ENVIROMENTALLY STABLE, THICK FILM, CHEMICALLY AMPLIFIED RESISTEnvironmentally stable, chemically amplified (CA) positive resist compositions are described. These resist compositions are based on a blend of at least two types of polymer platforms. The first platform is a low activation energy, acetal blocked polyhydroxystyrene (PHS) based resin; the second platform is an acrylate based resin containing a high activation energy acid labile group [such as tertiary-butyl acrylate(t-BA)]. The resist composition also contains a photo-acid generator (PAG), a base quencher, and a surfactant dissolved in a suitable solvent. Also described, is the use of these resist compositions in a method for forming a photoresist relief image on a substrate.Photo-corrosion-resisting agent composition includes:component (1) is included in (i) novolac polymer in the case where acid catalyst is not present, and (ii) is comprising replacing or not substituted hydroxy styrenes and acrylate, methacrylate or acrylate polymerize with the mixture of methacrylate object, the acrylate and/or methacrylate are required overactivity and can be protected with the acid-unstable group of deblocking, and (iii) reaction product formed between the compound selected from vinyl ethers and unsubstituted or substituted unsaturated heteroalicyclyl；component (2) includes at least one heterocyclic thiol compound containing the ring structure selected from following general formula:or its tautomer, ring structures are the single ring architectures with 4-8 atom, or polycyclic with 5-20 atom structure, and wherein single ring architecture or multiring structure include aromatics, non-aromatic or heteroaromatic rings, and wherein x by singly-bound with ring is coupled and selected from by crarb, o, s, se, te and nrcthe group or x of composition be coupled in ring by double bond and selected from by crathe group formed with n, and y is selected from by crathe group formed with n, and wherein ra, rband rcindependently selected from by h, there is 1-8 the substituted alkyl of a carbon atom, the unsubstituted alkyl with 1-8 carbon atom, the substituted alkene with 1-8 carbon atom base, the unsubstituted alkenyl with 1-8 carbon atom, the substituted alkynyl with 1-8 carbon atom have 1-8 carbon atom unsubstituted alkynyl, with 1-20 carbon atom substituted aromatic group, have 1-20 carbon atom substituted heteroaryl race's group, the unsubstituted aromatic group with 1-20 carbon atom and the unsubstituted heteroaromatic base with 1-20 carbon atom group；component (3) includes at least one polymer comprising following formula:wherein r1it is unsubstituted or substituted alkyl radical or unsubstituted or substituted naphthenic base, r2it is hydrogen or c1to c4alkyl, r3it is c1 to c4alkyl or c2to c4alkylenehydroxyl part, r4it is hydrogen or c1to c4alkyl, r5it is hydrogen or c1to c4alkyl, and x, y, z and w is mole % of each type repetitive unit, and wherein x is equal to about 30 to about 40 moles of %, and y is equal to about 60 to about 70 moles of %, z equal to about 0 to about 10 moles of %, wherein the summation of x, y, z and w are equal to 100 moles of %, and the summation of z and w no more than about 10 mole %；component (4), comprising at least one photoacid generator additive, with wavelength between about 365.4nm and about 578.2nm radiation irradiation under, release with pka be equal to or less than -1 strong acid；component (5) includes at least one alkali additive；component (6) includes the optional adhesion promotor selected from novolac polymer or polyvinylalkylethers polymer；component (7) includes solvent.
환경적으로 안정한 후막성 화학증폭형 레지스트본 발명에는 화학적으로 안정한, 화학증폭형(CA) 포지티브 레지스트 조성물이 기술되어 있다. 이 레지스트 조성물은 적어도 2 종류의 중합체 플랫폼의 블렌드를 기초로 한다. 제1 플랫폼은 낮은 활성화 에너지의 아세탈 블록 폴리하이드록시스티렌(PHS)계 수지이고; 제2 플랫폼은 높은 활성화 에너지의 산 반응성기를 함유하는 아크릴레이트계 수지[예컨대, 3급-부틸 아크릴레이트(t-BA)]이다. 또한, 상기 레지스트 조성물은 적절한 용매 중에 용해된 광산 발생제(PAG), 염기 켄처, 계면활성제도 포함한다. 또한, 본 발명에는 기판 상에 포토레지스트 릴리프 이미지를 형성하는 방법에서의 상기 레지스트 조성물의 용도가 기술되어 있다.하기 성분들을 포함하는 포토레지스트 조성물:(i) 노볼락 중합체, (ii) 치환 또는 비치환된 하이드록시스티렌 및 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 아크릴레이트와 메타크릴레이트의 혼합물을 포함하는 중합체로서, 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트가 탈보호를 위해 높은 활성화 에너지를 필요로 하는 산 반응성 기에 의해 보호되는 것인 중합체, 및 (iii) 비닐 에테르 및 비치환 또는 치환된 불포화 헤테로지환족으로부터 선택된 화합물 사이에서 산 촉매의 부재 하에 형성된 반응 생성물을 포함하는 성분(1);하기 일반식에서 선택된 고리 구조를 포함하는 하나 이상의 헤테로시클릭 티올 화합물 또는 이의 호변이성체를 포함하는 성분(2):[이미지](상기 식에서, 고리 구조는 4∼8개의 원자를 갖는 단일 고리 구조, 또는 5∼20개의 원자를 갖는 다중 고리 구조이고, 단일 고리 구조 또는 다중 고리 구조는 방향족, 비방향족, 또는 헤테로방향족 고리를 포함하며, X는 단일 결합에 의해 고리에 연결되고 CRaRb, O, S, Se, Te 및 NRc로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 또는 X는 이중 결합에 의해 고리에 연결되고 CRa 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되며, Y는 CRa 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되고, Ra, Rb 및 Rc는 H, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환된 알킬기, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 알킬기, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환된 알케닐기, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 알케닐기, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환된 알키닐기, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 알키닐기, 1∼20개의 탄소 원자를 갖는 치환된 방향족기, 1∼20개의 탄소 원자를 갖는 치환된 헤테로방향족기, 1∼20개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 방향족기 및 1∼20개의 탄소 원자를 갖는 비치환된 헤테로방향족기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택됨);하기 화학식으로 이루어진 하나 이상의 중합체를 포함하는 성분(3):[이미지](상기 식에서, R1은 비치환되거나 치환된 알킬 또는 비치환되거나 치환된 사이클로알킬이고, R2는 수소 또는 C1 내지 C4 알킬이며, R3은 C1 내지 C4 알킬 또는 C2 내지 C4 알킬렌하이드록시 모이어티이고, R4는 수소 또는 C1 내지 C4 알킬이며, R5는 수소 또는 C1 내지 C4 알킬이고, x, y, z 및 w는 각 유형의 반복 단위의 몰%이며, 여기서 x는 약 30 내지 약 40 몰%이고, y는 약 60 내지 약 70 몰%이며, z는 약 0 내지 약 10 몰%이고, x, y, z 및 w의 합은 100 몰%이며, z 및 w의 합은 약 10 몰%를 초과하지 않음); 약 365.4 nm 내지 약 578.2 nm의 파장을 갖는 방사선 조사시, -1 이하의 pKa를 갖는 강산을 방출하는 하나 이상의 광산 발생제 첨가제를 포함하는 성분(4);하나 이상의 염기 첨가제를 포함하는 성분(5);노볼락 중합체 또는 폴리비닐 알킬 에테르 중합체로부터 선택된 임의의 접착 증진제를 포함하는 성분(6);용매를 포함하는 성분(7).