Method for producing thin film transistor device, thin film transistor device, and display deviceA method for producing a thin film transistor device, in which a laser of a wavelength in the visible light region is used to form a crystalline silicon film of stable crystallinity, the method including: a step (S11) for forming a plurality of gate electrodes on a substrate; a step for forming a silicon nitride layer over the plurality of gate electrodes; a step (S12) for stacking a silicon oxide layer over the silicon nitride layer; a step (S13) for forming an amorphous silicon layer over the silicon oxide layer; a step (S14) for using a predetermined laser beam to crystallize the amorphous silicon layer and produce a crystalline silicon layer; and a step (S18) for forming source electrodes and drain electrodes in regions on the crystalline silicon layer that correspond to each of the plurality of gate electrodes. The thickness of the silicon oxide layer, the thickness of the silicon nitride layer, and the thickness of the amorphous silicon layer are set so as to fulfill a predetermined conditional expression.The manufacture method of a film transistor device comprises:the first operation, prepared substrate;the second operation forms a plurality of gate electrodes at described substrate;the 3rd operation forms silicon nitride layer at described a plurality of gate electrodes;the 4th operation, stacked silicon oxide layer on described silicon nitride layer;the 5th operation forms amorphous silicon layer at described silicon oxide layer;the 6th operation makes wavelength 405nm predetermined laser relative above and that 488nm is following relatively move at certain orientation in described substrate, uses from the laser of described predetermined laser illumination to make described amorphous silicon layer crystallization and generate crystallizing silicon layer; andthe 7th operation, with each self-corresponding described crystallizing silicon layer of described a plurality of gate electrodes on the zone form source electrode and drain electrode,the value that will obtain divided by the wavelength of described laser the blooming of described amorphous silicon layer is made as x, and the blooming of described amorphous silicon layer multiply by the value that the refractive index of described amorphous silicon layer obtains for the thickness to described amorphous silicon layer,to be made as y to the value that described silicon oxide layer conversion blooming obtains divided by the wavelength of described laser, the conversion blooming of described silicon oxide layer is the blooming addition with blooming and the described silicon nitride layer of described silicon oxide layer, and then the value that the value that obtains by described addition is obtained divided by the refractive index of described silicon oxide layer, the blooming of described silicon oxide layer multiply by the value that the refractive index of described silicon oxide layer obtains for the thickness to described silicon oxide layer, the blooming of described silicon nitride layer multiply by the value that the refractive index of described silicon nitride layer obtains for the thickness to described silicon nitride layerthe density of described amorphous silicon layer is made as ρ si, the specific heat of described amorphous silicon layer is made as c si, the thickness of described gate electrode is made as d g, the density of described gate electrode is made as ρ g, the specific heat of described gate electrode is made as c g, with the silicon layer of described gate electrode top and the maximum of the absorptivity of the described gate electrode when the silicon layer above described gate electrode is equal to the absorptivity of described laser separately be made as a g, will be by (a g/ d g) * (ρ si* c si)/(ρ g* c g) value calculated of this formula is made as δ a ', then the thickness of the thickness of the thickness of described silicon oxide layer, described silicon nitride layer and described amorphous silicon layer satisfies described x and the described y that belongs to by the scope of dividing with following formula (1) to formula (6),(formula 1) y 〉=0.264+14.444 * δ a '(formula 2) x≤0.729-67.777 * δ a '(formula 3) y≤-0.388x+0.584-21.124 * δ a '(formula 4) y≤0.427-28.519 * δ a '(formula 5) x 〉=0.344+32.963 * δ a '(formula 6) y 〉=-0.388x+0.457+21.412 * δ a '.
박막 트랜지스터 장치의 제조 방법, 박막 트랜지스터 장치 및 표시 장치가시광 영역의 파장의 레이저를 이용하여, 결정성이 안정된 결정 실리콘막을 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 복수의 게이트 전극을 형성하는 공정(S11)과, 복수의 게이트 전극 상에 질화실리콘층을 형성하는 공정과, 질화실리콘층 상에 산화실리콘층을 적층하는 공정(S12)과, 산화 실리콘층 상에 비정질성 실리콘층을 형성하는 공정(S13)과, 소정의 레이저 광을 이용하여 비정질성 실리콘층을 결정화시켜 결정성 실리콘층을 생성하는 공정(S14)과, 복수의 게이트 전극의 각각에 대응하는 상기 결정성 실리콘층 상의 영역에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정(S18)을 포함하고, 상기 산화실리콘층의 막 두께, 질화실리콘층의 막 두께, 비정질성 실리콘층의 막 두께는, 소정의 조건식을 만족하도록 형성된다.기판을 준비하는 제1 공정과,상기 기판 상에 복수의 게이트 전극을 형성하는 제2 공정과,상기 복수의 게이트 전극 상에 질화규소층을 형성하는 제3 공정과,상기 질화규소층 상에 산화규소층을 적층하는 제4 공정과,상기 산화규소층 상에 비정질성 실리콘층을 형성하는 제5 공정과,파장이 405㎚ 이상 488㎚ 이하인 소정의 레이저를 상기 기판에 대하여 일정한 방향으로 상대 이동시키고, 상기 소정의 레이저로부터 조사되는 레이저 광을 이용하여 상기 비정질성 실리콘층을 결정화시켜 결정성 실리콘층을 생성하는 제6 공정과,상기 복수의 게이트 전극의 각각에 대응하는 상기 결정성 실리콘층 상의 영역에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제7 공정을 포함하고,상기 비정질성 실리콘층의 막 두께에 상기 비정질성 실리콘층의 굴절률을 적산한 값인 상기 비정질성 실리콘층의 광학 막 두께를, 상기 레이저 광의 파장으로 제산한 값을 X로 하고,상기 산화규소층의 막 두께에 상기 산화규소층의 굴절률을 적산한 값인 상기 산화규소층의 광학 막 두께와, 상기 질화규소층의 막 두께에 상기 질화규소층의 굴절률을 적산한 값인 상기 질화규소층의 광학 막 두께를 합산하고, 또한, 이 합산에 의해 얻어진 값을 상기 산화규소층의 굴절률로 제산한 값을, 상기 산화규소층 환산 광학 막 두께로 한 경우에 있어서, 상기 산화규소층 환산 광학 막 두께를 상기 레이저 광의 파장으로 제산한 값을 Y로 하고,또한, 상기 비정질성 실리콘층의 밀도를 ρSi, 비열을 cSi로 하고, 상기 게이트 전극의 막 두께를 dG, 밀도를 ρG, 비열을 cG로 하고,상기 게이트 전극의 상방의 실리콘층과 상기 게이트 전극의 상방에 없는 실리콘층의, 상기 레이저 광에 대한 각각의 광 흡수율이 동일할 때의 상기 게이트 전극의 흡수율의 최대치를 AG로 하고,(AG/dG)×(ρSi×cSi)/(ρG×cG)의 식으로 산출되는 값을 ΔA'로 두었을 때,상기 산화규소층의 막 두께, 상기 질화규소층의 막 두께, 및 상기 비정질성 실리콘층의 막 두께는, 하기의 식 1)로부터 식 6)에 의해 구획되는 범위에 속하는 상기 X, 및 상기 Y를 만족하는, 박막 트랜지스터 장치의 제조 방법.식 1) Y≥0.264＋14.444×ΔA'식 2) X≤0.729－67.777×ΔA'식 3) Y≤－0.388X＋0.584－21.124×ΔA'식 4) Y≤0.427－28.519×ΔA'식 5) X≥O.344＋32.963×ΔA'식 6) Y≥－0.388X＋0.457＋21.412×ΔA'