GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENTOn the semipolar plane of the support base in which the c-axis of the hexagonal III-nitride is inclined toward the m-axis, the III-nitride semiconductor laser device is provided with the laser cavity enabling the reduction in the disturbance of return light. The first fractured face 27 and the second fractured face 29 intersect with the m-n plane. The III-nitride semiconductor laser device 11 has the laser waveguide that extends in the direction of the intersection of the m-n plane of the semipolar plane 17a. The first and second fractured faces 27 and 29 each extend from an edge 13c of the first surface 13a to an edge 13d of the second surface 13b. The first and second fractured faces 27 and 29 are formed without dry etching and are different from the conventional cleaved facets such as c-planes, m-planes, or a-planes. The angle α is different from the angle β, and the angle β is not less than 0.1 degrees.A III-nitride semiconductor laser device comprising: a laser structure including a support base and a semiconductor region, the support base being comprised of a hexagonal III-nitride semiconductor and having a semipolar primary surface, and the semiconductor region being provided on the semipolar primary surface of the support base; and an electrode provided on the semiconductor region of the laser structure, the semiconductor region comprising a first cladding layer comprised of a first conductivity type GaN-based semiconductor, a second cladding layer being comprised of a second conductivity type GaN-based semiconductor, and an active layer provided between the first cladding layer and the second cladding layer, the first cladding layer, the second cladding layer, and the active layer being arranged along an axis normal to the semipolar primary surface, the active layer comprising a GaN-based semiconductor layer, a c-axis of the hexagonal III-nitride semiconductor of the support base being inclined at an angle CALPHA with respect to the normal axis toward an m-axis of the hexagonal III-nitride semiconductor, the laser structure comprising first and second fractured faces, the first and second fractured faces intersecting with an m-n plane defined by the normal axis and the m-axis of the hexagonal III-nitride semiconductor, a laser cavity of the III-nitride semiconductor laser device comprising the first and second fractured faces, the laser structure comprising first and second surfaces, and the first surface being opposite to the second surface, each of the first and second fractured faces extending from an edge of the first surface to an edge of the second surface, and the angle being in one of a range of not less than 45 degrees and not more than 80 degrees and a range of not less than 100 degrees and not more than 135 degrees, the laser structure comprising a laser waveguide on the semipolar primary surface of the support base, the laser waveguide extending in a direction of a waveguide vector, and the waveguide vector extending in a direction from one of the first and second fractured faces to another of the first and second fractured faces, the first fractured face making an angle β with a reference plane perpendicular to the waveguide vector in a first plane, the first plane being perpendicular to the m-n plane, and the angle β being defined on an end face of the support base in the first fractured face, the first fractured face making an angle α with a reference plane perpendicular to the waveguide vector in a second plane, the second plane being perpendicular to the m-n plane, and the angle α being defined on an end face of the active layer in the first fractured face, the angle α being different from the angle β, a sign of the angle α being the same as that of the angle β, and a difference between the angle α and the angle β being not less than 0.1 degrees.
Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자, 및 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제작하는 방법육방정계 III족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면상에 있어서, 피드백 광에 의한 교란의 저감을 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 할단면(27, 29)이 m-n면에 교차한다. III족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, 저임계치 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용하기 위해서, m-n면과 반극성면(17a)의 교차선의 방향으로 연장하는 레이저 도파로를 갖는다. 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 에지(13c)로부터 제2 면(13b)의 에지(13d)까지 연장된다. 할단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 지금까지의 벽개면과는 상이하다. 각도 α는 각도 β와 상이하고, 각도 α와 각도 β의 차이가 0.1도 이상이다.III족 질화물 반도체 레이저 소자로서, 육방정계 III족 질화물 반도체로 이루어지고 반극성 주면(主面)을 갖는 지지 기체, 및 상기 지지 기체의 상기 반극성 주면상에 마련된 반도체 영역을 포함하는 레이저 구조체와, 상기 레이저 구조체의 상기 반도체 영역상에 마련된 전극을 구비하고, 상기 반도체 영역은, 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체로 이루어지는 제1 클래드층과, 제2 도전형의 질화갈륨계 반도체로 이루어지는 제2 클래드층과, 상기 제1 클래드층과 상기 제2 클래드층 사이에 마련된 활성층을 포함하고,상기 제1 클래드층, 상기 제2 클래드층 및 상기 활성층은, 상기 반극성 주면의 법선축을 따라서 배열되어 있고, 상기 활성층은 질화갈륨계 반도체층을 포함하고,상기 지지 기체의 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 c축은, 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 m축의 방향으로 상기 법선축에 대하여 각도(CALPHA)로 경사져 있고,상기 레이저 구조체는, 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 m축 및 상기 법선축에 의해서 규정되는 m-n면에 교차하는 제1 및 제2 할단면을 포함하고, 상기 III족 질화물 반도체 레이저 소자의 레이저 공진기는 상기 제1 및 제2 할단면을 포함하고, 상기 레이저 구조체는 제1 및 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면은 상기 제2 면의 반대측의 면이고, 상기 제1 및 제2 할단면은, 각각 상기 제1 면의 에지로부터 상기 제2 면의 에지까지 연장되고, 상기 법선축과 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 c축이 이루는 각도는, 45도 이상 80도 이하 또는 100도 이상 135도 이하의 범위이고, 상기 레이저 구조체는, 상기 지지 기체의 상기 반극성 주면상에 연장하는 레이저 도파로를 포함하고, 상기 레이저 도파로는, 상기 제1 및 제2 할단면 중 한쪽으로부터 다른 쪽으로의 방향을 향하는 도파로 벡터의 방향으로 연장하고, 상기 제1 할단면은, 상기 m-n면에 직교하는 제1 평면 내에 있어서 상기 도파로 벡터에 직교하는 기준면에 대하여 각도 β로 경사져 있고, 상기 각도 β는, 상기 제1 할단면에 있어서의 상기 지지 기체의 단부면상에 있어서 규정되고, 상기 제1 할단면은, 상기 m-n면에 직교하는 제2 평면 내에서 상기 기준면에 대하여 각도 α로 경사져 있으며, 상기 각도 α는, 상기 제1 할단면에 있어서의 상기 활성층의 단부면상에 있어서 규정되고,상기 각도 α는 상기 각도 β와 상이하고, 상기 각도 α 및 상기 각도 β는 동일한 부호를 가지며, 상기 각도 α와 상기 각도 β의 차이가 0.1도 이상인 것인 III족 질화물 반도체 레이저 소자.