BONDING STRUCTURE FOR A MICROELECTRONIC ASSEMBLY COMPRISING A HIGH MELTING POINT ALLOY FORMED BY BONDING TWO BOND COMPONENTS EACH COMPRISING A NON-LOW MELTING POINT MATERIAL LAYER COVERING A LOW MELTING POINT MATERIAL LAYER AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHODA microelectronic assembly includes a first substrate having a surface and a first conductive element and a second substrate having a surface and a second conductive element. The assembly further includes an electrically conductive alloy mass joined to the first and second conductive elements. First and second materials of the alloy mass each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element to a relatively lower amount toward the second conductive element, and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element to a relatively lower amount toward the first conductive element.A microelectronic assembly, comprising:a first substrate having a surface and a first conductive element ;a second substrate having a surface and a second conductive element; andan electrically conductive alloy mass joined to the first and second conductive elements, wherein the conductive alloy mass includes a first material, a second material, and a third material, the third material selected to increase the melting point of an alloy including the third material and at least one of the first material or the second material, wherein a concentration of the first material varies from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element to a relatively lower amount toward the second conductive element, and wherein a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element to a relatively lower amount toward the first conductive element.
저-용융점 소재 층을 덮는 비-저-용융점 소재 층을 각각 포함하는 두 개의 본딩 구성요소들을 본딩시킴으로써 형성되는 고-용융점 합금을 포함하는 마이크로전자 조립체용 본딩 구조, 및 이에 대응되는 제조방법마이크로전자 조립체(10, 110, 210, 310, 410)는 제1 도전성 요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)를 구비한 제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912)과 제2 도전성 요소(26, 126, 226, 326, 426)를 구비한 제2 기판(14, 114, 214, 314, 414)을 포함한다. 상기 조립체는, 상기 제1 및 제2 도전성 요소들(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)에 접합되고 제1 소재, 제2 소재, 및 제3 소재를 포함하며 전기적 도전성을 갖는 합금 매스(16, 116)를 더 포함한다. 상기 합금 매스(16, 116)의 제1 소재 및 제2 소재 각각은 상기 합금의 용융점보다 낮은 용융점을 갖는다. 상기 제1 소재의 농도는 제1 도전성 요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) 측 위치에서의 상대적으로 높은 값으로부터 제2 도전성 요소(26, 126, 226, 326, 426) 측의 상대적으로 낮은 값으로 변화하고, 제2 소재의 농도는 제2 도전성 요소(26, 126, 226, 326, 426) 측 위치에서의 상대적으로 높은 값으로부터 제1 도전성 요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) 측의 상대적으로 낮은 값으로 변화한다. 마이크로전자 조립체(10, 110, 210, 310, 410)는: 제1 본딩 구성요소(30, 230, 330, 430)를 가진 제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912)을 제2 본딩 구성요소(40, 240, 340, 440)를 가진 제2 기판(14, 114, 214, 314, 414)과 정렬시켜서 상기 제1 본딩 구성요소(30, 230, 330, 430, 1030)와 제2 본딩 구성요소(40, 240, 340, 440)가 서로에 대해 접촉되도록 하는 단계로서, 상기 제1 본딩 구성요소(30, 230, 330, 430, 1030)는 제1 도전성 요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)에 인접한 제1 소재 층(36, 536, 636, 736, 836, 936), 및 제1 소재 층(36, 536, 636, 736, 836, 936)에 겹쳐지는 제1 보호 층(38, 538, 638, 738, 838, 938)을 포함하고, 상기 제2 본딩 구성요소(40, 240, 340, 440)는 제2 도전성 요소(26)에 인접한 제2 소재 층(46), 및 제2 소재 층(46)에 겹쳐지는 제2 보호 층(48)을 포함하는, 단계; 및 상기 제1 본딩 구성요소(30, 230, 330, 430, 1030)와 제2 본딩 구성요소(40, 240, 340, 440)를 가열함으로써, 상기 제1 소재 층(36, 536, 636, 736, 836, 936)과 제2 소재 층(46)의 적어도 일부분들이 함께 확산되어서, 제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912)과 제2 기판(14, 114, 214, 314, 414)을 서로에 대해 접합시키는 합금 매스(16, 116)를 형성하는, 단계;에 의하여 형성된다. 제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) 상에 형성된 복수의 제1 도전성 요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)들과 제2 기판(14, 114, 214, 314, 414) 상에 형성된 복수의 제2 도전성 요소(26, 126, 226, 326, 426)들은 도전성을 갖는 복수의 합금 매스(16, 116)들에 의하여 접합될 수 있다. 상기 도전성 합금 매스(116)에 의하여 둘러싸일 수 있는 내부 체적은 기밀적으로 밀봉될 수 있다.제1 도전성 요소(first conductive element)와 표면을 구비한 제1 기판(first substrate); 제2 도전성 요소와 표면을 구비한 제2 기판; 및 상기 제1 도전성 요소와 제2 도전성 요소에 접합되고 전기적 도전성을 갖는 합금 매스를 포함하는 마이크로전자 조립체로서, 상기 도전성을 갖는 합금 매스는 제1 소재(first material), 제2 소재, 및 제3 소재를 포함하고, 제3 소재는 제1 소재 또는 제2 소재 중 적어도 하나와 제3 소재를 포함하는 합금의 용융점을 증가시키도록 선택되며,상기 제1 소재의 농도는 제1 도전성 요소 측 위치에서의 상대적으로 높은 값으로부터 제2 도전성 요소 측에서의 상대적으로 낮은 값으로 변화하고, 상기 제2 소재의 농도는 제2 도전성 요소 측 위치에서의 상대적으로 높은 값으로부터 제1 도전성 요소 측에서의 상대적으로 낮은 값으로 변화하는 것을 특징으로 하는, 마이크로전자 조립체.