Circuit and a method for the galvanically separated control of a semiconductor switchA circuit arrangement (100) and a method for the DC-isolated driving of a semiconductor switch (400) are presented, wherein the circuit arrangement has a control circuit (101), a driver circuit (102), a transformer (200) for the DC-isolated transfer of a drive signal from the control circuit (101) as switching signal into the driver circuit (102) and means for rectifying (301, 302) the switching signal, wherein the driver circuit (102) contains the semiconductor switch (400) having a gate electrode (401), a source electrode (402) and a drain electrode (403), wherein the semiconductor switch (400) can be switched by a predetermined first voltage between the gate electrode (401) and the source electrode (402), with the result that a predetermined current flows between the drain electrode (403) and the source electrode (402), wherein the switching signal can be applied to the gate electrode (401) in order to switch the semiconductor switch (400), wherein the driver circuit (102) contains a control transistor (320) having a base electrode (321), an emitter electrode (322) and a collector electrode (323), wherein the control transistor (320) can be switched by a predetermined second voltage between the base electrode (321) and the emitter electrode (322), with the result that the gate electrode (401) of the semiconductor switch (400) can be connected to the source electrode (402) of the semiconductor switch (400) via the emitter electrode (322) and the collector electrode (323) in order to change over the semiconductor switch, wherein voltage generating means (350) are provided for generating a third voltage, rectified with respect to the second voltage, between the base electrode (321) and the collector electrode (323) of the control transistor (320). The operation of a semiconductor switch can thus be improved in a simple manner.Be used for controlling the circuit arrangement (100) of semiconductor switch (400) in the mode of current separation,wherein, this circuit arrangement has: control circuit (101), i.e. circuit part on controlled potential; drive circuit (102), i.e. circuit part on the switch current potential; transformer (200) is used for will being transferred to described drive circuit (102) as switching signal from the control signal of described control circuit (101) in the mode of current separation; with the device (301,302) that is used for this switching signal is carried out rectification,wherein, described semiconductor switch (400) with grid (401), source electrode (402) and drain electrode (403) is configured in described drive circuit (102), and can be switched by the first predetermined voltage between described grid (401) and the described source electrode (402), make predetermined current between described drain electrode (403) and described source electrode (402), flowwherein, described switching signal can be applied on the described grid (401), so that switch described semiconductor switch (400),wherein, described drive circuit (102) comprises the control transistor (320) of have base stage (322), emitter stage (322) and colelctor electrode (323); and this control transistor (320) can be switched by the predetermined second voltage between described base stage (321) and the described emitter stage (322); make it possible to by described emitter stage (322) be connected colelctor electrode (323) grid (401) of described semiconductor switch (400) be connected with the source electrode (402) of described semiconductor switch (400); in order to change described semiconductor switchit is characterized in that device for generating voltage (350), be used between the base stage (321) of described oxide-semiconductor control transistors (320) and collector electrode (323), producing tertiary voltage described second voltage commutation.
반도체 스위치의 갈바닉 절연식 제어를 위한 회로 장치 및방법본 발명은 반도체 스위치(400)의 갈바닉 절연식 제어를 위한 방법 및 회로 장치(100)에 관한 것으로, 회로 장치는 제어 회로(101), 드라이버 회로(102), 제어 회로(101)로부터 나온 제어 신호를 스위칭 신호로서 드라이버 회로(102)에 갈바닉 절연식으로 전송하기 위한 변환기(200), 및 스위칭 신호의 정류(301, 302)를 위한 수단을 포함하고, 드라이버 회로(102)는 게이트 전극(401), 소스 전극(402) 및 드레인 전극(403)을 가진 반도체 스위치(400)를 포함하고, 반도체 스위치(400)는 게이트 전극(401)과 드레인 전극(403) 사이에 사전 설정된 제 1 전압에 의해 스위칭될 수 있으므로, 드레인 전극(403)과 소스 전극(402) 사이에 사전 설정된 전류가 흐르고, 반도체 스위치(400) 스위칭하기 위해 스위칭 신호는 게이트 전극(401)에 인가될 수 있고, 드라이버 회로(102)는 제어 트랜지스터(320)을 포함하고, 상기 제어 트랜지스터는 베이스 전극(322), 에미터 전극(322) 및 콜렉터 전극(323)을 갖고, 제어 트랜지스터(320)는 사전 설정된 제 2 전압에 의해 베이스 전극(321)과 에미터 전극(322) 사이에서 스위칭될 수 있고, 따라서 반도체 스위치를 전환하기 위해 에미터 전극(402) 및 콜렉터 전극(323)에 의해 반도체 스위치(400)의 게이트 전극(401)은 반도체 스위치(400)의 소스 전극(402)에 연결될 수 있고, 제어 트랜지스터(320)의 베이스 전극(321)과 콜렉터 전극(323) 사이에 제 2 전압에 대해 정류된 제 3 전압을 발생시키기 위해 전압 발생 수단(350)이 제공된다. 이로써 간단하게 반도체 스위치의 작동이 개선될 수 있다. 반도체 스위치(400)의 갈바닉 절연식 제어를 위한 회로 장치(100)로서, 상기 회로 장치는 제어 회로(101), 즉 제어 전위의 회로 부분, 드라이버 회로(102), 즉 스위치 전위의 회로 부분, 상기 제어 회로(101)로부터 나온 제어 신호를 스위칭 신호로서 상기 드라이버 회로(102)로 갈바닉 절연식으로 전송하기 위한 변환기(200), 및 상기 스위칭 신호의 정류를 위한 수단(301, 302)을 포함하고, 게이트 전극(401), 소스 전극(402) 및 드레인 전극(403)을 포함하는 상기 반도체 스위치(400)가 상기 드라이버 회로(102) 내에 형성되고, 사전 설정된 제 1 전압에 의해 상기 게이트 전극(401)과 상기 소스 전극(402) 사이에서 스위칭 될 수 있고, 사전 설정된 전류가 상기 드레인 전극(403)과 상기 소스 전극(402) 사이에 흐르고, 상기 반도체 스위치(400)를 스위칭하기 위해, 상기 스위칭 신호가 상기 게이트 전극(401)에 인가될 수 있고, 상기 드라이버 회로(102)는 베이스 전극(321), 에미터 전극(322) 및 콜렉터 전극(323)을 가진 제어 트랜지스터(320)를 포함하고, 상기 제어 트랜지스터(320)는 사전 설정된 제 2 전압에 의해 상기 베이스 전극(321)과 상기 에미터 전극(322) 사이에서 스위칭될 수 있고, 상기 반도체 스위치를 스위칭하기 위해, 상기 에미터 전극(322)과 상기 콜렉터 전극(323)을 통해 상기 반도체 스위치(400)의 상기 게이트 전극(401)이 상기 반도체 스위치(400)의 상기 소스 전극(402)에 연결될 수 있는 회로 장치에 있어서, 상기 제어 트랜지스터(320)의 상기 베이스 전극(321)과 상기 콜렉터 전극(323) 사이에 제 2 전압에 대해 정류된 제 3 전압을 발생시키기 위한 전압 발생 수단(350)이 제공되는 것을 특징으로 하는 회로 장치.