Gas supply system for semiconductor manufacturing facilitiesA gas supply system includes a main gas supply line; a vent gas supply line; a plurality of gas supply mechanisms disposed in middle of both gas supply lines; a pressure type flow-rate control system disposed on an inlet side of the main gas supply line so a flow of carrier gas is supplied to the main gas supply line; a pressure control system disposed on an inlet side of the vent gas supply line, a carrier gas having a predetermined pressure is supplied to the vent gas supply line while the pressure control system performs a pressure adjustment, a gas pressure of the main gas supply line detected downstream from an orifice of the pressure type flow-rate control system and a gas pressure of the vent gas supply line are compared, and the gas pressure of the vent gas supply line is adjusted so a difference therebetween becomes zero.A gas supply system for semiconductor manufacturing facilities employing a metal organic chemical vapor deposition method, wherein the gas supply system comprises: (a) a main gas supply line that supplies a source gas to a reactor; (b) a vent gas supply line disposed to evacuate the source gas; (c) a plurality of gas supply mechanisms disposed in a middle of both of the main gas supply line and the vent gas supply line; (d) a first pressure type flow-rate control system disposed on an inlet side of the main gas supply line, wherein the first pressure type flow-rate control system includes an orifice, and a predetermined amount of flow of a first carrier gas is supplied to the main gas supply line while the first pressure type flow-rate control system controls flow rate of the first carrier gas; and (e) a second pressure control system disposed on an inlet side of the vent gas supply line, wherein a second carrier gas having a predetermined pressure is supplied to the vent gas supply line while the second pressure control system performs a pressure adjustment, wherein a first gas pressure of the main gas supply line detected downstream from the orifice of the first pressure type flow-rate control system and a second gas pressure of the vent gas supply line are compared with each other, and the second gas pressure of the vent gas supply line is adjusted by the second pressure control system so that a difference between the first gas pressure and the second gas pressure becomes zero, wherein the first pressure type flow-rate control system disposed on the main gas supply line further comprises i. a first control valve provided with a first valve drive unit; ii. the orifice, wherein the orifice is disposed on a downstream side from the first control valve; iii. a first pressure detector disposed between the first control valve and an upstream side from the orifice; iv. a second pressure detector disposed on a downstream side from the orifice; and v. a first control circuit unit, wherein the first control circuit unit calculates a flow rate Q of gas flowing through the orifice based on a pressure signal sent from the first pressure detector, and the first control circuit unit calculates a difference Y between a set flow rate Qs input from an outside source and the flow rate Q calculated based on the pressure signal, and then the first control circuit unit inputs the difference Y to the first valve drive unit of the first control valve, and the first control circuit unit controllably opens or closes the first control valve in a direction in which the difference Y becomes zero; and the second pressure control system disposed on the vent gas supply line comprises i. a second control valve provided with a second valve drive unit; ii. a third pressure detector disposed on a downstream side therefrom; and iii. a second control circuit unit to which a detection pressure signal of the third pressure detector and a detection pressure signal of the second pressure detector disposed on the downstream side from the orifice of the first pressure type flow-rate control system are input, the second control circuit unit calculates a difference between the detection pressure signals and then inputs a signal X corresponding to the difference to the second valve drive unit, and the second control circuit unit controllably opens or closes the second control valve in a direction in which the difference X becomes zero, and a gas pressure of the vent gas supply line is adjustable so that the difference X in pressure between the main gas supply line and the vent gas supply line becomes zero.
