CLEANING COMPOSITION FOR POST-ETCH OR POST ASH RESIDUE REMOVAL FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND CORRESPONDING MANUFACTURING PROCESSA cleaning composition for post-etch or post ash residue removal from a substrate used in semiconductor industry and a corresponding use of said cleaning composition is described. Further described isa process for the manufacture of a semiconductor device from a semiconductor substrate, comprising the step of post-etch or post ash residue removal from a substrate by contacting the substrate witha cleaning composition according to the invention.A cleaning composition for removing post-etch or post-ash residues from substrates used in the semiconductor industry, comprising or consisting of:(a) one or more etchants comprising fluoride;(b) one or more alkanolamines selected from: monoisopropanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, 2- (2-aminoethylamino) -ethanol, 2- (2-aminoethoxy) -ethanol, 2-aminoethanol, 2- (n-methylamino) ethanol, 2-amino-1-propanol, 2- (2-hydroxyethylamino) ethanol, 2- [ (2-aminoethyl) (2-hydroxyethyl) -amino ] -ethanol, tris- (2-hydroxyethyl) -amine, n-aminoethyl-n '-hydroxyethylethylenediamine, n' -dihydroxyethyl-ethylenediamine, 2- [2- (2-aminoethoxy) -ethylamino ] ethanol, 2- [2- (2-aminoethylamino) -ethoxy ] -ethanol, di-isopropanol, triisopropanolamine, 2- (2-aminoethylamino) -ethanol, 2-aminoethoxy ] -ethanol, di-, 2- [2- (2-aminoethoxy) -ethoxy ] -ethanol, t-butyldiethanolamine, 3-amino-1-propanol, isobutanolamine, 2- (2-aminoethoxy) -propanol, and mixtures thereof;(c) one or more sulfonic acids selected from: methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, butanesulfonic acid, hexanesulfonic acid, 3- (n-morpholino) propanesulfonic acid, 2- (n-morpholino) -ethanesulfonic acid, n-cyclohexyl-2-aminoethanesulfonic acid, 3- [4- (2-hydroxyethyl) -1-piperazinyl ] propanesulfonic acid, n-cyclohexyl-3-amino-propanesulfonic acid, and mixtures thereof;(d) one or more corrosion inhibitors selected from the group consisting of: benzotriazole, 5-methyl-benzotriazole, 1,2, 4-triazole, 5-aminotetrazole, 1-hydroxybenzotriazole, 5-amino-1, 3, 4-thiadiazole-2-thiol, 3-amino-1h-1, 2, 4-triazole, 3, 5-diamino-1, 2, 4-triazole, benzyltriazole, 5-phenyl-benzotriazole, 5-nitro-benzotriazole, 3-amino-5-mercapto-1, 2, 4-triazole, 1-amino-1, 2, 4-triazole, 2- (5-amino-pentyl) -benzotriazole, 1-amino-1, 2, 3-triazole, 1-amino-5-methyl-1, 2, 3-triazole, 3-mercapto-1, 2, 4-triazole, 3-isopropyl-1, 2, 4-triazole, 5-phenyl-thiol-benzotriazole, halobenzotriazoles in which the halo group is selected from the group consisting of fluorine, chlorine, bromine and iodine, naphthalenotriazole, 1h-tetrazole-5-acetic acid, 2-mercaptobenzothiazole, 1-phenyl-2-tetrazoline-5-thione, 2-mercaptobenzimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, 2-mercaptothiazoline, 2, 4-diamino-6-methyl-1, 3, 5-triazine, thiazole, imidazole, benzimidazole, triazine, methyltetrazole, 1, 3-dimethyl-2-imidazolidinone, methyl-2-thiazoline, methyl-1, 3-methyl-2-imidazolidinone, methyl-5-methyl-thiazole, and methyl-, 1, 5-pentylene-tetrazole, 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 2h-imidazole-2-thione, 4-methyl-4h-1, 2, 4-triazole-3-thiol, 5-amino-1, 3, 4-thiadiazole-2-thiol, benzothiazole, tricresyl phosphate, indazole, adenine, cytosine, guanine, thymine, 2' -azanediyldiacetic acid, propanethiol, ascorbic acid, thiourea, ethyleneurea, ethylenethiourea, 1,3, 3-tetramethylurea, urea, uric acid, glycine, dodecylphosphonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, nitrilotriacetic acid, and mixtures thereof;(e) citric acid, and(f) and (3) water.
