Spin-on inorganic oxide containing composition useful as hard masks and filling materials with improved thermal stabilityThe present invention relates to a composition comprising; components a. c. and d; and optional component b. wherein, component a. is a metal compound having the structure (I), optional component b.,is a polyol additive, having structure (VI), component c. is a high performance polymer additive, and component d. is a solvent. The present invention further relates to using this compositions in methods for manufacturing electronic devices through either the formation of a patterned films of high K material comprised of a metal oxide on a semiconductor substrate, or through the formation of patterned metal oxide comprised layer overlaying a semiconductor substrate which may be used to selectively etch the semiconductor substrate with a fluorine plasma.A composition, comprising:a metal compound having the structure (i):wherein:m is a metal having a valence of four (4);n is an integer from 1 to 20;r1,r2,r3and r4each independently selected from:1) a first organic moiety having structure (ii):wherein:r5is selected from c2-c10alkylene radical, c3-c12branched alkylene radical, c5-c12cycloalkylene radical, c containing a c ═ c double bond2-c10alkylene radicals, containing c ═ c double bonds3-c12branched alkylene, and c containing a c ═ c double bond5-c12a cycloalkylene group; and r is6is hydrogen or alkoxycarbonyl having the structure (iii)wherein r is7is c1-c8an alkyl group;2) a silicon-containing organic moiety having at least 2 carbons and having structure (iv):wherein:r8and r9each independently selected from c1-c8alkyl radical, c3-c12branched alkyl radical, c1-c8alkoxy radical, c3-c12a branched alkoxy group, and c6-c16an aryl group;r10is selected from c1-c8alkyl radical, c6-c16aryl, hydroxyl and siloxane having structure (v):wherein:r11selected from hydrogen, c1-c8alkyl, hydroxy-substituted c1-c8alkyl radical, c6-c16aryl, and a silyl moiety having the structure (iva), wherein r8aand r9aeach independently selected from c1-c8alkyl radical, c3-c12branched alkyl radical, c1-c8alkoxy radical, c3-c12a branched alkoxy group, and c6-c16aryl radical and r10ais selected from c1-c8alkyl, and c6-c16an aryl group;r12and r13each independently selected from c1-c8alkyl radical, c3-c12branched alkyl radical, c1-c8alkoxy radical, c3-c12a branched alkoxy group, and c6-c16an aryl group; and p represents the number of repeating units in the siloxane moiety (v);3) a second organic moiety selected from c2-c8alkyl radical, c2-c8alkylcarboxyl radical, c6-c20aryl carboxyl, fluorenyl carboxyl, fluoro c2-c8alkylcarboxyl radical, c2-c8alkylsulfonyl, fluoro-substituted c2-c8alkylsulfonyl groups and mixtures thereof; and4) mixtures thereof;b optional components comprising a polyol additive having structure (vi):wherein the content of the first and second substances,x is c or n; r is at least 2;q is 0 to 2;provided that when x is c, the sum of q and r is 4, and when x is n, the sum of q and r is 3;r14selected from hydrogen, c1-c8alkyl and c2-c8a hydroxyalkyl group;when x is n, y is c1-c8alkylene, or, when x is c, y is selected from a direct bond, c1-c8alkylene and moieties having structure (vii):wherein the content of the first and second substances,r15is c2-c8an alkylene group;s is 0 to 2; and ist is 1 to 2;c a high performance polymer additive; andd, solvent.
