METHOD FOR IMPROVED SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT TOOL PEDESTAL/PAD VIBRATION ISOLATION AND REDUCTIONA method to improve vibration isolation in semiconductor process level inhibits vibration frequencies transmitted through building structure from production tools, pumps, compressors, chillers, AHUs (Air Handling Units), and footfalls traffic on raised floor system on to tool pedestals and pads from affecting semiconductor fabrication processes. Rapid advancement and technological evolution in semiconductor industry foresee the imminent requirements for decrease in semiconductor chip node sizes to single digit nanometer. Dealing with such advancements, the tool pedestal systems are also requiring tighter specifications for stiffness and vibration isolation / reduction. Some key tools used in the semiconductor fabrication process require improved barrier from electromagnetic interference (EMI), as the disturbance from EMI degrade the performance of semiconductor processing tools that are key to the fabrication process and production yield rate.A kind of method for inhibiting vibration for eliminating or greatly reducing the process in high-precision semiconductor device manufacturing facility, packet include following steps:high-precision semiconductor device manufacturing apparatus is supported on the blend tool support system in building, which has the building structure of influence vulnerable to vibration transmitting, can be exposed to and vulnerable to being transmitted to the high-precision semiconductor device manufacturing the process of equipment inhibits the influence of vibration, wherein the blend tool support system includes multi-layered material structure, the multilayer material material structure is formed by the combination isolation for being selected as by the multi-layered material structure the material of the vibration frequency of variation is isolated；the blend tool support system is located on raised flooring, the raised flooring for make building floor with it is described blend tool support system separates in structure, in the high-precision semiconductor device manufacturing apparatus and the building floor between the first vibration isolation part is provided, the blend tool support system includes multiple base structures and elevated structure, the multiple base structure is used to for the blend tool support system being located in the raised flooring, and the elevated structure is for providing knot structure support simultaneously will be located at the high-precision semiconductor device manufacturing apparatus on the elevated structure and the multiple base structure it separates；it is padded using multiple first vibration isolation and separates the multiple base structure and the raised flooring, the multiple first vibration isolation liner includes the combination of adhesive covered pads, calking or adhesive covered pads and calking；multiple first vertical support constructions are positioned as a part of the elevated structure and tie the top of the elevated structure structure is separated at least selected base structure in the multiple base structure, the institute in the multiple first vertical support construction stating the vertical support construction of selected first further includes the hollow space that can be filled；fill at least part of the hollow space with vibration absorbing foams, the vertical support construction by the base portion and it is described on surface separates, and further includes concrete mix, to reduce/be isolated vibration and improve rigidity, is transmitted to institute to absorb state the vibration of the first vertical support construction；it is padded using the second vibration isolation and separates the multiple first vertical support construction and the superstructure, second vibration isolation liner includes the combination of adhesive covered pads, calking or adhesive covered pads and calking；wherein, the first vibration isolation liner, the vibration absorbing foams and second vibration isolation liner are matched to eliminate or drop significantly the low vibration from the building floor reaches the high-precision semiconductor device manufacturing operated in the superstructure the ability of equipment；andfurther second barrier liner and the superstructure are separated using vertical structure beam, the vertical structure beam exists first joint is connected to the superstructure, is connected to second barrier liner in the second joint；andusing the vibration frequency isolation structure in the form of the combination of adhesive covered pads, calking or adhesive covered pads and calking, first joint is used for for the superstructure to be isolated with the vertical structure beam vibration in second joint make the vertical structure beam and the second barrier liner vibration isolation, to further prevent to the institute at the building floor stating semiconductor device fabrication inhibits vibration progress vibration isolation to influence whether the high-precision being located in the superstructure half the precise manipulation of conductor device manufacturing apparatus, andit is associated with heavy gauge block between the multiple base structure and the raised flooring, for reducing vibration and sound, institute stating heavy gauge block includes first layer sound dampening adhesive, the enhancing concrete for being connected to the first layer sound dampening adhesive block, the second layer sound dampening bonding opposite with the first layer sound dampening adhesive on the enhancing concrete block agent and one block of porous high-strength metal for being connected to the second layer sound dampening adhesive, the first layer sound dampening adhesive is located between clean room floor and the enhancing concrete block, is mainly used for reducing from clean room floor to the coagulation the vibration induction deviation of soil block, the second layer sound dampening adhesive are passed for further decreasing from the enhancin...
