SEMICONDUCTOR DEVICE AND MEHTOD FOR PRODUCING SAMEA method for producing a semiconductor device, which comprises: a step for producing a semiconductor chip with a protective film, said semiconductor chip having a first protective film on a first surface that has a bump or alternatively having a second protective film on a second surface that is on the reverse side of the first surface; and a step for producing a multilayer structure wherein the semiconductor chip with a protective film is bonded to a substrate, with the bump being interposed therebetween. During the production of the semiconductor chip with a protective film, the first protective film is formed such that the upper part of the bump penetrates through and protrudes from the first protective film. The first protective film or the second protective film has such characteristics that enable the multilayer structure to have a shear strength ratio of 1.05 to 2 and a fracture risk factor of -0.9 to 0.9.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:manufacturing a semiconductor chip with a protective film, wherein the semiconductor chip with the protective film is provided with a first protective film on at least a first surface of the semiconductor chip, which is provided with bumps, or a second protective film on a second surface of the semiconductor chip, which is opposite to the first surface; andproducing a laminated structure in which the semiconductor chip with the protective film is bonded to a substrate via a bump,in the manufacturing of the semiconductor chip with the protective film, the first protective film is formed so that an upper portion of the bump penetrates the first protective film and protrudes,the first protective film or the second protective film is a protective film having the following characteristics: when the shear strength ratio and the fracture risk factor of the laminated structure are measured by the following method, the shear strength ratio is 1.05-2, and the fracture risk factor is-0.9,< shear strength ratio of laminated structure >preparing a test piece of the laminated structure in which the substrate is a copper substrate, fixing the copper substrate in the test piece of the laminated structure, applying a force to a semiconductor chip with a protective film in the test piece of the laminated structure in a direction parallel to a surface of the copper substrate, and setting the force when a bonding state between the semiconductor chip with the protective film and the copper substrate is broken as a shear strength (n) of the laminated structure,preparing a comparative test piece having the same structure as the test piece of the laminated structure except for points where the first protective film and the second protective film are not provided, applying a force in the same manner as the test piece of the laminated structure, and setting the force when the bonded state of the semiconductor chip and the copper substrate of the comparative test piece is broken as a comparative shear strength (n) of the comparative laminated structure,the value of [ shear strength of the laminated structure ]/[ shear strength for comparison of the laminated structure for comparison ] at this time was set as a shear strength ratio of the laminated structure,< risk of fracture of laminated structure >preparing test pieces having a width of 5mm and a length of 20mm for all layers constituting the laminated structure, subjecting all the test pieces to a heating/cooling test in which the temperature is raised from-70 ℃ to 200 ℃ at a temperature rise rate of 5 ℃/min and the temperature is lowered from 200 ℃ to-70 ℃ at a temperature fall rate of 5 ℃/min, obtaining an expansion/contraction amount es [ mu ] m which is the total amount of the expansion amount e [ mu ] m of the test piece when the temperature is raised from 23 ℃ to 150 ℃ and the contraction amount s [ mu ] m of the test piece when the temperature is lowered from 23 ℃ to-65 ℃, and further obtaining [ the expansion/contraction amount es [ mu ] m of the test piece ]]x [ thickness of the test piece]the expansion-contraction parameter p [ mu ] m of2，next, the expansion/contraction parameter p of the test piece as the [ substrate ] is determined]- [ total value of expansion/contraction parameter p of all test pieces except for substrate]the difference of expansion-contraction parameters of (1) δ p1 μm2，next, the expansion/contraction parameter p of the test piece as the [ substrate ] is determined]- [ total value of expansion/contraction parameters p of all test pieces except for the substrate, the first protective film and the second protective film]the difference δ p0 μm between the expansion and contraction reference parameters of (a)2，the value of δ p1/δ p0 at this time was defined as a fracture risk factor of the laminated structure.
