METHOD FOR DESIGNING AND FABRICATING A DEVICE THAT FORCES ATOMS TO EMIT SPECTRUMSA method for designing and fabricating a device that forces atoms to emit spectrums. The method utilizes a proton-electron pair theory and the shell orbit velocity-radius product law based on Rydberg formula which has been confirmed experimentally with Hydrogen Gas Lamp refuting not only Bohr's photon emission hypothesis but also band gap theory. The method improves not only the performance and quality of LED but also reduces heat loss as well as production costs thereof.A method for designing and fabricating a device that forces atoms to emit desired spectrums, comprising the steps of: calculating a orbiting velocity v1 of an electron in an outermost proton-electron pair P0e0 and a radius r1 of a spectrum emitting atom from a first new finding that when an ionization energy qVion is applied to the atom, the outermost proton-electron pair P0e0 of the atom ionizes producing a proton ion P+ and an electron ion e−, the orbiting velocity v1 in the outermost proton-electron pair P0e0 is calculated from an equation v1=√{square root over (2qVion/m)} and the radius r1 of a shell orbit is calculated from the equation r1=q/8πε0 Vion; calculating the velocity vn of the electron from the equation vn=v1/n, the distance rn from the electron to the proton from the equation rn=n2r1, and an ionization potential Vion from the equation mv12/2n2 by use of a second new finding that the shell orbit velocity-radius product law according to which the proton ion P+ captures the electron ion e− to form a proton-electron pair P0←e0 is when a velocity-distance product of the electron ion e− becomes an integer j multiples of the shell orbit velocity-radius product v1r1 or vjrj=jv1r1, and the proton P0 in the proton-electron pair P0←e0 is ionized again at a position corresponding to a velocity-distance product vnrn=nv1r11 that is an integer n multiple of the shell orbit velocity-radius product v1r1 while it pulls the captured electron e0 to the shell orbit; calculating a wavelength λ of a spectrum by use of a third finding that the wavelength λ of the spectrum emitted from the atom is determined using an equationκ=1λ =GW(j,n ) where G =R Hmv 1 2 =2.51672139×10 24 m-1j-1 and an equationW(n,j ) =∫r 2r 1 q2 4πɛ mv 2 r =mv12 (1n 2 -1j 2 ), and calculating a frequency ν of the spectrum from the equation ν=c/λ with c=108 m/sec, a position rj, at which the proton ion P+ captured the electron ion e−, from an equation rj=j2 r1, a distance the proton pulled the captured electron, from an equation (j2−n2)r1, and a velocity ve of the electron, captured by the proton ion P+, from an equation ve=v1/j; determining a magnitude of an anode voltage, a thickness of a semiconductor substrate, and a position of the proton-electron pair of spectrum emitting atoms, so that a velocity of cathode electron ions, which are accelerated to an anode after the cathode electron ions are emitted from a cathode, reaches a velocity at which the orbiting electron of the outermost proton-electron pair of the spectrum emitting atoms get ionized; and adjusting a position at which the outermost proton-electron pair P0←e0 is ionized, and a distribution of the electrostatic field in a plasma zone such that the orbiting electron e0 in the proton-electron pair P0←e0 being pulled by the proton to the shell orbit can be ionized at a selected position n, thereby determining an optimal structure of a spectrum emitting device and a fabrication method thereof.
