Organic semiconductor materialThe present invention relates to a novel compound useful as organic semiconductor material, and semiconductor devices containing said organic semiconductor materials.Have and be selected from chemical formula (i), chemical formula (ii), the compound of the chemical formula of chemical formula (iii) and chemical formula (iv):wherein:r 1, r 2, r 2 'be independently from each other monocyclic aryl, the monocyclic aryl of replacement, polyaromatic, the polyaromatic of replacement, bicyclic heteroaryl, the bicyclic heteroaryl of replacement, polyheteroaromatic, the polyheteroaromatic replaced, the benzyl of benzyl and replacement and combination thereof as dimer, tripolymer and the tetramer; ar is selected from monocyclic aryl, the monocyclic aryl of replacement, polyaromatic, the polyaromatic of replacement, bicyclic heteroaryl, the bicyclic heteroaryl of replacement, polyheteroaromatic, the polyheteroaromatic of replacement and combination thereof as dimer, tripolymer and the tetramer;ar', ar ' be selected from following architecture part independently of one another: monocyclic aryl; the monocyclic aryl of replacement; polyaromatic, the polyaromatic of replacement, bicyclic heteroaryl; the bicyclic heteroaryl of replacement; polyheteroaromatic, the polyheteroaromatic of replacement and combination thereof as dimer, tripolymer and the tetramer;r 15be selected from hydrogen, halogen, c 1-c 20straight or branched alkyl, c 1-c 20straight or branched is mixed alkyl, c 1-c 20straight or branched is mixed alkoxyalkyl, c 1-c 20straight or branched haloalkyl, c 3-c 20straight or branched cycloalkyl, c 1-c 20straight or branched hydroxyalkyl, c 1-c 20straight or branched alkoxyl group and c 1-c 20straight or branched itrile group; n, r are integer 1 to 50 independently of one another;p is integer 0 to 5; witht is the end-group structure part of this compound and is selected from hydrogen, c 1-c 40straight or branched alkyl, c 1-c 40straight or branched haloalkyl, c 1-c 40straight or branched is mixed alkyl, c 3-c 40straight or branched cycloalkyl, c 1-c 40straight or branched hydroxyalkyl, c 1-c 40straight or branched alkoxyl group, c 1-c 40straight or branched is mixed alkoxyalkyl, c 1-c 40straight or branched alkyl carboxyl, c 1-c 40straight or branched alkyl amido, c 1-c 40straight or branched alkylsulphonic acid base, and c 1-c 40straight or branched itrile group, monocyclic aryl, the monocyclic aryl of replacement, polyaromatic, the polyaromatic replaced, bicyclic heteroaryl, the bicyclic heteroaryl of replacement, polyheteroaromatic, the polyheteroaromatic replaced, the benzyl of benzyl and replacement and combination thereof as dimer, tripolymer and the tetramer; get rid of the compound of chemical formula a:wherein r 13be selected from phenyl, 4-chloro-phenyl-, 3-trifluoromethyl; r 14be selected from phenyl, 2-fluorophenyl, 3-fluorophenyl, 4-fluorophenyl, 2-chloro-phenyl-, 3-chloro-phenyl-, 4-chloro-phenyl-, 2-aminomethyl phenyl, 3-aminomethyl phenyl, 4-aminomethyl phenyl, 2-trifluoromethyl, 3-trifluoromethyl, 4-trifluoromethyl, 2-p-methoxy-phenyl, 3-p-methoxy-phenyl, 4-p-methoxy-phenyl, 2,4 dichloro benzene base, 2,4,6-trimethylphenyl, 2-thienyl, 3-thienyl, 2-pyridyl, 3-pyridyl, 4-pyridyl; and r 20be selected from h, cl, f, methyl, methoxyl group.
