OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES IN AN AXIAL CONFIGURATIONThe invention relates to an optoelectronic device (10) comprising a first optoelectronic circuit (12) attached to a second electronic circuit (14). The second electronic circuit (14) comprises conductive pads (62). The first optoelectronic circuit comprises, for each pixel: at least first and second three-dimensional semiconductor elements (20, 22) extending over a first conductive layer and beingof the same height (H); first active areas resting on the first semiconductor elements and suitable for emitting or receiving first electromagnetic radiation; second active areas resting on the second semiconductor elements and suitable for emitting or receiving second electromagnetic radiation; and second, third and fourth conductive layers (42, 44, 48) electrically connected to the conductive pads (62), the second, third and fourth conductive layers being connected respectively to the first active areas, to the second active areas and to the first conductive layer.A method of manufacturing an optoelectronic device (10), the optoelectronic device (10) comprising a first optoelectronic circuit (12) bonded to a second electronic circuit (14), the second electronic circuit (14) comprising a conductive pad (62), the first optoelectronic circuit comprising pixels and for each pixel:a first conductive layer (18);at least a first and a second three-dimensional semiconductor element (20, 22) extending perpendicular to and in contact with the first conductive layer and having the same height (h) measured perpendicular to the first conductive layer;a first active region (66) located on an end of the first three-dimensional semiconductor element opposite the first conductive layer and capable of emitting or receiving first electromagnetic radiation of a first wavelength;a second active region (66) located on an end of the second three-dimensional semiconductor element opposite the first conductive layer and capable of emitting or receiving second electromagnetic radiation of a second wavelength, the second wavelength being different from the first wavelength; andsecond, third and fourth conductive layers (42, 44, 48) electrically coupled to the conductive pad (62), the second conductive layer coupled to the first active region, the third conductive layer (44) coupled to the second active region, and the fourth conductive layer (48) coupled to the first conductive layer,the method comprises the following successive steps:a) -forming said first optoelectronic circuit (12); andb) joining the first optoelectronic circuit to a second electronic circuit (14) by electrically coupling the second, third and fourth electrically conductive layers (42, 44, 48) to the electrically conductive pad (62),wherein step a) comprises the steps of:c) -simultaneously forming the first and second three-dimensional semiconductor elements (20, 22) on a support (70);d) forming electrically insulating layers (32) between the first three-dimensional semiconductor elements (20) and between the second three-dimensional semiconductor elements (22);e) partially etching the electrically insulating layer (32) and the first and second three-dimensional semiconductor elements such that the first and second three-dimensional semiconductor elements have the same height (h);f) simultaneously forming the first active region (66) on an end of the first three-dimensional semiconductor element opposite the support and the second active region (66) on an end of the second three-dimensional semiconductor element opposite the support;g) forming the second, third and fourth conductive layers (42, 44, 48);h) removing the support; andi) forming the first conductive layer (18).
축 배열의 3차원 반도체 구조를 갖는 광전자 장치본 발명은 제2 전자 회로(14)에 접착된 제1 광전자 회로(12)를 포함하는 광전자 장치(10)에 관한 것이다. 제2 전자 회로(14)는 도전성 패드(62)를 구비한다. 제1 광전자 회로는, 각 픽셀에 대하여, 제1 도전층 상에서 연장하고 동일한 높이(H)를 갖는 적어도 제1 및 제2의 3차원 반도체 소자(20, 22)와, 제1 반도체 소자 상에 놓여 있으며 제1 전자기 방사선을 방출하거나 또는 수신할 수 있는 제1 활성 영역과, 제2 반도체 소자 상에 놓여 있으며 제2 전자기 방사선을 방출하거나 또는 수신할 수 있는 제2 활성 영역과, 도전성 패드(62)에 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 활성 영역, 제2 활성 영역, 및 제1 도전층에 각각 연결되어 있는 제2, 제3 및 제4 도전층(42, 44, 48)을 구비한다.전기적-도전성 패드(62)를 구비하는 제2 전자 회로(14)에 접착된 제1 광전자 회로(12)를 구비하는 광전자 장치(10)를 제조하는 방법으로서, 상기 제2 전자회로(14)는 전기적-도전성 패드(62)를 구비하고, 상기 제1 광전자 회로는 픽셀들을 구비하며, 각 픽셀에 대하여,제1 전기적-도전층(18)과,적어도 제1 및 제2의 3차원 반도체 소자(20, 22)로서, 상기 제1 전기적-도전층에 직교하게 연장되어 있으며, 상기 제1 전기적-도전층과 접촉하고, 상기 제1 전기적-도전층에 직교하게 측정된 동일한 높이(H)를 갖는, 제1 및 제2의 3차원 반도체 소자(20, 22)와,상기 제1 전기적-도전층과 반대측의 상기 제1의 3차원 반도체 소자의 단부에 놓여 있으며, 제1 파장의 제1 전자기 방사선을 방출하거나 또는 수신할 수 있는 제1 활성 영역(66)과,상기 제1 전기적-도전층과 반대측의 상기 제2의 3차원 반도체 소자의 단부에 놓여 있으며, 제1 파장과는 다른 제2 파장의 제2 전자기 방사선을 방출 또는 수신할 수 있는 제2 활성 영역(66)과,상기 전기적-도전성 패드(62)와 전기적으로 결합되어 있는 제2, 제3 및 제4 전기적-도전층(42, 44, 48)으로서, 상기 제2 전기적 도전층은 상기 제1 활성 영역에 결합되어 있으며, 상기 제3 전기적-도전층(44)은 상기 제2 활성 영역에 결합되어 있으며, 상기 제4 전기적-도전층(48)은 상기 제1 전기적-도전층에 결합되어 있는, 제2, 제3 및 제4 전기적-도전층(42, 44, 48)을 구비하고,상기 방법은,a) 상기 제1 광전자 회로(12)를 형성하는 단계와b) 상기 제2, 제3 및 제4 전기적-도전층(42, 44, 48)을 상기 전기적-도전성 패드(62)에 전기적으로 결합시킴으로써 상기 제1 광전자 회로를 제2 전자 회로(14)에 접착시키는 단계를연속적으로 구비하고,상기 단계 a)는,c) 상기 제1 및 제2의 3차원 반도체 소자(20, 22)를 지지대(70)에 동시에 형성하는 단계와,d) 상기 제1의 3차원 반도체 소자들(20) 사이와 상기 제2의 3차원 반도체 소자들(22) 사이에 전기적-절연층(32)을 형성하는 단계와,e) 상기 전기적-절연층(32)과 상기 제1 및 제2의 3차원 반도체 소자를 부분적으로 에칭하여 상기 제1 및 제2의 3차원 반도체 소자가 동일한 높이(H)를 갖게 하는 단계와,f) 상기 지지대와 반대측의 상기 제1의 3차원 반도체 소자의 단부에 상기 제1 활성 영역(66)을, 그리고 상기 지지대와 반대측의 상기 제2의 3차원 반도체 소자의 단부에 상기 제2 활성 영역(66)을 동시에 형성하는 단계와,g) 상기 제2, 제3 및 제4 전기적-도전층(42, 44, 48)을 형성하는 단계와,h) 상기 지지대를 제거하는 단계와,i) 상기 제1 전기적-도전층(18)을 형성하는 단계를구비하는 광전자 장치의 제조 방법.