원자가 스펙트럼을방사하게 하는 기구를 설계하고 제조하는 방법본 발명은 기존의 밴드갭(Band Gap) 이론의 근거인 보어의 광자 발생론이 스펙트럼이 발생하는 원리를 바르게 설명하지 못하는 문제를 해결한 양성자-전자쌍 이론과 각궤도속도거리적(殼軌道速度距離積) 법칙을 원자가 스펙트럼을 발생하게 하는 기구를 설계하고 제조하는 방법에 응용하여 종래의 기술보다 성능과 품질을 개선하고 제조원가를 절감하게 한 것이다.따라서 본 발명에서는 스펙트럼을 발생시키고자 하는 원자의 이온화 전압으로부터 그 원자의 외각에 있는 양성자-전자쌍(P0e0)의 각궤도 상에서 회전하는 전자의 속도(vl)와 양성자까지의 거리(rl)를 계산하는 제 1 단계; 각궤도에서의 전자의 속도(vl)와 양성자까지의 거리(rl)를 곱한 각궤도속도거리적(vlrl)의 정수(n)배가 되는 위치에서의 전자의 속도(vn)와 양성자까지의 거리(rn)및 이온화 전압(Vion)을 계산하는 제 2 단계;원자에서 발생 가능한 스펙트럼의 파장(λ), 속도(v), 양성자이온(P+)이 전자이온(e-)을 잡을 때 전자의 위치(rj),양성자(P0)가 잡은 전자를 끌고 온 거리((j2-n2)rl) 및 잡힌 전자의 속도(ve)를 계산하는 제 3 단계; 원자에서 일정한 파장(λ)의 스펙트럼을 발생하게 하기 위해 양성자이온(P+)이 전자를 잡아야 하는 위치(rj) 및 잡힐 전자의 속도(ve)와 잡힌 전자가 다시 이온화 되는 위치(rn)를 결정하는 제 4 단계; 음극에서 양극으로 끌려가는 전자이온(e-)의 속도(ve)가 양성자이온(P+)에게 잡히는 범위 안에 들도록 n-type 반도체의 두께, 원자의 위치, 음극과 양극 간의 거리 및 양극에 인가하는 DC 전압의 크기를 조정하는 제 5 단계; 양성자이온(P+)이 전자이온(e-)을 잡아 이룬 양성자-전자쌍(P0←e0)속에서 전자(e0)가 양성자(P0)에게 끌려 오다가 선택한 위치에서 이온화 되어 방사하는 스펙트럼의 파장이 원하는 파장이 되게 하는 n위치 및 플라스마 구역 내 정전기장 분포를 조정하여 스펙트럼 발생 기구의 최적 구조와 제조 방법을 결정하는 제 6 단계;를 포함한다.[색인어] 수소가스등(hydrogen gas lamp), 리드버그공식(Rydberg formula),광자(photon), 스펙트럼(spectrum), 앙성자-전자쌍(proton-electron pair), 원자의 이온화 전압, 양성자이온(proton ion), 전자이온(electron ion), 양성자이온이 전자이온을 잡아 형성한 양성자-전자쌍, 각궤도속도거리적 법칙(The law of velocity distance product at shell orbit), 밴드갭(band gap)이론, 가전자대(valence band), 전도대(conduction band), 원자가전자(valence electron),정전기장 분포(static field distribution),플라스마(plasma), 쿠롬력(Coulomb force), 로렌츠(Lorentz) 힘 공식(force equation), 러더포드(Rutherford)원자모델,가우스(Gauss) 법칙,전기력선(electric flux), n-type 반도체, p-type 반도체,p-n 접합부(junction),음극(cathode),양극(anode),인가 전압, 정공(hole), 퀀텀우물(Quantum Well), 퀀텀장애물(Quantum Barrier)원자로부터 스펙트럼을 발생시키는 도구의 설계 및 제조 방법에 있어서첫 번째 새로운 발견[원자의 이온화전압(Vion)이 그 원자에 인가되면 그 원자의 외각(外殼)에 있는 양성자-전자쌍(P0e0)(6)을 이온화 시켜 양성자이온(P+)(10)과 전자이온(e-)(11)이 되게 한다는 것과 이온화 되는 양성자-전자쌍(P0e0)(6)의 각궤도에서 회전하는 전자(e0)의 속도(vl)는 식()에서 계산하고 양성자까지의 거리(rl)는 식(rl=q/8πε0Vion)에서 계산한다]을 사용하여 스펙트럼을 방사하는 양성자-전자쌍(P0e0)(6)의각궤도에서 전자의 속도(vl)와 양성자까지의 거리(rl)를 계산하는 제 1 단계;두 번째 새로운 발견[양성자이온(P+)(10)이 전자이온(e-)(11)을 잡을 때 양성자이온(P+)(10)은 전자이온(e-)(11)의 속도거리적을 감지하여 각궤도속도거리적(vlrl)(16)의 정수 j배가 되는 속도거리적(vjrj=jvlrl)(13)상태에 있는 전자이온(e-)(11) 만을 잡아 양성자-전자쌍(P0←e0)(12)을 이룬 다음 그 속에서 양성자(P0)가 전자(e0)를 각궤도로 진입시키는 과정에서 다시 이온화 되는 위치도 각궤도속도거리적(vlrl)(16)의 정수 n배가 되는 속도거리적(vnrn=nvlrl(14)인 위치에서 이온화된다는 각궤도속도거리적 법칙]을 적용하여 전자의 속도(vn)는 식(vn=vl/n)에 의해서, 양성자까지 거리(rn)는 식(rn=n2rl)에 의해서, 이온화 전압(Vion)은 식()에서 계산하는 제 2 단계;세 번째 발견[원자에서 발생 가능한 스펙트럼의 파장( λ )은 식(λ=1/GW(j,n),G=2.5167×1024m-1j-1)과 식()에 의해서 결정된다]을 사용하여 스펙트럼의 파장(λ)을 계산하고, 주파수()는 식(=c/λ ,c=108m/sec)에서, 양성자이온(P+)이 전자이온(e-)을 잡은 위치(rj)는 식(rj=j2rl)에서, 양성자가 잡은 전자를 당긴 거리는 식((j2-n2)rl)에서, 양성자이온(P+)에게 잡힌 전자의 속도(ve)는 식(ve=vl/j)에서 계산하는 제 3 단계;양성자-전자쌍(P0e0)(6)에서 발생시킬 스펙트럼의 파장과 양성자이온(P+)(10)이 전자이온(e-)(11)을 잡는 위치(rj)는 식(rj=j2rl)에서, 잡힌 전자의 속도(ve)는 식(ve=vl/j)에서, 잡힌 전자(e0)가 다시 이온화 되는 위치(rn)는 식(rn=n2rl)에서 파악하는 제 4 단계;음극(2)에서 방출되어 양극(1)으로 끌려 가는 전자이온(e-)(11)의 속도를 양성자이온(P+)(10)이 잡을 수 있는 속도가 되도록 인가전압(19)과 실리콘 기판(7)의 두께와 양성자-전자쌍(P0e0)(6)의 위치를 결정하는 제 5 단계;양성자-전자쌍(P0←e0)(12)속에서 전자(e0)가 양성자에게 끌려 오다가 선택한 위치(n)에서 이온화 되게 하기 위하여 양성자-전자쌍(P0←e0)이 이온화되는 위치 및 플라스마 구역(5)내 정전기장 분포()를 조정하여 스펙트럼 발생 기구의 최적 구조와 제조방법을 결정하는 제 6 단계;를 포함하는 원자가 스펙트럼을 방사하게 하는 기구를 설계하고 제조하는 방법.