Group iii nitride semiconductor laser element, and method of manufacturing group iii nitride semiconductor laser elementDisclosed is a method of manufacturing a group III nitride semiconductor laser element that is both capable of improving evenness in a resonator mirror and also allows minimizing of threshold current. The orientations of scribe grooves (65a) of a substrate product (SP) are aligned with the direction in which an edge (71b) of a support device (71) extends, and the substrate product (SP) is positioned with the edge (71b) of the support device (71) used as a reference. The substrate product (SP) is divided into a first region (70a) and a second region (70b), with a reference line (x-coordinate A1) that extends along the edge (71b) as a boundary therebetween. A severance of the substrate product (SP) is carried out by applying pressure to the second region (70b) of the substrate product (SP) while supporting the first region (70a) with a support face (71a), forming another substrate product (SP1) and a laser bar (LB1). The orientation of an edge (69a) of a breaking device (69) is aligned with the direction in which the edge (71b) extends, and the edge (69a) of the breaking device (69) is pressed on the substrate product (SP) from the direction that intersects a second face (63b).The manufacture method of an iii group-iii nitride semiconductor laser component, it comprises the steps:formation has the substrate product of laser configuration body, and this laser configuration body comprises by hexagonal crystal system iii group-iii nitride semiconductor and consists of and have the substrate of semi-polarity interarea and be formed at semiconductor regions on the above-mentioned semi-polarity interarea;the 1st of delineation aforesaid substrate product forms the delineation mark that extends to a direction of principal axis of above-mentioned hexagonal crystal system iii group-iii nitride semiconductor; andafter forming above-mentioned delineation mark, support the 1st zone of aforesaid substrate product, and do not support the 2nd zone of aforesaid substrate product and to pressing in the 2nd zone, carry out thus the separation of aforesaid substrate product, form another substrate product and laser strip,the aforesaid substrate product is divided into two zones in the above-mentioned the 1st and the 2nd zone by predetermined datum line,the the above-mentioned the 1st and the 2nd zone is adjacent one another are,above-mentioned the 2nd face of pressing the aforesaid substrate product carries out,above-mentioned the 1st is the face of above-mentioned the 2nd opposition side,above-mentioned semiconductor regions between above-mentioned the 1st and aforesaid substrate,above-mentioned laser strip has from above-mentioned the 1st face and extends to above-mentioned the 2nd and the 1st and the 2nd end face that forms by above-mentioned separation,the the above-mentioned the 1st and the 2nd end face consists of the laser resonator of this iii group-iii nitride semiconductor laser component,the aforesaid substrate product comprises anode electrode and the cathode electrode that is arranged on the above-mentioned laser configuration body,the 2nd coating layer that above-mentioned semiconductor regions comprises the 1st coating layer that is made of the 1st conductive type nitride gallium based semiconductor, be made of the 2nd conductive type nitride gallium based semiconductor and be arranged at above-mentioned the 1st coating layer and above-mentioned the 2nd coating layer between active layer,above-mentioned the 1st coating layer, above-mentioned the 2nd coating layer and above-mentioned active layer are arranged along the normal axis of above-mentioned semi-polarity interarea,the relatively above-mentioned normal axis of c-axis of the above-mentioned hexagonal crystal system iii group-iii nitride semiconductor of aforesaid substrate tilts with angle a lpha to the m direction of principal axis of above-mentioned hexagonal crystal system iii group-iii nitride semiconductor,the the above-mentioned the 1st and the 2nd end face intersects with the m-n face of being stipulated by m axle and the above-mentioned normal axis of above-mentioned hexagonal crystal system iii group-iii nitride semiconductor.
Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자 및 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제작하는 방법 공진기 미러에 있어서의 평탄성을 향상 가능함과 함께 임계값 전류의 저감을 가능하게 하는, III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제작하는 방법을 제공한다. 기판 생산물(SP)의 스크라이브 홈(65a)의 방향을 지지 장치(71)의 에지(71b)의 연장방향에 맞추어, 기판 생산물(SP)을 지지 장치(71)의 에지(71b)를 기준으로 하여 위치 결정한다. 에지(71b)를 따라 연장되는 기준선(X 좌표 A1)을 경계로 기판 생산물(SP)은 제1 영역(70a) 및 제2 영역(70b)으로 나누어진다. 기판 생산물(SP)의 제1 영역(70a)을 지지면(70a)에서 지지하면서 제2 영역(70b)으로 압박함으로써 기판 생산물(SP)의 분리를 행하여, 별도의 기판 생산물(SP1) 및 레이저 바(LB1)를 형성한다. 에지(71b)의 연장 방향으로 브레이킹 장치(69)의 에지(69a)의 방향을 맞추어, 제2 면(63b)에 교차하는 방향으로부터 브레이킹 장치(69)의 에지(69a)를 기판 생산물(SP)에 가압한다.III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제작하는 방법으로서, 육방정계 III족 질화물 반도체로 이루어지고 반극성 주면을 갖는 기판과, 상기 반극성 주면 위에 형성된 반도체 영역을 포함하는 레이저 구조체를 갖는 기판 생산물을 형성하는 공정과, 상기 기판 생산물의 제1 면을 스크라이브하여, 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 a축의 방향으로 연장되는 스크라이브 마크를 형성하는 공정과, 상기 스크라이브 마크를 형성한 후에, 상기 기판 생산물의 제1 영역을 지지함과 함께 상기 기판 생산물의 제2 영역을 지지하지 않고서 그 제2 영역으로 압박을 행함으로써 상기 기판 생산물의 분리를 행하여, 별도의 기판 생산물 및 레이저 바를 형성하는 공정을 포함하며, 상기 기판 생산물은 정해진 기준선에 의해서 상기 제1 및 제2 영역의 2개로 나누어지고, 상기 제1 및 제2 영역은 서로 이웃하며, 상기 압박은 상기 기판 생산물의 제2 면에 행해지고, 상기 제1 면은 상기 제2 면의 반대측의 면이며, 상기 반도체 영역은 상기 제1 면과 상기 기판의 사이에 위치하고, 상기 레이저 바는, 상기 제1 면에서 상기 제2 면까지 연장되어 상기 분리에 의해 형성된 제1 및 제2 단부면을 갖고, 상기 제1 및 제2 단부면은 그 III족 질화물 반도체 레이저 소자의 레이저 공진기를 구성하며, 상기 기판 생산물은, 상기 레이저 구조체 위에 마련된 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하고, 상기 반도체 영역은, 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체로 이루어지는 제1 클래드층과, 제2 도전형의 질화갈륨계 반도체로 이루어지는 제2 클래드층과, 상기 제1 클래드층과 상기 제2 클래드층의 사이에 마련된 활성층을 포함하고, 상기 제1 클래드층, 상기 제2 클래드층 및 상기 활성층은, 상기 반극성 주면의 법선축을 따라서 배열되어 있고, 상기 기판의 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 c축은, 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 m축의 방향으로 상기 법선축에 대하여 각도(ALPHA)로 경사져 있고, 상기 제1 및 제2 단부면은, 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 m축 및 상기 법선축에 의해서 규정되는 m-n면에 교차하는 것인 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제작하는 방법. 