ESTER-GROUP-CONTAINING COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILMThere is provided a resist underlayer film forming composition for lithography for forming a resist underlayer film usable as a hardmask. A resist underlayer film forming composition for lithography, comprising: as a silane, a hydrolyzable silane, a hydrolysis product thereof, or a hydrolysis-condensation product thereof, wherein the hydrolyzable silane includes a hydrolyzable silane of Formula (1) or a hydrolyzable silane containing a combination of a hydrolyzable silane of Formula (1) with a hydrolyzable silane of Formula (2), and a content of the hydrolyzable silane of Formula (1) or the hydrolyzable silane containing a combination of a hydrolyzable silane of Formula (1) with a hydrolyzable silane of Formula (2) in all silanes is less than 50% by mole,         R1aR2bSi(R3)4-(a+b)     Formula (1) [in Formula (1), R1 is a monovalent organic group containing a group of Formula (1-1), Formula (1-2), Formula (1-3), Formula (1-4), or Formula (1-5):  and a is an integer of 1, b is an integer of 0 or 1, and a + b is an integer of 1 or 2],         R4a1R5b1Si(R6)4-(a1+b1)     Formula (2) [in Formula (2), R4 is a monovalent organic group containing a group of Formula (2-1), Formula (2-2), or Formula (2-3):  and a1 is an integer of 1, b1 is an integer of 0 or 1, and a1 + b1 is an integer of 1 or 2].A resist underlayer film forming composition for lithography, comprising: as a silane, a hydrolyzable silane, a hydrolysis product thereof, or a hydrolysis-condensation product thereof, wherein the hydrolyzable silane includes a hydrolyzable silane of Formula (1) or a hydrolyzable silane containing a combination of a hydrolyzable silane of Formula (1) with a hydrolyzable silane of Formula (2), and a content of the hydrolyzable silane of Formula (1) or the hydrolyzable silane containing a combination of a hydrolyzable silane of Formula (1) with a hydrolyzable silane of Formula (2) in all silanes is less than 50% by mole,         R1aR2bSi(R3)4-(a+b)     Formula (1) [in Formula (1), R1 is a monovalent organic group containing a group of Formula (1-1), Formula (1-2), Formula (1-3), Formula (1-4), or Formula (1-5):  (in Formula (1-1), Formula (1-2), Formula (1-3), Formula (1-4), and Formula (1-5), each of T1, T4, and T7 is an alkylene group, a cyclic alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, a sulfur atom, an oxygen atom, an oxycarbonyl group, an amido group, a secondary amino group, or a combination of these groups and atoms; T2 is an alkyl group; each of T3 and T5 is an aliphatic ring or an aromatic ring; each of T6and T8 is a lactone ring; and n is an integer of 1 or 2) and is bonded to a silicon atom through a Si-C bond; R2 is an alkyl group, an aryl group, a halogenated alkyl group, a halogenated aryl group, an alkenyl group, or an organic group having an epoxy group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a mercapto group, an amino group, or a cyano group, and is bonded to a silicon atom through a Si-C bond; R3 is an alkoxy group, an acyloxy group, or a halogen group; and a is an integer of 1, b is an integer of 0 or 1, and a + b is an integer of 1 or 2],         R4a1R5b1Si(R6)4-(a1+b1)     Formula (2) [in Formula (2), R4 is a monovalent organic group containing a group of Formula (2-1), Formula (2-2), or Formula (2-3):  and is bonded to a silicon atom through a Si-C bond; R5 is an alkyl group, an aryl group, a halogenated alkyl group, a halogenated aryl group, an alkenyl group, or an organic group having an epoxy group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a mercapto group, an amino group, or a cyano group, and is bonded to a silicon atom through a Si-C bond; R6 is an alkoxy group, an acyloxy group, or a halogen group; and a1 is an integer of 1, b1 is an integer of 0 or 1, and a1 + b1 is an integer of 1 or 2].