반도체 장치 및 이의 제조 방법반도체 장치의 제조 방법으로서, 적어도, 반도체 칩에서의 범프를 가지는 제1면에 제1보호막을 구비하고 있거나, 또는 반도체 칩에서의 상기 제1면과는 반대 측의 제2면에 제2보호막을 구비하고 있는, 보호막을 가지는 반도체 칩을 제작하는 것, 및 이 보호막을 가지는 반도체 칩이, 범프를 통해 기판에 접합된 적층 구조체를 제작하는 것, 을 포함하고; 이 보호막을 가지는 반도체 칩의 제작에서는, 제1보호막은, 이 범프의 상부가 제1보호막을 관통해 돌출하도록 형성되고; 제1보호막 또는 제2보호막은, 이 적층 구조체의 전단 강도비가 1.05 ~ 2가 되어 파단 위험인자가 -0.9 ~ 0.9가 되는 특성을 가지는 보호막인, 반도체 장치의 제조 방법.반도체 장치의 제조 방법으로서,적어도, 반도체 칩에서의 범프를 가지는 제1면에 제1보호막을 구비하고 있거나, 또는 반도체 칩에서의 상기 제1면과는 반대 측의 제2면에 제2보호막을 구비하고 있는, 보호막을 가지는 반도체 칩을 제작하는 것, 및상기 보호막을 가지는 반도체 칩이, 범프를 통해 기판에 접합된 적층 구조체를 제작하는 것, 을 포함하고; 상기 보호막을 가지는 반도체 칩의 제작에서, 상기 제1보호막은, 상기 범프의 상부가, 상기 제1보호막을 관통해 돌출하도록 형성되고; 상기 제1보호막 또는 제2보호막은, 하기 방법으로 상기 적층 구조체의 전단 강도비 및 파단 위험인자를 측정한 경우, 상기 전단 강도비가 1.05 ~ 2가 되고, 또한 상기 파단 위험인자가 -0.9 ~ 0.9가 되는 특성을 가지는 보호막인, 반도체 장치의 제조 방법.＜적층 구조체의 전단 강도비＞상기 기판이 구리 기판인 상기 적층 구조체의 시험편을 제작하고, 상기 적층 구조체의 시험편 중의 상기 구리 기판을 고정하고, 상기 적층 구조체의 시험편 중의 보호막을 가지는 반도체 칩에 대해서, 상기 구리 기판의 표면에 대해서 평행 방향으로 힘을 가해, 상기 보호막을 가지는 반도체 칩과 상기 구리 기판의 접합 상태가 파괴된 경우의 상기 힘을 상기 적층 구조체의 전단 강도(N)로 하고,상기 제1보호막 및 제2보호막을 구비하지 않는 점 이외는, 상기 적층 구조체의 시험편과 같은 구조의 비교용 시험편을 제작하고, 상기 적층 구조체의 시험편과 같은 방법으로 힘을 가해, 상기 비교용 시험편의 반도체 칩과 구리 기판의 접합 상태가 파괴된 경우의 상기 힘을 비교용 적층 구조체의 비교용 전단 강도(N)로 한 경우에, [상기 적층 구조체의 전단 강도]/[상기 비교용 적층 구조체의 비교용 전단 강도]의 값을, 상기 적층 구조체의 전단 강도비로 한다.＜적층 구조체의 파단 위험인자＞상기 적층 구조체를 구성하고 있는 모든 층의, 폭 5 mm, 길이 20 mm의 시험편을 제작하고, 모든 상기 시험편에 대해서, -70℃부터 승온 속도 5℃/min로 200℃까지 승온시키고, 200℃부터 강온 속도 5℃/min로 -70℃까지 강온시키는 가열냉각 시험을 행하고, 23℃부터 150℃까지 승온시킨 경우의 상기 시험편의 팽창량 Eμm와 23℃부터 -65℃까지 강온시킨 경우의 상기 시험편의 수축량 Sμm의 합계량인 팽창 수축량 ESμm를 구하고, 또한 [상기 시험편의 팽창 수축량 ES]×[상기 시험편의 두께]의 값인 팽창 수축 파라미터 Pμm2를 구하고,그 다음에, [기판의 시험편의 팽창 수축 파라미터 P] - [기판 이외의 모든 시험편의 팽창 수축 파라미터 P의 합계치]의 값인 팽창 수축 파라미터 차 ΔP1μm2를 구하고,그 다음에, [기판의 시험편의 팽창 수축 파라미터 P] - [기판, 제1보호막 및 제2보호막 이외의 모든 시험편의 팽창 수축 파라미터 P의 합계치]의 값인 팽창 수축 기준 파라미터 차 ΔP0μm2를 구한 경우의,ΔP1/ΔP0의 값을, 상기 적층 구조체의 파단 위험인자로 한다.