Device including a thermally protected switching transistorA device (1) for supplying electric power to a load (4) connected to the device in a power-on mode comprises a driver stage (7), a control unit (9), adapted to supply turn-on pulses to the driver stage (7), and an output stage (12) with a switching transistor (1) which can be driven into its conductive state for a time interval (TEIN) by the driver stage (7) in the power-on mode when turn-on pulses occur, and which can be driven into its non-conductive state after expiry of the time interval (TEIN), the driver stage (7) being also adapted to monitor the operating temperature (TS) of the switching transistor (11) and to activate a power-off mode when the operating temperature (TS) of the switching transistor (11) exceeds a first limit temperature (TG1), in which power-off mode the switching transistor (11) is permanently driven into its non-conductive state by the driver stage (7) in spite of the occurrence of turn-on pulses (IS), the driver stage (7) further comprising a sensing transistor (21), a sensing resistor (22), a turn-on transistor (23), a turn-on resistor (24) for monitoring the operating temperature (TS) of the switching transistor (11), as well as a zener diode (29) and a turn-off stage (32) for obtaining a short switching time of the switching transistor (11), the sensing transistor (21) being arranged so as to be substantially uninfluenced by the operating temperature (TS) of the switching transistor (11).One kind comprises and being used at the device (1) of powered-on mode to the circuit structure of the load (4) that is connected with device itself power supply, comprise driving stage (7) and be adapted to provide the control unit (9) of conducting pulse to driving stage (7), and the output stage (12) that comprises switching transistor (11), wherein this switching transistor (11) is in powered-on mode, when producing, the conducting pulse is driven level (7) conducting, and at the time interval (t ein) in be in and conduct off status, and at the time interval (t ein) be cut off after the termination, be in the non-off status that conducts, in addition, driving stage (7) is adapted to the working temperature (t of pilot switch transistor (11) s), and activating power-down mode, this power-down mode is at the working temperature (t of switching transistor (11) s) above the first limit temperature (t g1) time is activated, and in this power-down mode, switching transistor (11) is driven level (7) and drives all the time in the non-off status that conducts, and no matter the appearance of conducting pulse, it is characterized in that, driving stage (7) comprises the base stage-emitter diode of a kind of sensing crystal pipe (21) and the cascaded structure of sensitive resistance (22), base stage-the emitter diode of this cascaded structure and switching transistor (11) is connected in parallel, the base stage of sensing crystal pipe (21) is connected with the emitter of switching transistor (11), and driving stage (7) also comprises a turn-on transistor (23), the base stage of this turn-on transistor (23) is connected with the collector electrode of sensing crystal pipe (21), the collector electrode of this turn-on transistor (23) is connected with the base stage of sensing crystal pipe (21), driving stage (7) also comprises a conducting resistance (24), first end (25) of this conducting resistance (24) is connected with the emitter of turn-on transistor (23), these conducting resistance (24) second ends (26) are connected with the collector electrode of turn-on transistor (23), and sensing crystal pipe (21) is configured to not be subjected to basically the working temperature (t of switching transistor (11) s) influence.
열 보호 스위칭 트랜지스터를 포함하는 장치장치(1)에 접속된 부하(4)에 전력을 공급하기 위한 장치(1)는 구동기 스테이지(7), 구동기 스테이지(7)에 턴-온 펄스를 공급하도록 적합된 제어 유닛(9), 및 턴-온 펄스가 발생할 경우 전원-온 모드시 기간(TEIN) 동안 도통 상태로 구동될 수 있으며 기간(TEIN)의 만료후 비도통 상태로 구동될 수 있는 스위칭 트랜지스터(11)를 갖는 출력 스테이지(12)를 구비하며, 구동기 스테이지(7)는 또한 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)를 모니터하고 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)가 제 1 제한 온도(TG1)를 초과할 때 전원-오프 모드를 활성화하도록 적합되며, 전원-오프 모드에서 스위칭 트랜지스터(11)는 턴-온 펄스(IS)의 발생에도 불구하고 구동기 스테이지(7)에 의해 그 비도통 스위칭 상태로 불변하게 구동되며, 상기 구동기 스테이지(7)는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)를 모니터하기 위해 감지 트랜지스터(21), 감지 저항기(22), 턴-온 트랜지스터(23), 턴-온 저항기(24)를 구비하고, 스위칭 트랜지스터(11)의 단락 스위칭 시간을 얻기 위해 제너 다이오드(29), 턴-오프 스테이지(32)를 더 구비하며, 감지 트랜지스터(21)는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)에 의해 실질적으로 영향을 받지 않도록 배치된다.구동기 스테이지(7), 구동기 스테이지(7)에 턴-온 펄스를 공급하도록 적합된 제어 유닛(9), 및 스위칭 트랜지스터(11)를 포함하는 출력 스테이지(12)를 구비하며, 전원-온 모드시 장치(1)에 접속된 부하(4)에 전력을 공급하기 위한 회로 장치(2)를 포함하는 장치(1)로서, 상기 스위칭 트랜지스터(11)는 턴-온 펄스가 발생할 경우 전원-온 모드시 기간(TEIN) 동안 도통 스위칭 상태를 취하도록 구동기 스테이지(7)에 의해 턴-온될 수 있으며, 기간(TEIN)의 만료후 비도통 스위칭 상태를 취하도록 턴-오프될 수 있으며, 구동기 스테이지(7)는 또한 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)를 모니터하고 전원-오프 모드를 활성화하도록 적합되고, 상기 전원-오프 모드는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)가 제 1 제한 온도(TG1)를 초과할 때 활성화되며, 전원-오프 모드에서 스위칭 트랜지스터(11)는 턴-온 펄스의 발생에도 불구하고 구동기 스테이지(7)에 의해 그 비도통 스위칭 상태로 불변하게 구동되는, 상기 장치(1)에 있어서, 상기 구동기 스테이지(7)는 감지 트랜지스터(21)의 베이스-이미터 다이오드와 감지 저항기(22)의 직렬 장치를 구비하며, 상기 직렬 장치는 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스-이미터 다이오드와 병렬로 접속되고, 감지 트랜지스터(21)의 베이스 단자는 스위칭 트랜지스터(11)의 이미터 단자에 접속되며, 상기 구동기 스테이지(7)는 감지 트랜지스터(21)의 컬렉터 단자에 접속된 베이스 단자와 감지 증폭기(21)의 베이스 단자에 접속된 컬렉터 단자를 갖는 턴-온 트랜지스터(23)를 더 구비하고, 상기 구동기 스테이지(7)는 턴-온 트랜지스터(23)의 이미터 단자에 접속된 제 1 단자(25)와 턴-온 트랜지스터(23)의 컬렉터 단자에 접속된 제 2 단자(26)를 갖는 턴-온 저항기(24)를 더 구비하며, 상기 감지 트랜지스터(21)는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)에 의해 실질적으로 영향을 받지 않도록 배치된 것을 특징으로 하는 장치(1). 