Process for producing a DFB laser diode with coupled waveguide and DFB laser film structureIt is possible with the process of the invention to produce MRCW high-temperature laser diodes with coupled optical waveguides in four epitaxy steps, in which preferably the first and last two epitaxies are performed virtually immediately after one another and an interruption is needed only to produce a grid. It is possible to make other components, e.g. photodiodes, using the process of the invention.Go up the method for making dfb laser diode (1) and making the fiber waveguide (2) of optical coupling with it on the surface (31) of the semiconductor substrate with definite conduction type (n) (30), on the surface (31) of substrate (30), carry out the epitaxial step first time:-making comprises first stacked layers (1 of layer (10) at least 1), it is the semi-conducting material with definite conduction type (n), -in first stacked layers (1 1) go up and make laser active layer (1 2), it comprise two or more compressive strain quantum well layers (11) that constitute by the quaternary material and be embedded in therebetween one or more barrier layers that constitute by the quaternary material (12) and -at laser active layer (1 2) go up and make second stacked layers (1 3), it comprises two-layer or multilayer (13,14,15) semiconductor material layer, has the conduction type (p) opposite with definite conduction type (n), has the laser of deviating from active layer (1 2) upper surface (16), and -in second stacked layers (1 3) surface (12) go up to make grating (1 with concavo-convex form 4), in second time epitaxial step-in second stacked layers (1 3) surface (16) go up to make the 3rd stacked layers (1 5), which comprises at least layer (17,18,19), constitute by semi-conducting material with opposite conduction type (p), -partly will be in second stacked layers (1 on substrate (30) surface (31) 3), laser active layer (1 2) and first stacked layers (1 1) remove, therefore, on surface (31), just have by first stacked layers (1 1), laser active layer (1 2) and second stacked layers (1 3) massif (1 that constitutes 0), its upright end face (1 01) become angle (α) with the surface (31) of substrate (30), with this bump (1 0) adjacent be and end face (1 01) connect the spare region (31 on substrate (30) surface (31) on boundary 1), in view of the above in epitaxial step for the third time,-the spare region (31 on substrate (30) surface (31) optionally 1) in rather than in the massif (1 0) go up and make the 4th stacked layers (2 of determining waveguide (2) 1), it comprises first and second optical coatings (21,23) and the ducting layer (22) between cover layer (21,23), thus, and ducting layer (22) and laser active layer (1 2) all be in height (h) with respect to substrate (30) surface (31) and locate, and have and massif (1 0) end face (1 01) corresponding end face (22 1) and in the 4th epitaxial step-in the massif (1 0) and the 4th stacked layers (2 1) last growth regulation five stacked layers (4 1), which comprises at least the have opposite conduction type semiconductor material layer (41) and the contact layer (42) of (p), to make electrode contact (4).
결합된 광학 도파관을 가진 ＤＦＢ 레이저 다이오드 제조방법및 장치 본 발명은 결합된 광학 도파관을 가진 DFB 레이저 다이오드를 제조하는 방법 및 DFB 레이저 다이오드층 구조에 관한 것이다.본 발명에 따른 방법을 사용하면 결합된 광학 도파관을 가진 MRCW 고온 레이저 다이오드가 4개의 에피텍셜 단계로 형성되는데, 이는 4개의 에피텍셜 단계중 제 1 및 제 2 에피텍셜 단계가 수행된다음 연속적으로 제 3 및 제 4 에피텍셜 단계가 수행되어 격자를 형성할때만 인터럽트가 필요한 장점을 가진다. 예를들어 포토다이오드와 같은 다른 소자 또한 본 발명에 따른 방법을 사용하여 제조할 수있다. DFB 레이저 다이오드(1) 및 이 레이저 다이오드(1)에 광학적으로 결합된 광학 도파관(2)을 특정 도전형(n)의 반도체 재료로 만들어진 기판(30)의 표면(31)상에 형성하는 방법에 있어서, 제 1에피텍셜 단계에서, - 상기 기판(30)의 표면(31)상에는, 상기 특정 도전형(n)의 반도체 재료로 만들어진 적어도 하나의 층(10)으로 구성되는 제 1층 스택(11)이 형성되며, - 상기 제 1층 스택(11)상에는, 4원 재료로 만들어진 두 개 이상의 압축 변형 양자 웰 층(11)과 상기 양자 웰 층(11)사이에 배치되고 4원 재료로 만들어진 하나 이상의 장벽층(12)으로 구성되는 레이저-액티브 층(12)이 형성되며, - 상기 레이저-액티브 층(12)상에는 상기 특정 도전형(n)과 반대인 도전형(p)의 반도체 재료로 만들어진 두 개 이상의 층(13, 14, 15)으로 구성되고 상기 레이저-액티브 층(12)으로부터 간격을 두고 맞선 표면(16)을 가진 제 2 층 스택(13)이 형성되며, - 상기 제 2층 스택(13)의 표면(12)에는 릴리프의 형태로 광학 격자(14)가 형성되며; 제 2에피텍셜 단계에서, - 상기 제 2층 스택(13)의 표면(16)상에는 상기 반대 도전형(p)의 반도체 재료로 만들어지고 상기 격자(14)를 덮는 제 3층 스택(15)이 형성되며, - 상기 제 2 층 스택(13), 상기 레이저-액티브 층(12) 및 상기 제 1 층 스택(11)은 상기 기판(30)의 표면(31) 아래의 영역에서 제거되어, 상기 제 1층 스택(11), 상기 레이저-액티브 층(12) 및 상기 제 2 층 스택(13)으로 구성되며 상기 기판(30)의 표면(31)에 대해 각(α)을 갖는 단부면(11)을 구비하는 상승영역(10)은 상기 기판(30)의 표면(31)상에서 유지되며, 상기 기판(30)의 표면(31)상에 배치된 상기 상승영역(10)의 단부면(11)을 한정하는 영역(311)은 상기 상승영역(10) 옆에서 노출되며; 제 3 에피텍셜 단계에서, 상기 기판(30)의 표면(31)의 상기 노출영역(311)상에 선택적으로 형성되나 상기 상승영역(10)상에는 형성되지 않는 제 4층 스택(21)은 상기 광학 도파관(2)을 한정하며 제 1 및 제 2 광학 외부층(21, 23)과 이 외부층(21, 23)사이에 배치된 광학 도전층(22)으로 구성되며, 상기 광학 도전층(22)은 상기 레이저-액티브 층(12)의 레벨(h)에서 상기 기판(30)의 표면(31)에 대해 상기 레이저-액티브 층(12)의 레벨(h)에 배치되어 있으며 상기 상승영역(10)의 상기 단부면(11)에 대향하는 단부면(221)을 가지며; 제 4 에피텍셜 단계에서, - 상기 상승영역(10) 및 상기 제 4 층 스택(21)상에는 상기 반대 도전형(p)의 반도체 재료로 만들어진 적어도 하나의 층(41)과 상기 전기 접촉부(4)에 적합한 접촉층(42)으로 구성된 제 5 층 스택(41)이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.