GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND METHOD FOR EVALUATING DAMAGE CAUSED BY FORMING SCRIBE GROOVEProvided is a III-nitride semiconductor laser device with a laser cavity enabling a low threshold current, on a semipolar plane of a support base tilting from the c-axis toward the m-axis of a hexagonal III-nitride. The laser structure 13 has first and second recesses 28, 30 provided each at a portion of edge 13c of the first surface 13a in a fractured face. The first and second recesses 28, 30 include first and second scribed marks, respectively, left in each semiconductor device separated by fracture guided by scribed grooves. The first recess 28 has an end 28b at the first surface 13a, and the second recess 30 has an end 30b at the first surface 13 a. A first distance W1 between the end 28b of the first recess 28 and the laser stripe is smaller than a second distance W2 between the end 30b of the second recess 30 and the laser stripe.A group-III nitride semiconductor laser device comprising: a laser structure including a support base and a semiconductor region, the support base comprising a hexagonal group-III nitride semiconductor and having a semipolar principal surface, the semiconductor region being provided on the semipolar principal surface of the support base; and an electrode being provided on the semiconductor region of the laser structure, wherein an angle between the normal axis and a c-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor is in a range of not less than 45° and not more than 80° or in a range of not less than 100° and not more than 135°, wherein the semiconductor region includes a first cladding layer comprising a first conductivity type gallium nitride (GaN)-based semiconductor, a second cladding layer comprising a second conductivity type GaN-based semiconductor, and an active layer being provided between the first cladding layer and the second cladding layer, wherein the first cladding layer, the second cladding layer, and the active layer are arranged along the normal axis to the semipolar principal surface, wherein the active layer includes a GaN-based semiconductor layer, wherein the c-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor of the support base tilts at an angle ALPHA with respect to the normal axis toward an m-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor, wherein the laser structure includes first and second fractured faces intersecting with an m-n plane defined by the m-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor and the normal axis, wherein a laser cavity of the group-III nitride semiconductor laser device includes the first and second fractured faces, wherein each of the first and second fractured faces extends from an edge of the first surface to an edge of the second surface, wherein the laser structure includes first and second surfaces, and the first surface is a surface opposite to the second surface, wherein the semiconductor region is located between the first surface and the substrate, wherein the laser structure includes a laser stripe extending in a direction of a waveguide axis above the semipolar principal surface of the support base, and the waveguide axis extends from one to the other of the first and second fractured faces, wherein the laser structure has first and second recesses provided each at a portion of the edge of the first surface in the first fractured face, the first and second recesses extend from the first surface of the laser structure, and bottom ends of the first and second recesses are located apart from the edge of the second surface of the laser structure, wherein the first recess has an end at the first surface, and the second recess has an end at the first surface, and wherein a first distance between the laser stripe and the end of the first recess is smaller than a second distance between the laser stripe and the end of the second recess.
Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자, Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제작하는 방법, 및 스크라이브 홈의 형성에 의한 손상을 평가하는 방법육방정계 III족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에 있어서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기와 이 레이저 공진기를 위한 소자 단부에 칩 폭을 축소할 수 있는 단부의 구조를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 구조체(13)는 한쪽의 할단면(27)에 있어서 제1 면(13a)의 엣지(13c)의 일부분에 형성된 오목부(28, 30)를 갖는다. 오목부(28, 30)는 각각, 스크라이브 홈에 안내된 할단에 의해 분리된 반도체 소자 각각에 남겨진 스크라이브 마크를 포함한다. 오목부(28)는 제1 면(13a)에 위치하는 단부(28b)를 갖고, 오목부(30)는 제1 면(13a)에 위치하는 단부(30b)를 갖는다. 제1 오목부(28)의 단부(28b)와 레이저 스트라이프 사이의 제1 간격(W1)은 제2 오목부(30)의 단부(30b)와 레이저 스트라이프 사이의 제2 간격(W2)보다 작다.III족 질화물 반도체 레이저 소자에 있어서 육방정계 III족 질화물 반도체로 이루어지고 반극성 주면을 갖는 지지 기체(基體), 및 상기 지지 기체의 상기 반극성 주면 상에 형성된 반도체 영역을 포함하는 레이저 구조체와 상기 레이저 구조체의 상기 반도체 영역 상에 형성된 전극을 구비하고, 상기 법선축과 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 c축이 이루는 각도는 45도 이상 80도 이하, 또는 100도 이상 135도 이하의 범위이며, 상기 반도체 영역은 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체로 이루어지는 제1 클래드층과, 제2 도전형의 질화갈륨계 반도체로 이루어지는 제2 클래드층과 상기 제1 클래드층과 상기 제2 클래드층 사이에 형성된 활성층을 포함하고, 상기 제1 클래드층, 상기 제2 클래드층 및 상기 활성층은 상기 반극성 주면의 법선축을 따라서 배열되어 있으며, 상기 활성층은 질화갈륨계 반도체층을 포함하고, 상기 지지 기체의 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 c축은 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 m축의 방향으로 상기 법선축에 대하여 각도(ALPHA)로 경사져 있으며, 상기 레이저 구조체는 상기 육방정계 III족 질화물 반도체의 m축 및 상기 법선축에 의해서 규정되는 m-n면에 교차하는 제1 및 제2 할단면(割斷面)을 포함하고, 이 III족 질화물 반도체 레이저 소자의 레이저 공진기는 상기 제1 및 제2 할단면을 포함하며, 상기 제1 및 제2 할단면은, 각각 상기 제1 면의 엣지로부터 상기 제2 면의 엣지까지 연장되고, 상기 레이저 구조체는 제1 및 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면은 상기 제2 면의 반대측의 면이며, 상기 반도체 영역은 상기 제1 면과 상기 기판 사이에 위치하고, 상기 레이저 구조체는 상기 지지 기체의 상기 반극성 주면 상에서 도파로축의 방향으로 연장되는 레이저 스트라이프를 포함하고, 상기 도파로축은 상기 제1 및 제2 할단면 중 한쪽으로부터 다른쪽으로 연장되고, 상기 레이저 구조체는 상기 제1 할단면에서 상기 제1 면의 상기 엣지의 일부분에 형성된 제1 및 제2 오목부를 갖고, 이 제1 및 제2 오목부는 상기 레이저 구조체의 상기 제1 면으로부터 연장되고, 이 제1 및 제2 오목부의 바닥단은 상기 레이저 구조체의 상기 제2 면의 엣지로부터 이격 배치되며, 상기 제1 오목부는 상기 제1 면에 형성된 단부를 갖고, 상기 제2 오목부는 상기 제1 면에 형성된 단부를 가지며, 상기 레이저 스트라이프와 상기 제1 오목부의 상기 단부 사이의 제1 간격은, 상기 레이저 스트라이프와 상기 제2 오목부의 상기 단부 사이의 제2 간격보다 작은 것인 III족 질화물 반도체 레이저 소자.