DEVICE AND METHOD FOR COUPLING TWO DC GRIDSThe invention relates to a device for coupling two DC grids comprising source-side and load-side capacitors (7, 8) by means of a switching device (1) for regulating the current. The switching device (1) comprises two switching modules (10 -1, 10-2) which are connected in series, wherein each of the switching modules (10-1. 10-2) comprises at least one controllable semiconductor switching element (13-1, 13-2) which is connected in parallel to a series circuit consisting of a resistor (14-1, 14-2) and a capacitor (15-1, 15-2). A control unit of the switching device (1) is designed to switch the controllable semiconductor switching element (13-1) of one of the two switching modules (10-1, 10-2) so as to conduct and simultaneously switch the controllable semiconductor switching element (13-2) of the other switching module of the two switching modules (10-1, 10-2) so as to block in step a). In step b), the control unit according to the invention switches the controllable semiconductor switching element (13-2) of the other switching module of the two switching modules (10-1, 10-2) so as to conduct and simultaneously switches the controllable semiconductor switching element (13-1) of the switching module of the two switching modules (10-1, 10-2) so as to block. In step c), step a) and b) are repeated until the voltages of the source-side and load-side capacitors (7, 8) match. Finally, in step d), the controllable semiconductor switching elements (13-1, 13-2) of the two switching modules (10-1, 10-2) are switched so as to conduct.A device for coupling two direct current networks comprising a source-side and a load-side capacitance (7, 8) by means of a switching device (1) for regulating the current,it is characterized in that the preparation method is characterized in that,the switching device (1) comprises two series-connected switching modules (10-1, 10-2), wherein each of the switching modules (10-1, 10-2) comprises at least one controllable semiconductor switching element (13-1, 13-2) to which a series circuit of a resistor (14-1, 14-2) and a capacitor (15-1, 15-2) is connected in parallel, wherein a control unit of the switching device (1) is designed fora) -switching the controllable semiconductor switching element (13-1) of one of the two switching modules (10-1, 10-2) on and simultaneously switching the controllable semiconductor switching element (13-2) of the other of the two switching modules (10-1, 10-2) off;b) -switching the controllable semiconductor switching element (13-2) of the other of the two switching modules (10-1, 10-2) on and simultaneously switching the controllable semiconductor switching element (13-1) of the one of the two switching modules (10-1, 10-2) off;c) repeating steps a) and b) until the voltages of the source-side and load-side capacitances (7, 8) are balanced with each other; andd) the controllable semiconductor switching elements (13-1, 13-2) of the two switching modules (10-1, 10-2) are switched conductive.
2개의 DC 그리드들을 커플링하기 위한 디바이스 및 방법본 발명은 전류를 조절하기 위한 스위칭 디바이스(1)에 의해 소스-측 및 부하-측 커패시터들(7, 8)을 포함하는 2개의 DC 그리드들을 커플링하기 위한 디바이스에 관한 것이다. 스위칭 디바이스(1)는 직렬로 연결된 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2)을 포함하며, 여기서 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 각각은 저항기(14-1, 14-2) 및 커패시터(15-1, 15-2)로 구성된 직렬 회로와 병렬로 연결된 적어도 하나의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1, 13-2)를 포함한다. 스위칭 디바이스(1)의 제어 유닛은, 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 하나의 스위칭 모듈의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1)를 전도하도록 스위치하고, 동시에 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 다른 하나의 스위칭 모듈의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-2)를 단계 a)에서 차단하도록 스위치하도록 설계된다. 단계 b)에서, 본 발명에 따른 제어 유닛은, 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 다른 하나의 스위칭 모듈의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-2)를 전도하도록 스위치하고, 동시에 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 스위칭 모듈의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1)를 차단하도록 스위치한다. 단계 c)에서, 소스-측 및 부하-측 커패시터들(7, 8)의 전압들이 매칭될 때까지 단계 a) 및 b)가 반복된다. 마지막으로, 단계 d)에서, 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2)의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트들(13-1, 13-2)이 전도하도록 스위치된다.전류 조절을 위한 스위칭 디바이스(switching device)(1)에 의해 소스-측 및 부하-측 커패시턴스(capacitance)들(7, 8)을 포함하는 2개의 DC 그리드(grid)들을 커플링하기 위한 디바이스로서,상기 스위칭 디바이스(1)는 2개의 직렬-연결된 스위칭 모듈들(10-1, 10-2)을 포함하며, 상기 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 각각은 저항기(14-1, 14-2) 및 커패시터(15-1, 15-2)를 포함하는 직렬 회로가 병렬로 연결된 적어도 하나의 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1, 13-2)를 포함하며, 상기 스위칭 디바이스(1)의 제어 유닛은, a) 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 하나의 스위칭 모듈의 상기 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1)를 스위치 온하고, 동시에 상기 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 다른 하나의 스위칭 모듈의 상기 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-2)를 스위치 오프하고; b) 상기 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 상기 다른 하나의 스위칭 모듈의 상기 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-2)를 스위치 온하고, 동시에 상기 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2) 중 상기 하나의 스위칭 모듈의 상기 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트(13-1)를 스위치 오프하고; c) 상기 소스-측 및 부하-측 커패시턴스들(7, 8)의 전압들이 서로 정렬될 때까지 단계들 a) 및 b)를 반복하고; 그리고 d) 상기 2개의 스위칭 모듈들(10-1, 10-2)의 상기 제어가능한 반도체 스위칭 엘리먼트들(13-1, 13-2)을 스위치 온하도록 설계되는 것을 특징으로 하는, 2개의 DC 그리드들을 커플링하기 위한 디바이스.