유기 반도체 물질본 발명은 유기 반도체 물질로서 유용한 신규 화합물, 및 상기 유기 반도체 물질을 함유하는 반도체 장치에 관한 것이다. 하기 화학식 (I), 화학식 (II), 화학식 (III) 및 화학식 (IV)로 이루어진 군으로부터 선택된 화학식을 갖는 화합물:[이미지]화학식 (I)[이미지]화학식 (II)[이미지]화학식 (III)[이미지]화학식 (IV)상기 식에서,R1, R2, R2'는 각각 독립적으로, 다이머, 트라이머 및 테트라머로서, 모노사이클릭 아릴기, 치환된 모노사이클릭 아릴기, 폴리사이클릭 아릴기, 치환된 폴리사이클릭 아릴기, 모노사이클릭 헤테로아릴기, 치환된 모노사이클릭 헤테로아릴기, 폴리사이클릭 헤테로아릴기, 치환된 폴리사이클릭 헤테로아릴기, 벤질기 및 치환된 벤질기 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되고;Ar은 다이머, 트라이머 및 테트라머로서, 모노사이클릭 아릴기, 치환된 모노사이클릭 아릴기, 폴리사이클릭 아릴기, 치환된 폴리사이클릭 아릴기, 모노사이클릭 헤테로아릴기, 치환된 모노사이클릭 헤테로아릴기, 폴리사이클릭 헤테로아릴기, 치환된 폴리사이클릭 헤테로아릴기 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되고; Ar', Ar"은, 각각 독립적으로, 다이머, 트라이머 및 테트라머로서, 모노사이클릭 아릴기, 치환된 모노사이클릭 아릴기, 폴리사이클릭 아릴기, 치환된 폴리사이클릭 아릴기, 모노사이클릭 헤테로아릴기, 치환된 모노사이클릭 헤테로아릴기, 폴리사이클릭 헤테로아릴기, 치환된 폴리사이클릭 헤테로아릴기 및 이들의 조합물로 이루어진 군에서 선택된 모이어티이고; R15는 수소, 할로겐, C1-C20 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C20 선형 또는 분지형 헤테로알킬기, C1-C20 선형 또는 분지형 헤테로알콕시알킬기, C1-C20 선형 또는 분지형 할로게노알킬기, C3-C20 선형 또는 분지형 사이클로알킬기, C1-C20 선형 또는 분지형 하이드록시알킬기, C1-C20 선형 또는 분지형 알콕실기 및 C1-C20 선형 또는 분지형 니트릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고; n, r은, 각각 독립적으로, 1 내지 50의 정수이고; p는 0 내지 5의 정수이고;T는 화합물의 말단 단위이고, 수소, C1-C40 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C40 선형 또는 분지형 할로알킬기, C1-C40 선형 또는 분지형 헤테로알킬기, C3-C40 선형 또는 분지형 사이클로알킬기, C1-C40 선형 또는 분지형 하이드록시알킬기, C1-C40 선형 또는 분지형 알콕실기, C1-C40 선형 또는 분지형 헤테로알콕시알킬기, C1-C40 선형 또는 분지형 알킬카르복실기, C1-C40 선형 또는 분지형 알킬카르복시아미드기, C1-C40 선형 또는 분지형 알킬설포닉기, 및 C1-C40 선형 또는 분지형 니트릴기, 다이머, 트라이머 및 테트라머로서, 모노사이클릭 아릴기, 치환된 모노사이클릭 아릴기, 폴리사이클릭 아릴기, 치환된 폴리사이클릭 아릴기, 모노사이클릭 헤테로아릴기, 치환된 모노사이클릭 헤테로아릴기, 폴리사이클릭 헤테로아릴기, 치환된 폴리사이클릭 헤테로아릴기, 벤질기 및 치환된 벤질기 및 이들의 조합물 중에서 선택되고;단, 하기 화학식 A의 화합물은 제외된다: [이미지]화학식 A(상기 식에서, R13는 페닐, 4-클로로페닐, 3-트리플루오로메틸페닐로 이루어진 군에서 선택되고; R14는 페닐, 2-플루오르페닐, 3-플루오르페닐, 4-플루오르페닐, 2-클로르페닐, 3-클로르페닐, 4-클로르페닐, 2-메틸페닐, 3-메틸페닐, 4-메틸페닐, 2-트리플루오로메틸페닐, 3-트리플루오르메틸페닐, 4-트리플루오르메틸페닐, 2-메톡시페닐, 3-메톡시페닐, 4-메톡시페닐, 2,4-디클로르페닐, 2,4,6-트리메틸페닐, 2-티에닐, 3-티에닐, 2-피리딜, 3-피리딜, 4-피리딜로 이루어진 군에서 선택되고; R20은 H, Cl, F, 메틸, 메톡시로 이루어진 군에서 선택된다).