The OLED equipment of firing backward and the method that the brightness of firing backward OLED equipment is homogenizedThe object of the invention is to a kind of OLED equipment (100), comprise-transparent anode (1), be given square resistance R1, and negative electrode (3), be given square resistance R2, ratio r=R2/R1 from 0.01 to 2.5,-at least one anode electrically contacts, contact (5) with the first cathodic electricity, it is given surface, be called contact surface, be disposed on active region (20),-be coated with the reflector (6) of the active region (20) in organic electro luminescent system, and each some B for anode contact (41), described some B is in the given edge of first anode region (40), by be defined in B and contact surface close to the distance D between the some C of described some B, and by being defined between described some B and the some X of the first anode edges of regions relative with the first edge, distance L through C, be defined as follows criterion: if-0.01 < r < 1, 30% < D/L < 48%, if 0.1 < r < 0.5, 10% < D/L < 45%, if-0.5 < r < 1, 10% < D/L < 45%, if 1 < r < 1.5, 5% < D/L < 35%, if-1.5 < r < 2.5, 5% < D/L < 30%.An organic electroluminescent led, be called the equipment (100 to 900) of oled, comprise the transparent substrates with the first interarea (10), comprise stacking, described stackingly sequentially comprise with this beginning from described first surface:-forming the bottom electrode of transparent anode (1), anode is given square resistance r1,-organic electroluminescent system (2) on described anode,-form the top electrode of negative electrode (3), on described organic electroluminescent system, negative electrode (3) is given square resistance r2, and ratio r=r2/r1 from 0.01 to 2.5,so limiting, described anode, organic electroluminescent system and negative electrode be called active common district (20),described oled equipment comprises:-at least one anode electrically contacts, be called as the first adaptive anode contact (41), described the first adaptive anode contact (41) separately or with one or more profiles of delimiting the anode surface first area that is called as first anode region (40) together with adaptive second plate contact (4i) that are called asthe-the first cathodic electricity contact (5), it is:-be disposed on active region (20), partly cover the region of the negative electrode (3) on first anode region,-given surface, is called as contact surface, and be less than the area of active region and be less than the area in first anode region,-at any some place of contact surface, contact second possible adaptive anode contact of (41) and (a plurality of) with the first adaptive anode and diverge to,each some b for the first adaptive anode contact (41) and the second adaptive anode contact (4i) that each is possible, described some b is in the given edge of first anode region (40), by be defined in described some b and contact surface close to the distance d between the some c of described some b, and by being defined between described some b and the some x of the first anode edges of regions relative with the first edge, through the distance l of c, be defined as follows criterion:if-0.01≤r < 0.1,30% < d/l < 48%,if-0.1≤r < 0.5,10% < d/l < 45%,if-0.5≤r < 1,10% < d/l < 45%,if-1≤r < 1.5,5% < d/l < 35%,if-1.5≤r < 2.5,5% < d/l < 30%,and described oled equipment comprises the reflector (6) that covers active region (20) on described organic electroluminescent system (2), away from described first surface (10).
배면 발광 ＯＬＥＤ 소자 및 배면 발광 ＯＬＥＤ 소자의 휘도 균일화 방법본 발명은, 특정 시트 저항(R1)을 갖는 투명 애노드(1) 및 특정 시트 저항(R2)을 갖는 캐소드(3)(비 r=R2/R1는 0.01 내지 2.5임); 적어도 하나의 전기 애노드 콘택, 및 활성 영역(20) 위에 배치된 특정한 소위 콘택 표면을 갖는 제1 전기 캐소드 콘택(5); 및 유기 발광 시스템(Et) 위의 활성 영역(20)을 덮는 반사체(6)를 포함하는 OLED 소자(100)에 관한 것이다. 그리고 애노드 콘택(41)의 각 지점(B)에 있어서, 지점(B)은 제1 애노드 영역(40)의 특정 에지 상에 존재하여, B와, 상기 지점(B)에 가장 가까운 콘택 표면의 지점(C) 간의 거리(D)를 정의하고, 상기 지점(B)과, 제1 에지에 대향하는 제1 애노드 영역 에지의 지점(X) 사이의, C를 통과하는 거리(L)를 정의할 때, 이하의 기준이 정의된다: 0.01＜r＜0.1일 경우, 30%＜D/L＜48%; 0.1＜r＜0.5일 경우, 10%＜D/L＜45%; 0.5＜r＜1일 경우, 10%＜D/L＜45%; 1＜r＜1.5일 경우, 5%＜D/L＜35%; 및 1.5＜r＜2.5일 경우, 5%＜D/L＜30%.제1 주면에서 시작하여,- 투명하며, 특정 시트 저항(R1)의 애노드(1)를 형성하는 하부 전극,- 애노드 위의 유기 발광 시스템(2),- 유기 발광 시스템 위에 특정 시트 저항(R2)의 캐소드(3)를 형성하는 상부 전극 - 비(r=R2/R1)의 범위는 0.01 내지 2.5임 -을 상기 순서로 포함하여, 애노드, 유기 발광 시스템 및 캐소드는 소위 공통 활성 구역(20)을 형성하는 스택을 포함하는 제1 주면(10)을 갖는 투명 기판을 포함하는 소위 유기 발광 다이오드(OLED) 소자(100 내지 900)로서,OLED 소자는,- 제1 맞춤형 애노드 콘택(41)으로 지칭되는 적어도 하나의 애노드 전기 콘택 - 제1 맞춤형 애노드 콘택(41)은 단독으로 또는 하나 이상의 제2의 소위 맞춤형 애노드 콘택(4i)과 함께, 제1 애노드 영역(40)으로 지칭되는 애노드 표면의 제1 영역의 윤곽의 범위를 정함 - - 제1 캐소드 전기 콘택(5)[제1 캐소드 전기 콘택(5)은, - 제1 애노드 영역 위의 캐소드(3) 영역을 부분적으로 덮으면서 활성 구역(20) 위에 배치되고, - 활성 구역의 표면적보다 작고 제1 애노드 영역의 표면적보다 작은, 콘택 표면으로 지칭되는 특정 표면을 갖고, - 콘택 표면의 모든 지점에서, 제1 맞춤형 애노드 콘택(41) 및 선택적으로 제2 맞춤형 애노드 콘택(들)로부터 오프셋(offset)됨]을 포함하며,제1 맞춤형 애노드 콘택(41) 및 선택적인 각 제2 맞춤형 애노드 콘택(4i)의 각 지점(B)에 있어서, 지점(B)은 제1 애노드 영역(40)의 특정 에지에 존재하여, 상기 지점(B)과 상기 지점(B)에 가장 가까운 콘택 표면의 지점(C) 간의 거리(D)를 정의하고, 상기 지점(B)과, 제1 에지로부터 제1 애노드 영역의 대향 에지의 지점(X) 사이의, C를 통과하는 거리(L)를 정의할 때, 이하의 기준이 정의되고:· 0.01≤r＜0.1일 경우, 30%＜D/L＜48%,· 0.1≤r＜0.5일 경우, 10%＜D/L＜45%,· 0.5≤r＜1일 경우, 10%＜D/L＜45%,· 1≤r＜1.5일 경우, 5%＜D/L＜35%,· 1.5≤r＜2.5일 경우, 5%＜D/L＜30%,OLED 소자는 제1면(10)으로부터 떨어져서 유기 발광 시스템(2) 위에 활성 구역(20)을 덮는 반사체(6)를 포함하는,OLED 소자(100 내지 900).