GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENTProvided are a group-III nitride semiconductor laser device with a laser cavity to enable a low threshold current on a semipolar surface of a hexagonal group-III nitride, and a method for fabricating the group-III nitride semiconductor laser device on a stable basis. Notches, e.g., notch 113a and others, are formed at four respective corners of a first surface 13a located on the anode side of a group-III nitride semiconductor laser device 11. The notch 113a or the like is a part of a scribed groove provided for separation of the device 11. The scribed grooves are formed with a laser scriber and the shape of the scribed grooves is adjusted by controlling the laser scriber. For example, a ratio of the depth of the notch 113a or the like to the thickness of the group-III nitride semiconductor laser device 11 is not less than 0.05 and not more than 0.4, a tilt of a side wall surface at an end of the notch 113a is not less than 45° and not more than 85°, and a tilt of a side wall surface at an end of the notch 113b is not less than 10° and not more than 30°.A group-III nitride semiconductor laser device comprising: a laser structure including a support base and a semiconductor region, the support base comprising a hexagonal group-III nitride semiconductor and having a semipolar principal surface, the semiconductor region being provided on the semipolar principal surface of the support base; and an electrode being provided on the semiconductor region of the laser structure, the semiconductor region including a first cladding layer of a first conductivity type gallium nitride-based semiconductor, a second cladding layer of a second conductivity type gallium nitride-based semiconductor, and an active layer, the active layer being provided between the first cladding layer and the second cladding layer, the first cladding layer, the second cladding layer, and the active layer being arranged along a normal axis to the semipolar principal surface, the active layer including a gallium nitride-based semiconductor layer, a c-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor of the support base tilting at a finite angle ALPHA with respect to the normal axis toward an m-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor, the laser structure including first and second fractured faces, the first and second fractured faces intersecting with an m-n plane which is defined by the m-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor and the normal axis, the laser structure including a first surface, the first surface extending in a direction intersecting with the first or second fractured face, the laser structure including a second surface, the second surface being located on a side opposite to the first surface and extending along the first surface, the laser structure including first and second notches, the first and second notches being provided at respective ends of a first edge where the first surface and the first fractured face intersect, a laser cavity of the group-III nitride semiconductor laser device including the first and second fractured faces, the first fractured face extending from the first edge to an edge of the second surface, a first portion being included in a side wall surface of the first notch and connecting with the first edge, the first portion tilting at a gradient of a first tilt angle in a range of not less than 45° and not more than 85° with respect to the first surface toward the second surface, a second portion being included in a side wall surface of the second notch and connecting with the first edge, the second portion tilting at a gradient of a second tilt angle in a range of not less than 10° and not more than 30° with respect to the first surface toward the second surface, the first fractured face having a second edge, the second edge extending in a direction which intersects with the first edge, the second edge having an end on the first surface side, a quotient being obtained by dividing a distance from a bottom wall surface of the first notch to a virtual plane which extends along the first surface from the first surface above the bottom wall surface, by a distance from the first surface to the second surface, the quotient being in a range of not less than 0.05 and not more than 0.4, and a distance from an end of the first edge to a center line of the first fractured face which extends in the direction intersecting with the first edge, being in a range of not less than 30 µm and not more than 100 µm.
Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자, 및 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자의 제작 방법육방정계 III족 질화물의 반극성면 상에서 저임계치 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자와 이 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 안정적으로 제작하는 방법을 제공한다. III족 질화물 반도체 레이저 소자(11)의 애노드측에 있는 제1 면(13a)의 4개의 모서리에 각각 절결부(113a) 등의 절결부가 형성되어 있다. 절결부(113a) 등은 소자(11)를 분리하기 위해 형성된 스크라이브 홈의 일부이다. 스크라이브 홈은 레이저 스크라이버로 형성되고, 스크라이브 홈의 형상은 레이저 스크라이버를 제어함으로써 조정된다. 예를 들어, 절결부(113a) 등의 깊이와 III족 질화물 반도체 레이저 소자(11)의 두께의 비는 0.05 이상 0.4 이하, 절결부(113a)의 단부에서의 측벽면의 기울기는 45도 이상 85도 이하, 절결부(113b)의 단부에서의 측벽면의 기울기는 10도 이상 30도 이하이다.III족 질화물 반도체 레이저 소자에 있어서 육방정계 III족 질화물 반도체로 이루어지고 반극성 주요면을 갖는 지지 기체, 및 상기 지지 기체의 상기 반극성 주요면 상에 형성된 반도체 영역을 포함하는 레이저 구조체와 상기 레이저 구조체의 상기 반도체 영역 상에 설치된 전극을 포함하고, 상기 반도체 영역은 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체로 이루어진 제1 클래드층과 제2 도전형의 질화갈륨계 반도체로 이루어진 제2 클래드층과, 상기 제1 클래드층과 상기 제2 클래드층 사이에 형성된 활성층을 포함하고, 상기 제1 클래드층, 상기 제2 클래드층 및 상기 활성층은 상기 반극성 주요면의 법선축을 따라서 배열되고, 상기 활성층은 질화갈륨계 반도체층을 포함하고, 상기 지지 기체의 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 c축은 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 m축 방향으로 상기 법선축에 대하여 유한한 각도(ALPHA)로 경사져 있고, 상기 레이저 구조체는, 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 m축 및 상기 법선축에 의해 규정되는 m-n면에 교차하는 제1 및 제2 할단면과 상기 제1 또는 제2 할단면과 교차하는 방향으로 연장되는 제1 면과 상기 제1 면의 반대측에 있고 상기 제1 면을 따라서 연장되어 있는 제2 면과 상기 제1 면과 상기 제1 할단면이 교차하는 제1 엣지의 양단에 각각 형성된 제1 및 제2 절결부를 포함하고, 그 III족 질화물 반도체 레이저 소자의 레이저 공진기는 상기 제1 및 제2 할단면을 포함하고, 상기 제1 할단면은 상기 제1 엣지로부터 상기 제2 면의 엣지까지 연장되고, 상기 제1 절결부의 측벽면에 포함되고 상기 제1 엣지에 접속하는 제1 부분은 상기 제1 면에 대하여 45도 이상 85도 이하의 범위 내에 있는 제1 경사 각도의 기울기로 상기 제2 면측으로 경사져 있고, 상기 제2 절결부의 측벽면에 포함되고 상기 제1 엣지에 접속하는 제2 부분은 상기 제1 면에 대하여 10도 이상 30도 이하의 범위 내에 있는 제2 경사 각도의 기울기로 상기 제2 면측으로 경사져 있고, 상기 제1 할단면은 상기 제1 엣지와 교차하는 방향으로 연장되는 제2 엣지를 가지며, 상기 제2 엣지는 상기 제1 면측에 있는 단부를 가지며, 상기 제1 절결부의 바닥벽면으로부터 상기 바닥벽면 상에서 상기 제1 면을 따라서 상기 제1 면으로부터 연장되는 가상면까지의 거리를 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면까지의 거리로 나눈 몫은 0.05 이상 0.4 이하의 범위 내에 있고, 상기 제1 엣지의 단부로부터 상기 제1 엣지와 교차하는 방향으로 연장되는 상기 제1 할단면의 중심선까지의 거리는 30 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 III족 질화물 반도체 레이저 소자.