Thin film transistor array device, organic el display device, and method for manufacturing thin film transistor array deviceDisclosed is a thin film transistor array device (100) which is provided with: a TFT for driving (10a), which has a first crystalline semiconductor film (5a) configured of crystal grains having a first average crystal grain size; and a TFT for switching(10b), which has a second crystalline semiconductor film (5b) configured of crystal grains having a second average crystal grain size, which is smaller than the first average crystal grain size. The first crystalline semiconductor film (5a) and the second crystalline semiconductor film (5b) are formed by irradiating an amorphous semiconductor film with a laser beam such that the temperature of an amorphous semiconductor film is within a range of 600-1,100 DEG C using the laser beam having Gaussian light intensity distribution. The first crystalline semiconductor film (5a) is formed such that the temperature thereof is within a range of 1,100-1,414 DEG C with the latent heat of the laser radiation. The second crystalline semiconductor film (5b) is formed at the same time when the first crystalline semiconductor film (5a) is formed.Thin film transistor array devices possesses:base material;first grid electrode, it is configured in the top of said base material;second gate electrode, it disposes with said first grid electrode above said base material side by side;gate insulating film, it is configured on said first grid electrode and said second gate electrode;the first crystallinity semiconductor film, it is configured on the said gate insulating film in top of said first grid electrode, is made up of the crystal grain of the first average crystallite particle diameter;the first source electrode and first drain electrode, it is formed on the said first crystallinity semiconductor film;the second crystallinity semiconductor film, it is configured on the said gate insulating film in top of said second gate electrode, is made up of the crystal grain of the second little average crystallite particle diameter of the said first average crystallite particle diameter of average crystallite size ratio; andthe second source electrode and second drain electrode, it is formed on the said second crystallinity semiconductor film,the crystal grain of the said first crystallinity semiconductor film forms through following operation:the 1st operation, the laser that use has the continuous oscillation type of continuous light intensity distributions convex on minor axis and major axis carries out laser radiation to the amorphism semiconductor film, makes the temperature of said amorphism semiconductor film become 600 ℃～1100 ℃ scope;the 2nd operation, corresponding with said 600 ℃～1100 ℃ temperature range, make said amorphism semiconductor film crystallization; andthe 3rd operation; the latent heat that utilization produces when making amorphism semiconductor film crystallization through said laser radiation; make the temperature of said amorphism semiconductor film become 1100 ℃～1414 ℃; corresponding with said 1100 ℃～1414 ℃ temperature range, make said crystallization the crystallization particle diameter of amorphism semiconductor film enlarge, continuous light intensity distributions convex on said major axis is stipulated; so that the zone that becomes because of said latent heat on 1100 ℃～1414 ℃ the said amorphism semiconductor film of temperature range has certain widthfurther, the crystal grain of the said first crystallinity semiconductor film in said the 3rd operation, uses the interior zone of the certain width in the convex continuous light intensity distributions on said major axis stipulate in order to have said certain width to form,the crystal grain of the said second crystallinity semiconductor film, through with said the 1st operation and the identical operation of said the 2nd operation, form through the laser radiation of using in said the 1st operation and said the 2nd operation,further, the crystal grain of the said second crystallinity semiconductor film uses the perimeter of the said certain width in the convex continuous light intensity distributions on said major axis stipulate in order to have said certain width to form.
박막 트랜지스터 어레이 장치, 유기 ＥＬ 표시 장치, 및, 박막 트랜지스터 어레이 장치의 제조 방법박막 트랜지스터 어레이 장치(100)는, 제1 평균 결정 입경의 결정립에 의해 구성된 제1 결정성 반도체막(5a)을 갖는 구동용 TFT(10a)와, 제1 평균 결정 입경보다 평균 결정 입경이 작은 제2 평균 결정 입경인 결정립에 의해 구성된 제2 결정성 반도체막(5b)을 갖는 스위치용 TFT(10b)를 구비한다. 제1 결정성 반도체막(5a)과 제2 결정성 반도체막(5b)은, 가우시안 분포의 광 강도 분포를 갖는 레이저를 이용하여 비결정성 반도체막의 온도가 600℃ 내지 1100℃의 범위가 되도록 비결정성 반도체막을 레이저 조사함으로써 형성되고, 제1 결정성 반도체막(5a)은, 레이저 조사에 의한 잠열에 의해 1100℃ 내지 1414℃의 온도 범위가 되도록 하여 형성된다. 제2 결정성 반도체막(5b)은, 제1 결정성 반도체막(5a)의 형성과 동시에 형성된다.기재(基材)와,상기 기재의 위쪽에 배치된 제1 게이트 전극과,상기 기재의 위쪽이며 상기 제1 게이트 전극과 병설하여 배치된 제2 게이트 전극과,상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극의 위에 배치된 게이트 절연막과,상기 제1 게이트 전극의 위쪽이며, 상기 게이트 절연막 상에 배치된, 제1 평균 결정 입경의 결정립에 의해 구성된 제1 결정성 반도체막과,상기 제1 결정성 반도체막 상에 형성된 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극과,상기 제2 게이트 전극의 위쪽이며, 상기 게이트 절연막 상에 배치된, 상기 제1 평균 결정 입경보다 평균 결정 입경이 작은 제2 평균 결정 입경의 결정립에 의해 구성된 제2 결정성 반도체막과,상기 제2 결정성 반도체막 상에 형성된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 구비하고,상기 제1 결정성 반도체막의 결정립은,단축 및 장축에 있어서 위로 볼록한 연속적인 광 강도 분포를 갖는 연속 발진형의 레이저를 이용하여 비결정성 반도체막의 온도가 600℃ 내지 1100℃의 범위가 되도록 상기 비결정성 반도체막을 레이저 조사하는 제1 공정과,상기 600℃ 내지 1100℃의 온도 범위에 대응하여 상기 비결정성 반도체막을 결정화하는 제2 공정과,상기 레이저 조사에 의해 비결정성 반도체막이 결정화할 때에 생기는 잠열에 의해 상기 비결정성 반도체막의 온도가 1100℃ 내지 1414℃가 되고, 이 1100℃ 내지 1414℃의 온도 범위에 대응하여 상기 결정화한 비결정성 반도체막의 결정 입경을 확대시키는 제3 공정에 의해 형성되며,상기 잠열에 의해 1100℃ 내지 1414℃의 온도 범위가 되는 상기 비결정성 반도체막 상의 영역이 일정한 폭을 갖도록, 상기 장축에 있어서 위로 볼록한 연속적인 광 강도 분포가 규정되어 있고,또한, 상기 제1 결정성 반도체막의 결정립은,상기 제3 공정에 있어서, 상기 일정한 폭을 갖도록 규정된 상기 장축에 있어서 위로 볼록한 연속적인 광 강도 분포에 있어서의 일정한 폭의 내부 영역을 이용하여 형성되며,상기 제2 결정성 반도체막의 결정립은,상기 제1 공정 및 상기 제2 공정과 동일 공정에 의해, 상기 제1 공정 및 상기 제2 공정에서 이용되는 레이저 조사에 의해 형성되고,또한, 상기 제2 결정성 반도체막의 결정립은, 상기 일정한 폭을 갖도록 규정된 상기 장축에 있어서 위로 볼록한 연속적인 광 강도 분포에 있어서의 상기 일정한 폭의 외부 영역을 이용하여 형성되는, 박막 트랜지스터 어레이 장치.