PLASMA ETCH CHAMBER AND METHOD OF PLASMA ETCHINGA plasma etching chamber comprising a vacuum recipient (1) and within said vacuum recipient: an etching compartment (3) with a central axis (B) and comprising a surrounding wall (5) enclosing an innerspace (IE) of said etching compartment (3); a pumping compartment (13) with a metal surrounding wall (15) having a feed through opening (21); a metal partition wall (23) traverse to said central axis(B) separating said etching compartment (3) from said pumping compartment (13); at least one pumping slit (35) in or along said metal partition wall (23); a pumping port (17) in said metal surrounding wall (15); a workpiece support (39) centered about said central axis (B), adapted to support a workpiece exposed to said inner space (IE) being mounted in said vacuum recipient (1) in an electrically isolated manner (41) and being drivingly movable (F) along said central axis (B); a metal tubular arrangement (19) through said feed through opening (17), comprising a first part (19a) mechanicallycoupled to said workpiece support (39) and a second part (19b) mechanically coupled to said metal surrounding wall (15), said first (19a) and second parts (19b) being movable (F) relative to one another in direction of said central axis (B), said second part (19b) being electrically conductively joint (22) to said metal surrounding wall (15); an Rf fee line (41) through said metal tubular arrangement (19) connected to said workpiece support (39); a system ground connector (45) at an end of said second part (19b); a multitude of distributed metal connectors (49) establishing electric contact from said metal surrounding wall (15), across said at least one pumping slit (35) via said metal partition wall (23) to said first part (19a) of said metal tubular member (19).A kind of plasma etch chamber, comprising:vacuum tank (1) and in the vacuum tank:it etches compartment (3), the week with central axis (b) and the inner space (ie) including surrounding etching compartment (3) wall (5) and including the etching of plasma etch chamber (1) equip (6)；it pumps compartment (13), with metallic perimeter wall (15) and there are the feed-through openings in the surrounding wall (15) (21)；metal divider walls (23), for the central axis (b) laterally and by the etching compartment (3) and the pumping compartment (13) it separates；slit (35) are pumped in the metal divider walls (23) or along at least one of the metal divider walls (23), it is looped around around the central axis (b) and in the inner space (ie) of etching compartment (3) and pump compartment (13) pumping flow connection is established between inner space (ip)；pumping port (17) in the metallic perimeter wall (15) of pumping compartment (13)；workpiece support (39) centered on the central axis (b) is exposed to the described of etching compartment (3) suitable for supporting the workpiece of inner space (ie) is simultaneously mounted in the vacuum tank (1) (41), the workpiece support in a manner of electric isolution (39) it in location of etch and both described location of etch is downwardly away from drivingly moves upwards along the central axis (b) (f)；by the metal tubular device (19) of the feed-through openings (17), extend towards the workpiece support (39), the gold belonging to tube includes being mechanically coupled to the first part (19a) of the workpiece support (39) and being mechanically coupled to the pump send the second part (19b) of the metallic perimeter wall (15) of compartment (13), the first part (19a) and second part (19b) moves (f) relative to each other on the direction of the central axis (b), and the second part (19b) is along the feedthrough (22) are engaged to the edge conductive of opening (21) to the metallic perimeter wall (15)；rf feeder line (41) by and along the metal tubular device (19), and is connected to the workpiece support (39)；for the systematically connector (45) of the plasma etch chamber (1), in the gold of pumping compartment (13) belong to surrounding wall (15) outside the metal tubular device (19) the second part (19b) end, or with at the opposite metallic perimeter wall (15) of the metal divider walls (23)；a large amount of distribution metal connectors (49) are established at least when the workpiece support is in the location of etch from institute the metallic perimeter wall (15) for stating pumping compartment (13), via the metal divider walls (23), across at least one described pumping slit (35) arrives the electrical contact of the first part (19a) of the metallic tubular members (19).