반도체 기판으로부터 식각 후 또는 애싱 후 잔여물을 제거하는 세정 조성물 및 상응하는 제조 방법반도체 산업에서 사용되는 기판으로부터 식각 후 또는 애싱 후 잔여물을 제거하는 세정 조성물, 및 상기 세정 조성물의 상응하는 용도가 기술된다. 반도체 기판을 본 발명에 따른 세정 조성물과 접촉시켜서 상기 기판으로부터 식각 후 또는 애싱 후 잔여물을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 기판으로부터의 반도체 소자의 제조 방법이 추가로 기술된다.반도체 산업에서 사용되는 기판으로부터 식각 후 또는 애싱 후 잔여물을 제거하는 세정 조성물로서,(A) 플루오르화물을 포함하는 하나 이상의 식각제;(B) 모노이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 2-(2-아미노에틸아미노)-에탄올, 2-(2-아미노에톡시)-에탄올, 2-아미노에탄올, 2-(N-메틸아미노) 에탄올, 2-아미노-1-프로판올, 2-(2-하이드록시에틸아미노)에탄올, 2-[(2-아미노에틸)(2-하이드록시에틸)-아미노]-에탄올, 트리스-(2-하이드록시에틸)-아민, N-아미노에틸-N'-하이드록시에틸-에틸렌디아민, N,N'-디하이드록시에틸-에틸렌디아민, 2-[2-(2-아미노에톡시)-에틸아미노]에탄올, 2-[2-(2-아미노에틸아미노)-에톡시]-에탄올, 2-[2-(2-아미노에톡시)-에톡시]-에탄올, 3차-부틸디에탄올아민, 3-아미노-1-프로판올, 이소부탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)-프로판올 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 알칸올아민; (C) 메탄설폰산, 에탄설폰산, 프로판설폰산, 부탄설폰산, 헥산설폰산, 3-(N-모폴리노)프로판설폰산, 2-(N-모폴리노)에탄설폰산, N-사이클로헥실-2-아미노에탄설폰산, 3-[4-(2-하이드록시에틸)-1-피페라지닐]프로판설폰산, N-사이클로헥실-3-아미노프로판설폰산 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 설폰산;(D) 벤조트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 5-아미노테트라졸, 1-하이드록시벤조트리아졸, 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올, 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸, 3,5-디아미노-1,2,4-트리아졸, 톨릴트리아졸, 5-페닐-벤조트리아졸, 5-니트로-벤조트리아졸, 3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸, 1-아미노-1,2,4-트리아졸, 2-(5-아미노-펜틸)-벤조트리아졸, 1-아미노-1,2,3-트리아졸, 1-아미노-5-메틸-1,2,3-트리아졸, 3-머캅토-1,2,4-트리아졸, 3-이소프로필-1,2,4-트리아졸, 5-페닐티올-벤조트리아졸, 할로벤조트리아졸 (여기서, 할로는 불소, 염소, 브롬 및 요오드로 이루어지는 군으로부터 선택됨); 나프토트리아졸, 1H-테트라졸-5-아세트산, 2-머캅토벤조티아졸, 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온, 2-머캅토벤즈이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸, 2-머캅토티아졸린, 2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진, 티아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 트리아진, 메틸테트라졸, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,5-펜타메틸렌테트라졸, 1-페닐-5-머캅토테트라졸, 2H-이미다졸-2-티온, 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올, 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올, 벤조티아졸, 트리톨릴 포스페이트, 인다졸, 아데닌, 사이토신, 구아닌, 티민, 2,2'-아잔디일디아세트산, 프로판티올, 아스코르브산, 티오우레아, 에틸렌 우레아, 에틸렌 티오우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 우레아, 요산, 글리신, 도데실포스폰산, 옥살산, 말론산, 석신산, 니트릴로트리아세트산 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 부식 억제제;(E) 시트르산, 및(F) 물을 포함하거나 상기 (A) 내지 (F)의 성분으로 이루어지는 세정 조성물.