ION BEAM MEASURING METHOD AND ION IMPLANTING APPARATUSA beam current density distribution in y direction of an ion beam 4 at a position of a forestage beam restricting shutter 32 is measured by measuring a change in a beam current of the ion beam 4 incident on a forestage multipoint Faraday 24 by passing an outer side of a side 34 of the shutter 32 while driving the forestage beam restricting shutter 32 in y direction by a forestage shutter driving apparatus 36. Further, a beam current density distribution in y direction of the ion beam 4 at a position of a poststage beam restricting shutter 42 is measured by measuring a change in the beam current of the ion beam 4 incident on a poststage multipoints Faraday 28 by passing an outer side of a side 44 of the shutter 42 while driving the poststage beam restricting shutter 42 in y direction by a poststage shutter driving apparatus 46. Further, at least one of an angle deviation, a diverging angle and a beam side in y direction of the ion beam 4 is measured by using a result of the measurement.A method of measuring an ion beam performed in an ion implanting apparatus for irradiating an ion beam to a target by parallelly scanning the ion beam in an x direction, said ion implanting apparatus including a forestage multipoints Faraday and a poststage multipoints Faraday constituted by respectively installing pluralities of detectors for measuring a beam current of the ion beam parallelly in the x direction respectively on an upstream side and a downstream side of the target, said ion implanting apparatus further comprising: a forestage beam restricting shutter provided at a vicinity on an upstream side of the forestage mutlipoints Faraday, capable of blocking the ion beam and having a side in parallel with the x direction; a forestage shutter driving apparatus for driving the forestage beam restricting shutter in a y direction orthogonal to the x direction; a poststage beam restricting shutter provided at a vicinity on an upstream side of the poststage multipoints Faraday, capable of blocking the ion beam and having a side in parallel with the x direction; and a poststage shutter driving apparatus for driving the poststage beam restricting shutter in the y direction, said method comprising: a poststage beam current density distribution measuring step of calculating a beam current density distribution in the y direction of the ion beam at a position of the forestage beam restricting shutter by measuring a change in the beam current of the ion beam incident on the forestage multipoints Faraday by passing an outer side of the side of the forestage beam restricting shutter while driving the forestage beam restricting shutter in the y direction by the forestage shutter driving apparatus; a forestage center position calculating step of calculating a center position ycf in the y direction of the ion beam at the position of the forestage beam restricting shutter from the beam current density distribution calculated at the forestage beam current density distribution measuring