플라즈마 에칭 챔버 및 플라즈마 에칭 방법본 발명은 진공 수용체(1) 및 진공 수용체 내부; 중심 축(B)을 가지며 에칭 컴파트먼트(3)의 내부 공간(IE)을 둘러싸는 주위 벽(5)을 포함하는 에칭 컴파트먼트(3); 금속 주위 벽(15) 및 피드 스루 개구(21)를 구비한 펌핑 컴파트먼트(13); 중심 축(B)을 가로 질러 에칭 컴파트먼트(3)를 펌핑 컴파트먼트(13)로부터 분리하는 금속 격벽(23); 금속 격벽(23) 내부의 또는 금속 격벽을 따르는 적어도 하나의 펌핑 슬릿(35); 금속 주위 벽(15) 내의 펌핑 포트(17); 중심 축(B)을 중심으로 하며 내부 공간(IE)에 노출되는 작업편을 지지하고, 전기적으로 격리된 방식(41)으로 진공 수용체(1)에 장착되며 중심 축(B)을 따라 구동가능하게 이동가능한 작업편 지지체(39); 피드 스루 개구(17)를 관통하고, 작업편 지지체(39)에 기계적으로 결합된 제1 부분(19a) 및 금속 주위 벽(15)에 기계적으로 결합된 제2 부분(19b)을 포함하고, 제1 및 부분(19a) 제2 부분(19b)은 중심 축(B)의 방향으로 서로에 대해 이동가능(F)하며, 제2 부분(19b)은 금속 주위 벽(15)에 대하여 전기전도적으로 연결(22)되는 금속 관형 배열(19); 금속 관형 부재(19)를 관통하고 작업편 지지체(39)에 연결된 Rf 피드 라인(41); 제2 부분(19b)의 단부에서의 시스템 접지 커넥터(45); 금속 주위 벽(15)으로부터, 적어도 하나의 펌핑 슬릿(35)을 가로 질러, 금속 격벽(23)을 통해 금속 관형 부재(19)의 제1 부분(19a)까지 전기 접촉을 설정하는, 다수의 분산된 금속 커넥터들(49)을 포함하는, 플라즈마 에칭 챔버에 관한 것이다.· 진공 수용체(1) 및 진공 수용체 내부: · 중심 축(B)을 가지며 에칭 컴파트먼트(3)의 내부 공간(IE)을 둘러싸는 주위 벽(5)을 포함하고 플라즈마 에칭 챔버(1)의 에칭 장비(6)를 포함하는 에칭 컴파트먼트(3); · 금속 주위 벽(15)을 구비하고 금속 주위 벽(15)에 피드 스루 개구(feed through opening)(21)를 구비한 펌핑 컴파트먼트(13);· 중심 축(B)을 가로 질러 상기 에칭 컴파트먼트(3)를 펌핑 컴파트먼트(13)로부터 분리하는 금속 격벽(23);· 중심 축(B) 둘레로 루핑(looping)되고 에칭 컴파트먼트(3)의 내부 공간(IE)과 펌핑 컴파트먼트(13)의 내부 공간(IP) 사이에 펌핑 유동 연통(pumping flow communication)을 설정하는, 금속 격벽(23) 내부의 또는 금속 격벽을 따르는 적어도 하나의 펌핑 슬릿(35);· 펌핑 컴파트먼트(13)의 금속 주위 벽(15) 내의 펌핑 포트(17);· 에칭 컴파트먼트(3)의 내부 공간(IE)에 노출되고 전기적으로 격리된 방식(41)으로 진공 수용체(1)에 장착되는 작업편을 지지하도록 구성된, 중심 축(B)을 중심으로 하는 작업편 지지체(39)로서, 상기 작업편 지지체(39)는, 모두 중심 축(B)을 따라, 에칭 위치에서 구동가능하게 위로 이동가능하며, 상기 에칭 위치로부터 떨어져서 아래로 이동가능한, 작업편 지지체(39);· 작업편 지지체(39)를 향해 연장되는, 피드 스루 개구(17)를 관통하는 금속 관형 배열(19)로서, 상기 금속 관형 배열은 작업편 지지체(39)에 기계적으로 결합된 제1 부분(19a) 및 펌핑 컴파트먼트(13)의 금속 주위 벽(15)에 기계적으로 결합된 제2 부분(19b)을 포함하고, 제1 및 부분(19a) 제2 부분(19b)은 중심 축(B)의 방향으로 서로에 대해 이동가능(F)하며, 제2 부분(19b)은 금속 주위 벽(15)에 대하여 피드 스루 개구(21)의 에지(edge)를 따라 전기전도적으로 연결(22)되는, 금속 관형 배열(19);· 금속 관형 부재(19)를 관통하고 금속 관형 부재(19)를 따라 작업편 지지체(39)에 연결된 Rf 피드 라인(41);· 펌핑 컴파트먼트(13)의 금속 주위 벽(15) 외부의 금속 관형 배열(19)의 제2 부분(19b)의 단부 또는 금속 격벽(23)에 대향하는 금속 주위 벽(15)에서의 플라즈마 에칭 챔버(1)에 대한 시스템 접지 커넥터(45);· 펌핑 컴파트먼트(13)의 금속 주위 벽(15)으로부터, 적어도 하나의 펌핑 슬릿(35)을 가로 질러, 적어도 작업편 지지체가 상기 에칭 위치에 있을 때, 금속 격벽(23)을 통해 금속 관형 부재(19)의 제1 부분(19a) 까지 전기 접촉(electric contact)을 설정하는, 다수의 분산된 금속 커넥터들(49);을 포함하는, 플라즈마 에칭 챔버.