산, 피리딘, 2-에틸피리딘, 2-메톡시피리딘, 3-메톡시피리딘, 2-피콜린, 디메틸피리딘, 피페리딘, 피페라진, 트리에틸아민, 트리에탄올아민, 에틸아민, 메틸아민, 이소부틸아민, tert-부틸아민, 트리부틸아민, 디프로필아민, 디메틸아민, 디글리콜 아민, 모노에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 피롤, 이속사졸, 바이피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 인돌, 1-메틸이미다졸, 디이소프로필아민, 디이소부틸아민, 아닐린, 펜타메틸디에틸렌트리아민, 아세토아세트아미드, 암모늄 카르바메이트, 암모늄 피롤리딘디티오카르바메이트, 디메틸 말로네이트, 메틸 아세토아세테이트, N-메틸 아세토아세트아미드, 테트라메틸암모늄 티오벤조에이트, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온, 테트라메틸티우람 디술파이드, 락트산, 암모늄 락테이트, 포름산, 프로피온산, 감마-부티로락톤, 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 킬레이트제;및(G) 물.