MULTIBEAM COHERENT LASER DIODE SOURCE (EMBODIMENTS)A diode source of multibeam coherent laser emission comprises a master laser, a linear amplifier and two perpendicular amplifiers. The master laser and amplifiers are being formed in a common heterostructure containing an active layer, two cladding layers and an emission leak-in region with a leak-in layer. The heterostructure is characterized by the ratio of the effective refractive index (neff) of the heterostructure to the refractive index (nIN) of the leak-in layer. The ratio neff to nIN being in the range from one plus delta to one minus gamma, where delta and gamma are defined by a number much less than one and gamma is greater than delta. The linear amplifier is located so that the optical axis of propagation of emission from the master laser coincides with the optical axis of the linear amplifier. Each perpendicular amplifier has an output edge and is located so that its optical axis is located at a right angle to the axis of the linear amplifier. An integral element is provided near the point where the amplifier axes cross in order for a portion of the emission to flow over from the linear amplifier to a perpendicular amplifier. This element includes a reflecting plane which intersects the active layer and part of the leak-in region of the heterostructure within a range of 20% to 80% of the thickness of the leak-in layer and which forms a 45° angles of inclination with the amplifier axes. According to another embodiment of the diode source, an output element is situated along the active region of a perpendicular amplifier, said output element including a reflecting plane that intersects at an angle of 45° the planes of the heterostructure layers, including the active layer and from 30% to 80% of the thickness of the leak-in layer. The technical result is an increased intensity of laser emission, greater efficiency and reliability, a longer operating life, an improved modulation rate and a simplified manufacturing technique.A diode source of multibeam coherent laser emission comprising at least one, at least single-mode single-frequency master diode laser hereinafter referred to as the master laser, at least one diode optical amplifier hereinafter referred to as the linear amplifier integrally and optically connected with said master laser, at least two diode optical amplifiers hereinafter referred to as the perpendicular amplifiers integrally and optically connected with the linear amplifier; said master laser, said linear amplifier, and said perpendicular amplifiers being formed in a common heterostructure based on semiconductor compounds, said heterostructure containing at least one active layer, at least two cladding layers, and an emission leak-in region being transparent for emission, said leak-in region being placed between the active layer and a corresponding cladding layer at least on one side of the active layer and containing at least a leak-in layer, wherein said heterostructure being characterized by the ratio of the effective refractive index neff of the heterostructure to the refractive index nIN of the leak-in layer, namely, the ratio of neff to nIN being in the range from one to one minus gamma, where gamma is determined by a number much less than one; said master laser includes an active stripe lasing region with connected metallization layers, a lateral emission confinement region with a connected insulating layer, said confinement region being located on each lateral side of the active lasing region of the master laser, as well as ohmic contacts, optical facets, reflectors, an optical resonator, wherein on both optical facets the reflectors of the optical resonator having reflection coefficients near one and being placed in the specified vicinity of location of the active layer of the heterostructure; each linear amplifier including at least an active amplification region with connected metallization layers being located so that the optical axis of propagation of emission of the master laser coincides with the optical axis of the linear amplifier; each perpendicular amplifier including at least an active amplification region with connected metallization layers and an optical output facet with an optical antireflection coating being located so that the optical axis of the perpendicular amplifier being located at a right angle (modulus) to the optical axis of the linear amplifier; in the vicinity of intersection of the optical axis of the linear amplifier with the optical axis of each perpendicular amplifier there is an integral element for flow of a specified portion of laser emission from the linear amplifier to the perpendicular amplifier arbitrarily called a rotary element, said rotary element includes at least one optical reflecting plane perpendicular to the plane of the heterostructure layers, crossing the active layer and part of the heterostructure leak-in region within from 20% to 80% of the thickness of the leak-in layer, and making angles of inclination with the optical axes of the linear amplifier and of the perpendicular amplifier about 45° (modulus).