개선된 반도체 처리 장비 툴 페데스탈 /패드 진동 차단 및 감소 방법본 발명은 고정밀 디바이스 제조 시설내에서 공정을 제한하는 진동을 제거하거나 실질적으로 감소시키는 하나의 방법, 시스템 및 제조 시설을 제공한다. 제조 시설내의 세워진 구조물들은 고정밀 디바이스 제조 장비를 지지하고 건물바닥과 세워진 구조물들의 상부사이에 진동을 감소시키는 공간을 제공한다.고정밀 반도체 장치 제조 공장 내에서 공정을 저해하는 진동을 제거하거나 상당히 감소시키는 진동 제거 및 감소 방법으로서, 상기 고정밀 반도체 장치 제조 장비에 상기 공정을 저해하는 진동에 노출되어 전달하기 쉬운 건물 내의 하이브리드 툴 페데스탈 시스템 위의 고정밀 반도체 장치 제조 장비를 지지하는 제1단계로서, 상기 하이브리드 툴 페데스탈 시스템은 다층 재료 구성의 결합된 차단으로 다양한 진동 주파수를 차단시키기 위해 선택된 재료로 형성된 다층 재료 건축으로 구성되는 제1단계와;상기 하이브리드 툴 페데스탈 시스템을 상승 플로어 위에 위치시키는 제2단계로서, 상기 상승 플로어는 구조적으로 건물 바닥을 상기 하이브리드 툴 페데스탈 시스템으로부터 분리하여 상기 고정밀 반도체 장치 제조 장비와 건물 바닥 간의 진동 차단의 첫 번째 부분을 제공하기 위한 것이며, 상기 하이브리드 툴 페데스탈 시스템은 여러 개의 맨 아래 부분 구조체로 구성되므로 상기 하이브리드 툴 페데스탈 시스템은 상기 상승 플로어와 승격 구조체 위에 위치되며 구조적 지지를 제공하고 상기 승격 구조체 위에 위치한 상기 고정밀 반도체 장치 제조 장비를 여러 개의 아래 부분 구조체로부터 분리하는 제2단계와;여러 개의 제1진동 차단 패드를 사용하여 상기 여러 개의 맨 아래 부분 구조체를 상기 상승 플로어로부터 분리시키는 제3단계로서, 상기 여러 개의 제1진동 차단 패드는 접착제 패드, 코킹 또는 접착제 패드와 코킹의 조합으로 구성되는 제3단계와;여러 개의 제1수직 지지 구조체를 상기 승격 구조체의 일부분으로서 위치시키고, 상기 여러 개의 맨 아래 부분 구조체 중 적어도 선택된 구조체로부터 상기 승격 구조체의 상부 구조체를 분리하는 제4단계로서, 상기 여러 개의 제1수직 지지 구조체 중 상기의 선택된 구조체는 채울 수 있는 중공부로 추가적으로 구성되는 제4단계와;적어도 한 부분을 진동 흡수 폼으로 중공부를 채우는 제5단계로서, 상기 수직 지지 구조체는 상기 맨 아래 부분을 상기 상부 표면으로부터 분리시키고, 콘크리트 혼합물로 구성되어 진동을 감소 및 차단하고 단단함이 향상되어 상기 제1수직 지지 구조체로 전달되는 진동이 흡수되는 제5단계와;상기 여러 개의 제1수직 지지 구조체를 접착제 패드, 코킹 또는 접착제 패드와 코킹의 조합으로 구성된 제2진동 차단 패드의 상부 구조로부터 분리하는 제6단계와;수직 구조 빔을 사용하여 상기 상부 구조체로부터 상기 제2진동 차단 패드를 추가로 분리시키는 제7단계로서, 상기 수직 구조 빔은 제1접합부에서 상기 상부 구조에 연결되고, 제2접합부에서 상기 제 2 차단 패드에 연결되는 제7단계와;진동 주파수 차단 구조를 적용하는 제8단계로서, 접착 패드, 코킹, 또는 접착 패드와 코킹의 조합의 형태로 상기 제1접합부에서의 진동에 대하여 상기 상부 구조를 상기 수직 구조 빔으로부터 격리하고, 상기 제2접합부에서의 진동에 대하여 상기 수직 구조 빔을 상기 제2차단 패드로부터 격리하여, 추가적으로 건물 바닥의 상기 반도체 장치 제조 공정 저해 진동을 차단함으로써 상기 상부 구조 위에 있는 고정밀 반도체 장치 제조 장비의 정밀 가동에 진동이 영향을 미치지 못하게 막는 제8단계와; 상기 여러 개의 맨 아래 부분 구조체와 상기 상승 플로어 사이에 진동과 소리 감소를 위해 무거운 매스(mass) 블록을 결부하는 제9단계로서, 상기 무거운 매스 블록은 소리 감쇠 접착제로 된 제1층, 상기 소리 감쇠 접착제로 된 제1층에 연결된 강화된 콘크리트 블록, 상기 강화 콘크리트 블록 위에 있으며 상기 소리 감쇠 접착제로 된 제1층의 반대에 있는 소리 감쇠 접착제로 된 제2층, 및 소리 감쇠 접착제로 된 제2층에 연결된 다공성 고강도 금속 블록으로 구성되며, 상기 소리 감쇠 접착제로 된 제1층은 클린룸과 상기 강화 콘크리트 블록 사이에 위치하며 클린룸 바닥으로부터 상기의 콘크리트 블록으로 진동으로 유도된 편향을 첫 번째로 줄이기 위한 것이며, 상기 소리 감쇠 접착제로 된 제2층은 상기 강화 콘크리트 블록으로부터 상기 다공성 고강도 금속 블록으로 전달되는 편향을 보다 감소시키기 위한 것으로, 이로써 와플 콘크리트 플로어로부터 고정밀 반도체 장치 제조 장비로의 편향과 진동은 효과적으로 차단되는 제9단계와; 전자기 간섭 (EMI) 주파수가 고정밀 반도체 장치 제조 장비의 가동에 악영향을 주는 것을 방지하도록 상기 무거운 매스 블록에 절연 또는 EMI를 흡수하기 위한 EMI 장벽을 제공하는 제10단계와; 상기 EMI 장벽과 관련하여 자기 아크 블로우를 제거하기 위해 상기 고정밀 반도체 장치 제조 장비에 대해 자기소거(degaussing)를 수행하는 제11단계를 포함하고,상기 제1진동 차단 패드, 상기 진동 흡수 폼 및 상기 제2진동 차단 패드는 상기 빌딩 바닥으로부터의 진동이 상기 상부 구조 위에서 가동되는 고정밀 반도체 장치 제조 장비에 도달하는 능력을 제거하거나 상당히 감소시키도록 조직되는 진동 제거 및 감소 방법.