The OLED equipment of firing backwardThe object of the invention is to a kind of OLED equipment, comprise: transparent anode (1), anode is given square resistance R1, be the negative electrode (3) of given square resistance R2, ratio r=R2/R1 from 0.1 to 5, first is called as adaptive anode contact (41), be called as adaptive anode and contact (41 ') with second, itself and the first adaptive contact interval and relative, the first cathodic electricity contact (5), it is: be disposed on active region (20), contacting (41 ') at any some place of contact surface with the second adaptive anode from the first adaptive anode contact (41) diverges to.An organic electroluminescent led, be called the equipment (100 to 600 ') of oled, it comprises the transparent substrates (10) with the first interarea, comprise stacking, described stackingly comprise with this order starting from described first surface:-forming the bottom electrode of transparent anode (1), anode is given square resistance r1,-organic electroluminescent system (2) on described anode,-forming the top electrode of negative electrode (3), it,, in organic electroluminescent system, comprises conductive layer, negative electrode (3) is given square resistance r2, ratio r=r2/r1 from 0.1 to 5,so defining, described anode, organic electroluminescent system and negative electrode be called active common district (20)described oled equipment comprises:-the first is called adaptive anode contact (41),-the second is called adaptive anode contact (41 '), itself and the first adaptive contact interval and relative,described the first and second adaptive anode contacts (41,41 ') form two relative limits of the first area of anode (1), the first area of described anode is called first anode region (40,40 '), in addition delimited by be called as the first edge (23) and be called as the second edge (24) freely with respect to the first free edge (23) by active region (20) freely of active region (20)the-the first cathodic electricity contact (5), it is:-be disposed on active region (20), partly cover the region of the negative electrode (3) on first anode region (40),-given surface, is called contact surface, the area that it is less than the area of active region and is less than first anode region,-at any some place of contact surface, diverge to from the first adaptive anode contact (41) and the second adaptive anode contact (41 ')for each some b1 of the first adaptive contact (41), by be defined in described some b1 and contact surface close to the distance b 1 between the some c1 of described some b1, and by being defined between described some b1 and the second adaptive some x1 that contacts (41 '), through the distance l 1 of c1, therefore define following criterion:if-0.1≤r < 1.75,10% < d1/l1 < 50%,if-1.75≤r < 2.5,10% < d1/l1 < 45%,if-2.5≤r < 3,10% < d1/l1 < 40%,if-3≤r≤5,10% < d1/l1 < 35%,for each some b2 of the second adaptive contact (41 '), by be defined in described some b2 and contact surface close to the distance b 2 between the some c2 of described some b2, and by being defined between described some b2 and the first adaptive some x2 that contacts (41), through the distance l 2 of c2, therefore define following criterion:if-0.1≤r < 1.75,10% < d2/l2 < 50%,if-1.75≤r < 2.5,10% < d2/l2 < 45%,if-2.5≤r < 3,10% < d2/l2 < 40%,if-3≤r≤5,10% < d2/l2 < 35%,and described oled equipment 100 comprises the reflector (6) that covers active region (20) on organic electroluminescent system (2), away from first surface (10).
배면 발광 ＯＬＥＤ 소자본 발명은, 투명하며, 특정 시트 저항(R1)을 갖는 애노드(1); 특정 시트 저항(R2)을 갖는 캐소드(3)(비 r=R2/R1는 0.1 내지 5임); 소위 제1 맞춤형 애노드 콘택(41), 및 제1 맞춤형 콘택으로부터 이격되며 이에 대향하는 소위 제2 맞춤형 애노드 콘택(41'); 및 활성 구역(20) 위에 배치되며 콘택 표면상의 임의의 지점에서 제1 맞춤형 애노드 콘택(41) 및 제2 맞춤형 애노드 콘택(41')에 대해 오프셋된 제1 전기 캐소드 콘택(5)을 포함하는 OLED 소자에 관한 것이다. 제1 주면에서 시작하여,- 투명하며, 특정 시트 저항(R1)의 애노드(1)를 형성하는 하부 전극,- 애노드 위의 유기 발광 시스템(2),- 전기전도성 층을 포함하며, 유기 발광 시스템 위에 특정 시트 저항(R2)의 캐소드(3)를 형성하는 상부 전극 - 비(r=R2/R1)의 범위는 0.1 내지 5임 -을 상기 순서로 포함하여, 애노드, 유기 발광 시스템 및 캐소드는 소위 공통 활성 구역(20)을 형성하는 스택을 포함하는 제1 주면을 갖는 투명 기판(10)을 포함하는 소위 유기 발광 다이오드(OLED) 소자(100 내지 600')로서, OLED 소자는,- 소위 제1 맞춤형 애노드 콘택(41),- 제1 맞춤형 콘택으로부터 이격되고 이를 향하는 소위 제2 맞춤형 애노드 콘택(41') - 제1 및 제2 맞춤형 애노드 콘택(41,41')은, 제1 애노드 영역(40,40')으로 지칭되며 활성 구역(20)의 소위 제1 프리 에지(23) 및 제1 프리 에지(23)에 대향하는 활성 구역(20)의 소위 제2 프리 에지(24)에 의해 추가로 범위가 정해지는, 애노드(1)의 제1 영역의 2개의 대향 측부를 형성함 -,- 제1 캐소드 전기 콘택(5)[제1 캐소드 전기 콘택(5)은, - 제1 애노드 영역(40) 위의 캐소드(3) 영역을 부분적으로 덮으면서 활성 구역(20) 위에 배치되고, - 활성 구역의 표면적보다 작고 제1 애노드 영역의 표면적보다 작은, 콘택 표면으로 지칭되는 특정 표면을 갖고, - 콘택 표면의 모든 지점에서, 제1 맞춤형 애노드 콘택(41) 및 제2 맞춤형 애노드 콘택(41')으로부터 오프셋됨]을 포함하며,제1 맞춤형 콘택(41)의 각 지점(B1)에 있어서, 상기 지점(B1)과 상기 지점(B1)에 가장 가까운 콘택 표면의 지점(C1) 간의 거리(D1)를 정의하고, 상기 지점(B1)과, 제2 맞춤형 콘택(41')의 지점(X1) 사이의, C1을 통과하는 거리(L1)를 정의할 때, 이하의 기준이 정의되고:· 0.1≤r＜1.75일 경우, 10%＜D1/L1＜50%,· 1.75≤r＜2.5일 경우, 10%＜D1/L1＜45%,· 2.5≤r＜3일 경우, 10%＜D1/L1＜40%,· 3≤r≤5일 경우, 10%＜D1/L1＜35%,제2 맞춤형 콘택(41')의 각 지점(B2)에 있어서, 상기 지점(B2)과 상기 지점(B2)에 가장 가까운 콘택 표면의 지점(C2) 간의 거리(D2)를 정의하고, 상기 지점(B2)과, 제1 맞춤형 콘택(41)의 지점(X2) 사이의, C2를 통과하는 거리(L2)를 정의할 때, 이하의 기준이 정의되고:· 0.1≤r＜1.75일 경우, 10%＜D2/L2＜50%,· 1.75≤r＜2.5일 경우, 10%＜D2/L2＜45%,· 2.5≤r＜3일 경우, 10%＜D2/L2＜40%,· 3≤r≤5일 경우, 10%＜D2/L2＜35%,OLED 소자(100)는 제1면(10)으로부터 떨어져서 유기 발광 시스템(2) 위에 활성 구역(20)을 덮는 반사체(6)를 포함하는,OLED 소자(100 내지 600').