다중빔 코히어런트 레이저 다이오드 소스(실시예)다중빔 코히어런트 레이저 다이오드 소스는 마스터 레이저, 선형 증폭기 및 2개의 수직 증폭기를 포함한다. 마스터 레이저 및 증폭기는 활성층, 2개의 한정층 및 유입층을 갖는 방사 유입 영역을 포함하는 단일 헤테로 구조의 형태이다. 헤테로 구조는 헤테로 구조의 굴절률(neff) 대 유입층의 굴절률(nIN)의 비에 특징이 있다. 비(neff 대 nIN)는 1 + 델타에서 1 - 마이너스까지 연장되는 범위로부터 결정되며, 델타 및 감마는 1보다 훨씬 더 작은 수에 의해 정의되고 감마는 델타보다 더 크다. 선형 증폭기는 마스터 레이저로부터의 방사 전파에 대한 광축이 선형 증폭기의 축과 일치하도록 위치된다. 각 수직 증폭기는 출력 에지를 갖고 그 광축이 선형 증폭기의 축에 대해 직각으로 놓이도록 위치된다. 요소는 방사의 일부가 선형 증폭기로부터 수직 증폭기로 넘쳐 흐르게 하기 위해 증폭기 축이 교차하는 지점 근방에 제공된다. 이 요소는 유입층 두께의 20% 내지 80%의 범위 내에서 헤테로 구조의 유입 영역의 활성층 및 일부를 교차시키고 증폭기 축과 45°경사각을 형성하는 반사면을 포함한다. 다이오드 소스의 다른 실시예에 따르면, 출력 요소는 수직 증폭기의 활성 영역을 따라 위치되고, 상기 출력 요소는 45°의 각에서 헤테로 구조층의 면을 교차시키는 반사면을 포함하며, 활성층 및 유입층 두께의 30%에서 80%까지를 포함한다. 기술적 결과는 레이저 방사의 증가된 강도, 더 높은 효율과 신뢰성, 더 긴 동작 수명, 개선된 변조 속도 및 간략화된 제조 기술이다.적어도 1개, 이하 마스터 레이저로 지칭되는 적어도 단일 모드 단일 주파수 마스터 다이오드 레이저, 상기 마스터 레이저와 일체로 그리고 광학적으로 접속된 이하 선형 증폭기로 지칭되는 적어도 1개의 다이오드 광 증폭기, 상기 선형 증폭기와 일체로 그리고 광학적으로 접속된 이하 수직 증폭기로 지칭되는 적어도 2개의 다이오드 광 증폭기를 포함하되, 상기 마스터 레이저, 상기 선형 증폭기 및 상기 수직 증폭기는 반도체 화합물에 기초하여 공통 헤테로 구조에 형성되고, 상기 헤테로 구조는 적어도 1개의 활성층, 적어도 2개의 클래딩층, 및 방출을 위해 투과되는 방출 누출 영역을 포함하며, 상기 누출 영역은 활성층과 대응하는 클래딩층 사이에서 활성층의 일측 상에 적어도 위치되고 적어도 누출층을 포함하는 다중빔 코히어런트 레이저 방출의 다이오드 소스에 있어서, 상기 헤테로 구조는 헤테로 구조의 유효 굴절률(neff) 대 누출층의 굴절률(nIN)의 비에 특징이 있고, 즉 neff 대 nIN의 비는 1에서 1 - 감마까지의 범위에 있고, 감마는 1보다 훨씬 작은 수에 의해 결정되고, 상기 마스터 레이저는 금속화층이 접속된 활성 스트라이프 레이징 영역, 절연층이 접속된 방출 한정 영역을 포함하고, 상기 한정 영역은 옴 접촉부, 광학면, 반사기, 광 공진기뿐만 아니라 마스터 레이저의 활성 레이징 영역의 각 측면 상에 위치되고, 양 광학면 상에서 광 공진기의 반사기는 1에 가까운 반사 계수를 갖고 상기 헤테로 구조의 활성층의 위치의 특정 부근에 위치되고, 금속화층이 접속된 활성 증폭 영역을 적어도 포함하는 각 선형 증폭기는 마스터 레이저의 방출의 전파에 대한 광축이 선형 증폭기의 광축과 일치하도록 위치되고, 금속화층이 접속된 활성 증폭 영역 및 광 반사방지 코팅을 갖는 광출력면을 적어도 포함하는 각 수직 증폭기는 수직 증폭기의 광축이 선형 증폭기의 광축에 대해 직각(모듈러스)으로 배치되도록 위치되고, 상기 선형 증폭기의 광축과 각 수직 증폭기의 광축의 교차점의 부근에 선형 증폭기로부터 수직 증폭기로의 레이저 방출의 특정 부분의 플로우를 위한 회전 요소라 임의로 불려지는 일체형 요소가 존재하며, 상기 회전 요소는 헤테로 구조층의 면에 수직이고, 누출층 두께의 20%에서 80%까지 내에서 헤테로 구조 누출 영역의 활성층 및 일부를 가로지르며, 상기 선형 증폭기의 광축 및 상기 수직 증폭기의 광축과 약 45°의 경사각(모듈러스)을 이루는 적어도 1개의 광반사면을 포함하는 다중빔 코히어런트 레이저 방출의 다이오드 소스.