ELECTROMAGNETIC RADIATION DETECTOR BASED ON WAFER BONDINGMonolithic pixel detectors, systems and methods for the detection and imaging of electromagnetic radiation with high spectral and spatial resolution comprise a Si wafer with a CMOS processed pixel readout bonded to an absorber wafer in wafer bonds comprising conducting bonds between doped, highly conducting charge collectors in the readout and highly conducting  regions in the absorber wafer and poorly conducting bonds between regions of high resistivity.A kind of single chip cmos integrate pixel detectors (101,101', 201,201', 301,301', 301 ', 1310,1310', 1410, it 1550,1650,1750,1850), is used to detect the electromagnetic radiation for being used for backside illumination, the single chip cmos collection pixel detector include the silicon made of the silicon of the first doping type read wafer (102,102', 202,202', 302,302', 302 ', 570,670,770), the silicon read wafer be included in thin silicone layer (106,106', 206,206', 306,306', 306 ', 508, 618,708) processing cmos pixel read electronic device (115,115', 215,215', 315,315', 315 ', 515,615, 715) and including as charge collector (110,110', 210,210', 310,310', 310 ', 312,312', 510,604, 610,710,744) the high conduction doped region of second doping type, between the pixel dimensions of reading electronic device communication it separates；the reading wafer by wafer key (108,108', 122,122', 208,208', 209,209', 222,222', 308, 308'、308'、309、309'、309'、1304、1304'、1306、1306'、1404、1406、1512、1514、1604、1606、 1704,1706,1804,1806) be bonded to by least one single-crystal semiconductor material be made absorber wafer (104,104', 204,204', 304,304', 304 ', 850,850', 850 ', 960,1095,1180,1250), which also includes height conduct doped region (112,112', 212,212', 312 ', 326,326', 326 ', 334,818,818', 818 ', 940,1060, 1109,1218)；it includes the reading wafer that the absorber wafer is bonded to alignment that the single chip cmos, which integrates pixel detectors,；wherein the wafer bonding include between the reading wafer and the absorber wafer conduction key (108,108', 208,208', 308, 308', 1304,1304', 1404,1512,1604,1704,1804) and between the reading wafer and the absorber wafer not good conduction key (122,122', 209,209', 309,309', 309 ', 1306,1306', 1406,1514,1606,1706, 1806), which electrically isolates adjacent pixel to force the charge generated in the absorber wafer to pass through the conduction key and by the charge collector receive for the pixel read electronic device the detector operate when handled.
웨이퍼 본딩에 기초한 전자기 방사선 검출기높은 스펙트럼 및 공간 해상도를 갖는 전자기 방사선의 이미징 및 검출을 위한 모놀리식 화소 검출기들, 시스템들 및 방법들은 판독에서 도핑된 고전도성의 전하 컬렉터들과 흡수체 웨이퍼에서의 고전도성 영역들 사이의 전도성 본드들과, 저항률이 높은 영역들 사이의 전도성이 빈약한 본드들을 포함하는 웨이퍼 본드들에서 흡수체 웨이퍼에 접합된 CMOS 처리된 화소 판독을 갖는 Si 웨이퍼를 포함한다.배면 조사 (backside illumination)을 위해 구성되는 전자기 방사선의 검출을 위한 모놀리식 CMOS 집적 화소 검출기(monolithic CMOS integrated pixel detector)(101, 101', 201, 201', 301, 301', 301", 1310, 1310', 1410, 1550, 1650, 1750, 1850)에 있어서,제1 도핑 타입의 실리콘으로 만들어진 실리콘 판독 웨이퍼(silicon readout wafer)(102, 102', 202, 202', 302, 302', 302", 570, 670, 770)를 포함하고, 얇은 실리콘 층(106, 106', 206, 206', 306, 306', 306", 508, 618, 708)에서 처리되는 CMOS 화소 판독 전자기기(CMOS pixel readout electronics)(115, 115', 215, 215', 315, 315', 315", 515, 615, 715)를 포함하고, 상기 판독 전자기기와 통신하는 상기 화소에서 일정한 간격으로 놓이는 전하 컬렉터들로서 작용하는 제2 도핑 타입의 고전도성으로 도핑되는 영역들(110, 110', 210, 210', 310, 310', 310", 312, 312', 510, 604, 610, 710, 744)을 포함하고,상기 판독 웨이퍼는 웨이퍼 본드(wafer bond)들(108, 108', 122, 122', 208, 208', 209, 209', 222, 222', 308, 308', 308", 309, 309', 309", 1304, 1304', 1306, 1306', 1404, 1406, 1512, 1514, 1604, 1606, 1704, 1706, 1804, 1806)에 의해, 적어도 하나의 단결정 반도체 재료로 만들어진 흡수체 웨이퍼(absorber wafer)(104, 104', 204, 204', 304, 304', 304", 850, 850', 850", 960, 1095, 1180, 1250)에 접착되어 있고, 상기 흡수체 웨이퍼는 고전도성으로 도핑되는 영역들(112, 112', 212, 212', 312", 326, 326', 326", 334, 818, 818', 818", 940, 1060, 1109, 1218)을 또한 포함하고,상기 모놀리식 CMOS 집적 화소 검출기는 정렬되는 방식으로 상기 흡수체 웨이퍼에 접착된 상기 판독 웨이퍼를 포함하고; 상기 웨이퍼 본드들은 상기 판독 웨이퍼와 상기 흡수체 웨이퍼 사이의 전도성 본드들(108, 108', 208, 208', 308, 308', 1304, 1304', 1404, 1512, 1604, 1704, 1804)과, 상기 판독 웨이퍼와 상기 흡수체 웨이퍼 사이의 전도성이 약한 본드들(122, 122', 209, 209', 309, 309', 309", 1306, 1306', 1406, 1514, 1606, 1706, 1806)을 포함하고, 상기 전도성이 약한 본드들은 이웃하는 화소들을 전기적으로 절연시켜 상기 흡수체 웨이퍼에서 생성되는 전하들이 상기 전도성 본드들과 교차하게 하고, 상기 검출기가 작동 중일 때 상기 화소 판독 전자기기에 의한 처리를 위해 상기 전하 컬렉터들에 의해 받아지게 하는, 모놀리식 CMOS 집적 화소 검출기.