하드 마스크로서 유용한 스핀-온 무기 산화물 함유 조성물 및 개선된 열적 안정성을 지닌 충전 재료본 발명은 성분 (a), (c) 및 (d); 및 임의의 성분(b)을 포함하는 조성물로서, 성분(a)은 하기 구조식(I)을 갖는 금속 화합물이고, 임의의 성분(b)는 하기 구조식(VI)을 갖는 폴리올 첨가제이며, 성분(c)은 고 성능 중합체 첨가제이고, 성분(d)는 용매인 조성물에 관한 것이다. 추가로, 본 발명은, 반도체 기판 상에서의 금속 산화물로 구성된 고 K 물질의 패턴화 필름의 형성을 통해, 또는 반도체 기판을 불소 플라즈마로 선택적 에칭하는데 사용될 수 있는 반도체 기판을 오버레이하는 패턴화 금속 산화물 함유 층의 형성을 통해 반도체 디바이스를 제조하는 방법에서 그러한 조성물을 이용하는 방법에 관한 것이다. [이미지][이미지]하기 (a), (b), (c) 및 (d)를 포함하는 조성물로서,(a) 하기 구조식(I)을 갖는 금속 화합물: [이미지]식 중에서,M은 원자가 4를 갖는 금속이고;n은 1 내지 20의 정수이며;R1, R2, R3, 및 R4는 각각 독립적으로 (1) 하기 구조식(II)을 갖는 제1 유기 모이어티:[이미지]식 중에서, R5는 C2-C10 알킬렌, C3-C12 분지형 알킬렌, C5-C12 시클로알킬렌, C=C 이중 결합을 함유하는 C2-C10 알킬렌, C=C 이중 결합을 함유하는 C3-C12 분지형 알킬렌, 및 C=C 이중 결합을 함유하는 C5-C12 시클로알킬렌로 이루어지는 군으로부터 선택되고;R6은 수소이거나, 또는 하기 구조식(III)을 갖는 알킬옥시카르보닐이고;[이미지]식 중에서, R7은 C1-C8 알킬이다;(2) 적어도 2개의 탄소를 갖고 하기 구조식(IV)을 갖는 규소 함유 유기 모이어티:[이미지]식 중에서,R8 및 R9는 각각 독립적으로 C1-C8 알킬, C3-C12 분지형 알킬, C1-C8 알킬옥시, C3-C12 분지형 알킬옥시, 및 C6-C16 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택되고;R10은 C1-C8 알킬, C6-C16 아릴, 히드록실 및 하기 구조식(V)을 갖는 실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택되며;[이미지]식 중에서,R11은 수소, C1-C8 알킬, 히드록실로 치환된 C1-C8 알킬, C6-C16 아릴, 및 하기 구조식(IVa)을 갖는 실릴 모이어티로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 구조식(IVa)에서 R8a 및 R9a는 각각 독립적으로 C1-C8 알킬, C3-C12 분지형 알킬, C1-C8 알킬옥시, C3-C12 분지형 알킬옥시, 및 C6-C16 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택되며; R10a는 C1-C8 알킬, 및 C6-C16 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택되고;[이미지]R12 및 R13은 각각 독립적으로 C1-C8 알킬, C3-C12 분지형 알킬, C1-C8 알킬옥시, C3-C12 분지형 알킬옥시, 및 C6-C16 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택되며; p는 실록산 모이어티(V)에서 반복 단위의 수를 나타낸다; (3) C2-C8 알킬, C2-C8 알킬 카르복실, C6-C20 아릴 카르복실, 플루오레닐 카르복실, 플루오르화 C2-C8 알킬 카르복실, C2-C8 알킬 설포닐, 플루오르화 C2-C8 알킬 설포닐, 및 이들의 혼합으로 이루어지는 군으로부터 선택된 제2 유기 모이어티; 및(4) 이들의 혼합으로 이루어지는 군으로부터 선택된다; (b) 하기 구조식(VI)을 갖는 폴리올 첨가제로 구성된 임의의 성분:[이미지]식 중에서,X는 C 또는 N이고;r는 적어도 2이며;q는 0 내지 2이고;단, X가 C일 때, q과 r의 합계는 4이고, X가 N일 때, q과 r의 합계는 3이며;R14는 수소, C1-C8 알킬 및 C2-C8 히드록시알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되고;X가 N일 때, Y는 C1-C8 알킬렌이고, 또는 X가 C일 때, Y는 직접 원자가 결합, C1-C8 알킬렌 및 하기 구조식(VII)을 갖는 모이어티로 이루어지는 군으로부터 선택되며;[이미지]식 중에서,R15는 C2-C8 알킬렌이고;s는 0 내지 2이며;t는 1 내지 2이다;(c) 고 성능 중합체 첨가제; 및 (d) 용매.