PATTERN FORMING METHOD, BASE AGENT AND LAMINATEThe present invention provides a pattern forming method capable of easily and highly accurately forming a phase separation structure even when the application range of the pattern size is enlarged. The present invention relates to a pattern forming method. The pattern forming method comprises the following steps of: a step of applying a primer to a substrate, and a step of applying a self-assembled composition for pattern formation to the primer-applied surface on the substrate and forming a self-assembled film by self-assembly phase separation, wherein the self-assembled composition for pattern formation contains a block copolymer comprising a polymeric moiety a having at least one selected from the group consisting of a structure represented by the general formula (103) and a structure represented by the general formula (104) and a polymeric moiety b having a structure represented by the general formula (105).A kind of pattern forming method, which is characterized in that include the following process:the process that silane coupling agent is coated on substrate, andcoated pattern formation self assembly composition and by from group on the face for being coated with the silane coupling agent on the substrate pretend separation and the process that forms self-assembled film, whereinthe pattern formation self assembly composition contains block copolymer, and the block copolymer includes to have selected from by following the structure that general formula (103) indicates and polymeric part a and tool by least one of the structure of the following general formula (104) expression there is the polymeric part b of the structure indicated by the following general formula (105),relative to the gross mass of the block copolymer, the containing ratio of the saccharide part in the block copolymer be 3 mass % with upper and 80 mass % hereinafter,[chemical formula 1][chemical formula 2][chemical formula 3]in general formula (103) and (104), r1each independently represent hydrogen atom, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, alkane base, acyl group, aryl or phosphoryl, multiple r1it can be the same or different；r5indicate hydrogen atom or alkyl, multiple r5it can phase it is same to can also be different；x1and y1each independently represent singly-bound or linking group, multiple x1it can be the same or different, it is more a y1it can be the same or different；p indicates that 2 or more 3000 integers below, r indicate 0 or more integer, in multiple r extremely the integer of few 1 an or more expression；* label indicate r be 2 or more in the case where with r1in the bonding position of any one, or it indicates to replace r1and and r1the bonding position of any one or expression in the oxygen atom being bonded replace r1and and r1 the bonding position of any one in the oxygen atom being bonded；in general formula (105), w1indicate carbon atom or silicon atom, multiple w1it can be the same or different；w2expression-cr2-、-o-、- s- or-sir2(alkyl that wherein, r indicates hydrogen atom or carbon atom number is 1~5, multiple r can be the same or different), it is more a w2it can be the same or different；r11indicate hydrogen atom, methyl or hydroxyl, multiple r11it can be the same or different；r12table show hydrogen atom, hydroxyl, acetyl group, methoxycarbonyl, aryl or pyridyl group, multiple r12it can be the same or different；q indicates 2 above and 3000 integers below.
패턴 형성 방법, 하지제 및 적층체 기판상에 하지제를 도포하는 공정과, 패턴 형성용 자기 조직화 조성물을 기판 상의 하지제를 도공한 면에 도포하여 자기 조직화 상분리에 의해 자기 조직화막을 형성하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법으로서, 패턴 형성용 자기 조직화 조성물은 식 (103) 및 식 (104)로 나타내는 구조의 적어도 한쪽을 갖는 중합부(a)와, 식 (105)로 나타내는 구조를 갖는 중합부(b)를 포함하고, 당부의 함유율이 3질량％ 이상 80질량％ 이하인 블록 코폴리머를 포함하는 패턴 형성 방법. 식 (103) 및 식 (104)로 나타내는 구조의 적어도 한쪽을 갖는 중합부(a)와, 식 (105)로 나타내는 구조를 갖는 중합부(b)를 포함하고, 당부의 함유율이 3질량％ 이상 80질량％ 이하인 블록 코폴리머를 포함하는 패턴 형성용 자기 조직화 조성물을 상분리시키기 위해 사용되는, 치환기를 가져도 되는 (메타)아크릴레이트 유래 단위 및 치환기를 가져도 되는 스티렌 유래 단위로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 폴리머를 포함하는 하지제. 기판과, 치환기를 가져도 되는 (메타)아크릴레이트 유래 단위 및 치환기를 가져도 되는 스티렌 유래 단위로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 폴리머를 포함하는 하지층과, 식 (103) 및 식 (104)로 나타내는 구조의 적어도 한쪽을 갖는 중합부(a)와, 식 (105)로 나타내는 구조를 갖는 중합부(b)를 포함하고, 당부의 함유율이 3질량％ 이상 80질량％ 이하인 블록 폴리머를 포함하는 패턴 형성층을 이 순서로 갖는 적층체.기판 상에 하지제를 도포하는 공정과,패턴 형성용 자기 조직화 조성물을 상기 기판 상의 상기 하지제를 도공한 면에 도포하여, 자기 조직화 상분리에 의해 자기 조직화막을 형성하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법으로서,상기 패턴 형성용 자기 조직화 조성물은 하기 식 (103)으로 나타내는 구조 및 하기 식 (104)로 나타내는 구조로부터 선택되는 적어도 한쪽을 갖는 중합부(a)와, 하기 식 (105)로 나타내는 구조를 갖는 중합부(b)를 포함하는 블록 코폴리머를 함유하고,상기 블록 코폴리머에 있어서의 당부의 함유율은 상기 블록 코폴리머의 전체 질량에 대해 3질량％ 이상 80질량％ 이하인 패턴 형성 방법:[이미지][이미지][이미지]식 (103) 및 (104) 중, R1은 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 알킬기, 아실기, 아릴기, 또는 포스포릴기를 나타내고, 복수의 R1은 동일해도 상이해도 된다; R5는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 복수의 R5는 동일해도 상이해도 된다; X1 및 Y1은 각각 독립적으로 단결합 또는 연결기를 나타내고, 복수의 X1은 동일해도 상이해도 되며, 복수의 Y1은 동일해도 상이해도 된다; p는 2 이상 3000 이하의 정수를 나타내고, r은 0 이상의 정수를 나타내며, 복수의 r의 적어도 1개는 1 이상의 정수를 나타낸다; ＊표시는 r이 2 이상인 경우 R1 중 어느 1개와의 결합 부위를 나타내거나, 혹은 R1 대신에 R1이 결합되어 있는 산소 원자 중 어느 1개와의 결합 부위를 나타내거나, 혹은 R1 대신에 R1이 결합되어 있는 산소 원자 중 어느 1개와의 결합 부위를 나타낸다;식 (105) 중, W1은 탄소 원자 또는 규소 원자를 나타내고, 복수의 W1은 동일해도 상이해도 된다; W2는 -CR2-, -O-, -S-, 또는 -SiR2-를 나타내고(단, R은 수소 원자 또는 탄소수가 1∼5인 알킬기를 나타내고, 복수의 R은 동일해도 상이해도 된다), 복수의 W2는 동일해도 상이해도 된다; R11은 수소 원자, 메틸기, 또는 수산기를 나타내고, 복수의 R11은 동일해도 상이해도 된다; R12는 수소 원자, 수산기, 아세틸기, 메톡시카르보닐기, 아릴기, 또는 피리딜기를 나타내고, 복수의 R12는 동일해도 상이해도 된다; q는 2 이상 3000 이하의 정수를 나타낸다.