반도체 제조 설비용의 가스 공급 장치가스 공급 시스템은 주 가스 공급 라인; 벤트 가스 공급 라인; 양 가스 공급 라인의 중간에 배치된 복수의 가스 공급 기구; 메인 가스 공급 라인의 입구측에 배치되어 캐리어 가스의 흐름이 메인 가스 공급 라인으로 공급되도록 하는 압력식 유량 제어 시스템; 상기 벤트 가스 공급 라인의 입구측에 배치된 압력 제어 시스템으로서, 상기 압력 제어 시스템이 상기 메인 가스 공급 라인의 압력 조절을 수행하는 동안 소정의 압력을 갖는 캐리어 가스가 상기 벤트 가스 공급 라인에 공급되는, 압력식 유량 제어 시스템의 오리피스 하류측에서 검출된 가스 압력과 벤트 가스 공급 라인의 가스 압력을 비교하고, 벤트 가스 공급 라인의 가스 압력을 조정하여 그 차이가 0이 되도록 한다.금속 유기 화학 기상 증착법을 채용한 반도체 제조 설비용 가스 공급 시스템에 있어서, (a) 원료 가스를 반응기에 공급하는 메인 가스 공급 라인; (b) 소스 가스를 배기하도록 배치된 벤트 가스 공급 라인; (c) 메인 가스 공급 라인과 벤트 가스 공급 라인의 중간에 배치된 복수의 가스 공급 기구; (d) 상기 메인 가스 공급 라인의 입구측에 배치된 제1 압력식 유량 제어 시스템으로서, 상기 제1 압력식 유량 제어 시스템은 오리피스를 포함하고, 제1 캐리어 가스의 소정의 유량은 제1 압력형 유량 제어 시스템이 제1 캐리어 가스의 유량을 제어하는 ​​동안 메인 가스 공급 라인에 공급되고; 및 (e) 상기 벤트 가스 공급 라인의 입구측에 배치된 제2 압력 제어 시스템으로서, 상기 제2 압력 제어 시스템이 압력 조정을 수행하는 동안 소정의 압력을 갖는 제2 캐리어 가스가 상기 벤트 가스 공급 라인에 공급되고, 제1 압력식 유량 제어 시스템의 오리피스 하류에서 검출된 메인 가스 공급 라인의 제1 가스 압력과 벤트 가스 공급 라인의 제2 가스 압력을 비교하고, 벤트의 제2 가스 압력 가스 공급 라인은 제1 가스 압력과 제2 가스 압력 사이의 차이가 0이 되도록 제2 압력 제어 시스템에 의해 조정되고, 메인 가스 공급 라인에 배치된 제1 압력형 유량 제어 시스템은 i를 더 포함한다. 제1 밸브 구동부가 구비된 제1 제어 밸브; ii. 제1 제어 밸브로부터 하류측에 배치되는 오리피스; iii. 상기 오리피스로부터 상류측과 상기 제1 제어 밸브 사이에 배치된 제1 압력 검출기; iv. 상기 오리피스로부터 하류측에 배치되는 제2 압력 검출기; 및 v. 제1 제어 회로 유닛, 여기서 제1 제어 회로 유닛은 제1 압력 검출기로부터 송신된 압력 신호에 기초하여 오리피스를 통해 흐르는 가스의 유량 Q를 계산하고, 제1 제어 회로 유닛은 사이의 차이 Y를 계산한다. 외부로부터 입력되는 유량(Qs)과 압력 신호에 기초하여 계산된 유량(Q)을 설정하고, 제1 제어 회로부는 차(Y)를 제1 제어 밸브의 제1 밸브 구동부에 입력하고, 제1 제어 회로부는 차이 Y가 0이 되는 방향으로 제1 제어 밸브를 제어 가능하게 열거나 닫고; 배기 가스 공급 라인에 배치된 제2 압력 제어 시스템은 i. 제2 밸브 구동부가 구비된 제2 제어 밸브; ii. 그 하류측에 배치된 제3 압력 검출기; iii. 제1 압력형 유량 제어 시스템의 오리피스로부터 하류측에 배치된 제3 압력 검출기의 검출 압력 신호 및 제2 압력 검출기의 검출 압력 신호가 입력되는 제2 제어 회로 유닛, 제2 제어 회로부는 감지 압력 신호의 차이를 계산한 다음 차이에 해당하는 신호 X를 제2 밸브 구동부에 입력하고, 제2 제어 회로부는 차이 X가 되는 방향으로 제2 제어 밸브를 제어 가능하게 개폐한다. 0이며, 메인 가스 공급 라인과 벤트 가스 공급 라인 사이의 압력 차이 X가 0이 되도록 벤트 가스 공급 라인의 가스 압력이 조정 가능한 것을 특징으로 하는 금속 유기 화학 기상 증착법을 채용한 반도체 제조 설비용 가스 공급 시스템.