SEMICONDUCTORS BASED ON SUBSTITUTED [1]BENZOTHIENO[3,2-b][1]-BENZOTHIOPHENESThe present invention relates to compounds of the general formula (I) wherein Z corresponds to - a C1-C22-alkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl), - a C5-C12-cycloalkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups— P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl), - a C6-C14-aryl radical or heteroaryl radical from the group of the thienyl, pyrryl, furyl or pyridyl radicals substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -S03H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl), or - a C7-C30-aralkyl radical optionally substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl) or a trialkylsilyl radical R5R6R7Si, in which R5, R6, R7 independently of each other are identical or different C1-C18-alkyl radicals. The present invention also relates to a semiconductor layer, an electronic component, a process for the production of an electronic component, the electronic component obtainable by this process and the use of compounds of the general formula (I).Compounds of the general formula I)(I)wherein Z corresponds toa Ci-C22-alkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(0)(OR')2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or Ci-Ci2-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = Ci-C18-alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR )3 (R = Q-Q alkyl), a C5-Ci2-cycloalkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(0)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = Q-Cig-alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR )3 (R = Q-Cis-alkyi), a C6-C14-aryl radical or heteroaryl radical from the group of the thienyl, pyrryl, furyl or pyridyl radicals substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(0)(OR!)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or Ci-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = Cj-Cjs-alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = d-ds-alkyl), ora C7-C3o-aralkyl radical optionally substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(0)(OR])2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or d-C12-alkyl), sulphonic acid groups -S03H, halosilyl radicals -SiHalnR 3-n (R = Ci-C18-alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = d-ds-alkyl) ora trialkylsilyl radical R5R6R7Si, in which R5, R6, R7 independently of each other are identical or different d-C18-alkyl radicals.
치환된 [1]벤조티에노[3,2-b][1]-벤조티오펜을 기본으로 하는 반도체본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물에 관한 것이다: [화학식 1] 여기서 Z는 - 할로겐, 포스폰산 또는 포스폰산 에스테르 그룹 -P(O)(OR1)2 (여기서 상기 라디칼 R1은 같거나 다르게 수소 원자 또는 C1-C12-알킬), 술폰산 그룹 -SO3H, 할로실일 라디칼 -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18-알킬, n = 1 내지 3의 정수), 티올 그룹 또는 트리알콕시실일 라디칼 -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-알킬)에 의해 치환된 C1-C22-알킬 라디칼, - 할로겐, 포스폰산 또는 포스폰산 에스테르 그룹 -P(O)(OR1)2 (여기서 상기 라디칼 R1은 같거나 다르게 수소 원자 또는 C1-C12-알킬), 술폰산 그룹 -SO3H, 할로실일 라디칼 -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18-알킬, n = 1 내지 3의 정수), 티올 그룹 또는 트리알콕시실일 라디칼 -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-알킬)에 의해 치환된 C5-C12-시클로알킬 라디칼, - 할로겐, 포스폰산 또는 포스폰산 에스테르 그룹 -P(O)(OR1)2 (여기서 상기 라디칼 R1은 같거나 다르게 수소 원자 또는 C1-C12-알킬), 술폰산 그룹 -SO3H, 할로실일 라디칼 -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18-알킬, n = 1 내지 3의 정수), 티올 그룹 또는 트리알콕시실일 라디칼 -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-알킬)에 의해 치환된 티에닐, 피릴, 퓨릴 또는 피리딜 라디칼의 군으로부터의 C6-C14-아릴 라디칼 또는 헤테로아릴 라디칼, 또는 - 할로겐, 포스폰산 또는 포스폰산 에스테르 그룹 -P(O)(OR1)2 (여기서 상기 라디칼 R1은 같거나 다르게 수소 원자 또는 C1-C12-알킬), 술폰산 그룹 -SO3H, 할로실일 라디칼 -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18-알킬, n = 1 내지 3의 정수), 티올 그룹 또는 트리알콕시실일 라디칼 -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-알킬)에 의해 선택적으로 치환된 C7-C30-아르알킬 라디칼 또는 - 트리알킬실일 라디칼 R5R6R7Si, 여기서 R5, R6, R7은 서로 독립적으로 같거나 다르게 C1-C18-알킬 라디칼이다. 본 발명은 또한 반도체 층, 전자 부품, 전자 부품의 제조방법, 상기 방법으로 얻어질 수 있는 전자 부품 및 상기 화학식 1의 화합물의 사용방법에 관한 것이다.하기 화학식 1로 표시되는 화합물: [화학식 1]여기서 Z는 - 할로겐, 포스폰산 (phosphonic acid) 또는 포스폰산 에스테르 그룹 -P(O)(OR1)2 (여기서 상기 라디칼 (radical) R1은 같거나 다르게 수소 원자 또는 C1-C12-알킬), 술폰산 (sulphonic acid) 그룹 -SO3H, 할로실일 (halosilyl) 라디칼 -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18-알킬, n = 1 내지 3의 정수), 티올 (thiol) 그룹 또는 트리알콕시실일 (trialkoxysilyl) 라디칼 -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-알킬)에 의해 치환된 C1-C22-알킬 라디칼, - 할로겐, 포스폰산 또는 포스폰산 에스테르 그룹 -P(O)(OR1)2 (여기서 상기 라디칼 R1은 같거나 다르게 수소 원자 또는 C1-C12-알킬), 술폰산 그룹 -SO3H, 할로실일 라디칼 -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18-알킬, n = 1 내지 3의 정수), 티올 그룹 또는 트리알콕시실일 라디칼 -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-알킬)에 의해 치환된 C5-C12-시클로알킬 라디칼, - 할로겐, 포스폰산 또는 포스폰산 에스테르 그룹 -P(O)(OR1)2 (여기서 상기 라디칼 R1은 같거나 다르게 수소 원자 또는 C1-C12-알킬), 술폰산 그룹 -SO3H, 할로실일 라디칼 -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18-알킬, n = 1 내지 3의 정수), 티올 그룹 또는 트리알콕시실일 라디칼 -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-알킬)에 의해 치환된 티에닐, 피릴, 퓨릴 (퓨릴) 또는 피리딜 (pyridyl) 라디칼의 군으로부터의 C6-C14-아릴 라디칼 또는 헤테로아릴 (헤테로아릴) 라디칼, 또는- 할로겐, 포스폰산 또는 포스폰산 에스테르 그룹 -P(O)(OR1)2 (여기서 상기 라디칼 R1은 같거나 다르게 수소 원자 또는 C1-C12-알킬), 술폰산 그룹 -SO3H, 할로실일 라디칼 -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18-알킬, n = 1 내지 3의 정수), 티올 그룹 또는 트리알콕시실일 라디칼 -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-알킬)에 의해 선택적으로 치환된 C7-C30-아르알킬 (aralkyl) 라디칼 또는 - 트리알킬실일 (trialkylsilyl) 라디칼 R5R6R7Si, 여기서 R5, R6, R7은 서로 독립적으로 같거나 다르게 C1-C18-알킬 라디칼이다.