SILSESQUIOXANE RESIN AND OXAAMINE COMPOSITIONDisclosed are a silsesquioxane-containing composition comprising a silsesquioxane resin and an oxaamine of formula (II) (see description), products prepared therefrom, photoresist compositions comprising the silsesquioxane-containing composition and a photoacid generator, products prepared therefrom, methods of making and using the same, and manufactured articles and semiconductor devices containing the same.One kind contains silsesquioxane composition, the composition includes (a) silsesquioxane resins and (b) oxa- amine, in which:(a) silsesquioxane resins are indicated by formula (i):[hsio3/2]t1[z-l-sio3/2]t2[h(r1o)sio2/2]d[(r1o)xsio(4-x)/2]y[r2sio3/2]t3(i),wherein:the molfraction that subscript t1 is 0.4 to 0.9；the molfraction that subscript t2 is 0.1 to 0.6；the molfraction that subscript d is 0 to 0.45；the integer that subscript x is 1,2 or 3；the molfraction that subscript y is 0 to 0.25.the molfraction that subscript t3 is 0 to 0.15；the summation of t1+t2 is >=0.9 to≤1, and summation=1 of t1+t2+d+y+t3；each r1it independently is h or (c1-c6) alkyl；each r2it independently is ho-l- or hooc-l-；each l independently is divalent (c1-c20) hydrocarbyl group, it is unsubstituted or replaced by least one substituent group, the substitution base is independently selected from (c1-c3) alkyl ,-oh and fluorine atom, at most and including perfluor replace；andeach z is-oh ,-cooh ,-o-thp ,-och (r3a)2、-oc(r3b)3、-cooch(r3a)2、-cooc(r3b)3、-ocooch (r3a)2or-ocooc (r3b)3,wherein thp is oxinane -2- base；wherein each r3ait independently is (c1-c6) alkyl, (c3-c12) naphthenic base, (c6-c10) aralkyl, ((c1-c6) alkyl) 3sich2ch2- or 2 r3acarbon atom together with both of which bonding is (c3-c12) naphthenic base or (c6-c12) two naphthenic base；andwherein each r3bit independently is (c1-c6) alkyl, (c3-c12) naphthenic base, (c6-c10) aralkyl or ((c1-c6) alkyl) 3sich2ch2-；or 2 r3bcarbon atom together with both of which bonding is (c3-c12) naphthenic base or (c6-c12) two naphthenic base, and remaining r3bit independently is (c1-c6) alkyl, (c3-c12) naphthenic base, (c6-c10) aralkyl or ((c1-c6) alkane base) 3sich2ch2-；or all 3 r3bcarbon atom together with all of which bonding is (c7-c12) bicyclic alkyl；and(b) the oxa- amine is indicated by formula (ii):rn(3-n)n-[(ch2ch(r4)o)m-r5]n(ii),wherein:subscript m is integer of 1 to 10；the integer that subscript n is 1,2 or 3；each rnit independently is unsubstituted (c1-c12) alkyl；each r4it independently is h or unsubstituted (c1-c12) alkyl；andeach r5it independently is h or (c1-c12) alkyl, it is unsubstituted or by 1,2 or 3 (c1-c12) alkoxy base independence ground replaces.
실세스퀴옥산 수지 및 옥사아민 조성물실세스퀴옥산 수지 및 화학식 II (명세서 참조)의 옥사아민을 포함하는 실세스퀴옥산-함유 조성물, 그로부터 제조된 생성물, 실세스퀴옥산-함유 조성물과 광산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물, 그로부터 제조된 생성물, 이의 제조 및 사용 방법, 및 이를 함유하는 제조 물품 및 반도체 디바이스.(A) 실세스퀴옥산 수지 및 (B) 옥사아민을 포함하는 실세스퀴옥산-함유 조성물로서,상기 (A) 실세스퀴옥산 수지는 하기 화학식 I:[화학식 I][HSiO3/2]t1[Z-L-SiO3/2]t2[H(R1O)SiO2/2]d[(R1O)xSiO(4-x)/2]y[R2SiO3/2]t3[상기 식에서,하첨자 t1은 0.4 내지 0.9의 몰 분율이고;하첨자 t2는 0.1 내지 0.6의 몰 분율이고;하첨자 d는 0 내지 0.45의 몰 분율이고;하첨자 x는 1, 2, 또는 3의 정수이고;하첨자 y는 0 내지 0.25의 몰 분율이고;하첨자 t3은 0 내지 0.15의 몰 분율이고;t1 + t2의 합계는 0.9 이상 내지 1 이하이고, t1 + t2 + d + y + t3의 합계는 1이고;각각의 R1은 독립적으로 H 또는 (C1-C6)알킬이고;각각의 R2는 독립적으로 HO-L- 또는 HOOC-L-이고;각각의 L은 독립적으로 비치환되거나 (C1-C3)알킬, -OH, 및 퍼플루오로-치환까지의 불소 원자로부터 독립적으로 선택되는 1개 이상의 치환체로 치환된 2가 (C1-C20)탄화수소 기이고;각각의 Z는 -OH, -COOH, -O-THP, -OCH(R3a)2, -OC(R3b)3, -COOCH(R3a)2, -COOC(R3b)3, -OCOOCH(R3a)2, 또는 -OCOOC(R3b)3이고,THP는 테트라하이드로피란-2-일이고;각각의 R3a는 독립적으로 (C1-C6)알킬, (C3-C12)사이클로알킬, (C6-C10)아르알킬, ((C1-C6)알킬)3SiCH2CH2-이거나, 또는 2개의 R3a는 그들 둘 모두가 결합된 탄소 원자와 함께 (C3-C12)사이클로알킬 또는 (C6-C12)바이사이클로알킬이고;각각의 R3b는 독립적으로 (C1-C6)알킬, (C3-C12)사이클로알킬, (C6-C10)아르알킬, ((C1-C6)알킬)3SiCH2CH2-이거나; 또는 2개의 R3b는 그들 둘 모두가 결합된 탄소 원자와 함께 (C3-C12)사이클로알킬 또는 (C6-C12)바이사이클로알킬이고, 나머지 R3b는 독립적으로 (C1-C6)알킬, (C3-C12)사이클로알킬, (C6-C10)아르알킬, 또는 ((C1-C6)알킬)3SiCH2CH2-이거나; 또는 3개 모두의 R3b는 그들 모두가 결합된 탄소 원자와 함께 (C7-C12)바이사이클로알킬임]을 갖고;상기 (B) 옥사아민은 하기 화학식 II:[화학식 II]RN(3-n)N-[(CH2CH(R4)O)m-R5]n[상기 식에서,하첨자 m은 1 내지 10의 정수이고;하첨자 n은 1, 2, 또는 3의 정수이고;각각의 RN은 독립적으로 비치환된 (C1-C12)알킬이고;각각의 R4는 독립적으로 H 또는 비치환된 (C1-C12)알킬이고;각각의 R5는 독립적으로 H, 또는 비치환되거나 1, 2, 또는 3개의 (C1-C12)알콕시 기로 독립적으로 치환된 (C1-C12)알킬임]를 갖는, 실세스퀴옥산-함유 조성물.