step; a postage beam current density distribution measuring step of calculating a beam current density distribution in the y direction of the ion beam at a position of the poststage beam restricting shutter by measuring a change in the beam current of the ion beam incident on the poststage multipoints Faraday by passing an outer side of the side of the poststage beam restricting shutter while driving the poststage beam restricting shutter in the y direction by the poststage shutter driving apparatus; a poststage center position calculating step of calculating a center position ycb in the y direction of the ion beam at the position of the poststage beam restricting shutter from the beam current density distribution calculated at the poststage beam current density distribution measuring step; and an angle deviation calculating step of calculating an angle deviation θy in the y direction of the ion beam based on the following equation or an equation mathematically equivalent thereto by using the center position ycf calculated at the forestage center position calculating step, the center position ycb calculated at the poststage center position calculating step and a distance L between the forestage beam restricting shutter and the poststage beam restricting shutter. θy=tan−1{(ycb−ycf)/L}
이온빔 계측 방법 및 이온 주입 장치본 발명은 전단 셔터 구동 장치(36)에 의해서 전단 빔 제한 셔터(32)를 y 방향으로 구동하면서, 그 셔터(32)의 한 변(34)의 외측을 통과하여 전단 다점 패러데이(24)에 입사하는 이온빔(4)의 빔 전류의 변화를 계측함으로써, 전단 빔 제한 셔터(32)의 위치에서의 이온빔(4)의 y 방향의 빔 전류 밀도 분포를 계측한다. 또한, 후단 셔터 구동 장치(46)에 의해서 후단 빔 제한 셔터(42)를 y 방향으로 구동하면서, 그 셔터(42)의 한 변(44)의 외측을 통과하여 후단 다점 패러데이(28)에 입사하는 이온빔(4)의 빔 전류의 변화를 계측함으로써, 후단 빔 제한 셔터(42)의 위치에서의 이온빔(4)의 y 방향의 빔 전류 밀도 분포를 계측한다. 그리고 이 계측 결과를 이용하여, 이온빔(4)의 y 방향의 각도 편차, 발산각 및 빔 사이즈 중 적어도 하나를 계측한다.이온빔을 x 방향으로 평행 주사하여 타겟에 조사하는 이온 주입 장치로서, 그 이온빔의 빔 전류를 계측하는 복수의 검출기가 상기 x 방향으로 각각 병설되어 이루어지는 전단 다점 패러데이 및 후단 다점 패러데이를 타겟의 상류측 및 하류측에 각각 구비하고, 상기 전단 다점 패러데이의 상류측 근방에 설치되어, 상기 이온빔을 차단할 수 있고, 상기 x 방향에 평행한 한 변을 갖는 전단 빔 제한 셔터와, 이 전단 빔 제한 셔터를 상기 x 방향에 직교하는 y 방향으로 구동하는 전단 셔터 구동 장치와, 상기 후단 다점 패러데이의 상류측 근방에 설치되어, 상기 이온빔을 차단할 수 있고, 상기 x 방향에 평행한 한 변을 갖는 후단 빔 제한 셔터와, 이 후단 빔 제한 셔터를 상기 y 방향으로 구동하는 후단 셔터 구동 장치 를 더 구비하는 이온 주입 장치에서 행하는 이온빔 계측 방법에 있어서, 상기 전단 셔터 구동 장치에 의해서 상기 전단 빔 제한 셔터를 상기 y 방향으로 구동하면서, 그 전단 빔 제한 셔터의 상기 한 변의 외측을 통과하여 상기 전단 다점 패러데이에 입사하는 이온빔의 빔 전류의 변화를 계측함으로써, 상기 전단 빔 제한 셔터의 위치에서의 상기 이온빔의 상기 y 방향의 빔 전류 밀도 분포를 구하는 전단 빔 전류 밀도 분포 계측 공정과, 이 전단 빔 전류 밀도 분포 계측 공정에서 구한 빔 전류 밀도 분포로부터, 상기 전단 빔 제한 셔터의 위치에서의 상기 이온빔의 상기 y 방향의 중심 위치(ycf)를 구하는 전단 중심 위치 산출 공정과, 상기 후단 셔터 구동 장치에 의해서 상기 후단 빔 제한 셔터를 상기 y 방향으로 구동하면서, 그 후단 빔 제한 셔터의 상기 한 변의 외측을 통과하여 상기 후단 다점 패러데이에 입사하는 이온빔의 빔 전류의 변화를 계측함으로써, 상기 후단 빔 제한 셔터의 위치에서의 상기 이온빔의 상기 y 방향의 빔 전류 밀도 분포를 구하는 후단 빔 전류 밀도 분포 계측 공정과, 이 후단 빔 전류 밀도 분포 계측 공정에서 구한 빔 전류 밀도 분포로부터, 상기 후단 빔 제한 셔터의 위치에서의 상기 이온빔의 상기 y 방향의 중심 위치(ycb)를 구하는 후단 중심 위치 산출 공정과, 상기 전단 중심 위치 산출 공정에서 구한 상기 중심 위치(ycf), 상기 후단 중심 위치 산출 공정에서 구한 상기 중심 위치(ycb) 및 상기 전단 빔 제한 셔터와 상기 후단 빔 제한 셔터 사이의 거리(L)를 이용하고, 수학식 θy=tan-1{(ycb-ycf)/L} 또는 그것과 수학적으로 등가인 식에 기초하여, 상기 이온빔의 상기 y 방향에 있어서의 각도 편차(θy)를 구하는 각도 편차 산출 공정 을 포함하는 이온빔 계측 방법.