에스테르기를 갖는 실리콘함유 레지스트 하층막 형성조성물[과제] 하드마스크로서 사용할 수 있는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 리소그래피용 레지스트 하층막 형성조성물을 제공한다. [해결수단] 실란으로서 가수분해성 실란, 그 가수분해물, 또는 그 가수분해 축합물을 포함하고, 이 가수분해성 실란이 식(1), 또는 식(1)과 식(2)의 조합의 실란을 포함하고, 또한 이 식(1), 또는 식(1)과 식(2)의 조합의 실란이 전체 실란에 기초하여 50몰% 미만인, 리소그래피용 레지스트 하층막 형성조성물.  식(1)〔식 중, R1은 식(1-1), 식(1-2), 식(1-3), 식(1-4), 또는 식(1-5): 를 포함하는 유기기이며, a는 1의 정수를 나타내고, b는 0 또는 1의 정수를 나타내고, a+b는 1 또는 2의 정수를 나타낸다.〕, 식(2)〔식 중, R4는 식(2-1), 식(2-2), 또는 식(2-3): 을 포함하는 유기기이며, a1은 1의 정수를 나타내고, b1은 0 또는 1의 정수를 나타내고, a1+b1은 1 또는 2의 정수를 나타낸다.〕.실란으로서 가수분해성 실란, 그 가수분해물, 또는 그 가수분해 축합물을 포함하고, 이 가수분해성 실란이 식(1)로 표시되는 가수분해성 실란, 또는 식(1)로 표시되는 가수분해성 실란과 식(2)로 표시되는 가수분해성 실란의 조합으로 이루어진 가수분해성 실란을 포함하고, 또한 이 식(1)로 표시되는 가수분해성 실란, 또는 식(1)로 표시되는 가수분해성 실란과 식(2)로 표시되는 가수분해성 실란의 조합으로 이루어진 가수분해성 실란이 전체 실란의 50몰% 미만인, 리소그래피용 레지스트 하층막 형성조성물.[화학식 1] 〔식 중, R1은 식(1-1), 식(1-2), 식(1-3), 식(1-4), 또는 식(1-5):[화학식 2](식(1-1), 식(1-2), 식(1-3), 식(1-4), 및 식(1-5) 중, T1, T4 및 T7은 각각 알킬렌기, 환상 알킬렌기, 알케닐렌기, 아릴렌기, 황원자, 산소원자, 옥시카르보닐기, 아미드기, 2급아미노기, 또는 이들의 조합이며, T2는 알킬기이며, T3 및 T5는 각각 지방족환, 또는 방향족환이며, T6 및 T8은 각각 락톤환이다. n은 1 또는 2의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 기를 포함하는 1가의 유기기이며, 또한 Si-C결합에 의해 규소원자와 결합하고 있는 것이다. R2는 알킬기, 아릴기, 할로겐화알킬기, 할로겐화아릴기, 알케닐기, 또는 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 메르캅토기, 아미노기, 혹은 시아노기를 갖는 유기기이며, 또한 Si-C결합에 의해 규소원자와 결합하고 있는 것이다. R3은 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐기이다. a는 1의 정수를 나타내고, b는 0 또는 1의 정수를 나타내고, a+b는 1 또는 2의 정수를 나타낸다.〕,[화학식 3]〔식 중, R4는 식(2-1), 식(2-2), 또는 식(2-3):[화학식 4]로 표시되는 기를 포함하는 1가의 유기기이며, 또한 Si-C결합에 의해 규소원자와 결합하고 있는 것이다. R5는 알킬기, 아릴기, 할로겐화알킬기, 할로겐화아릴기, 알케닐기, 또는 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 메르캅토기, 아미노기, 혹은 시아노기를 갖는 유기기이며, 또한 Si-C결합에 의해 규소원자와 결합하고 있는 것이다. R6은 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐기이다. a1은 1의 정수를 나타내고, b1은 0 또는 1의 정수를 나타내고, a1+b1은 1 또는 2의 정수를 나타낸다.〕.