줄거리를 간단히 요약해 주세요.
  현재의 메모리 공정은 강유전체 메모리(FeRAM) 공정은 약 20나노, 플래쉬 메모리 공정은 10나노 선폭에서 멈춰있는 실정
  정보 저장 및 처리 등 물질이 가진 능력이, 물질의 크기가 작아지면 약해지다가, 수십 나노미터 영역 이하로 작아지면 아예 사라지는 현상
 하지만, 이준희 교수 연구팀은 산화하프늄(HfO2)이라는 반도체에 특정 전압을 가하면 원자를 스프링처럼 강하게 묶던 상호작용이 완전히 사라지는 새로운 물리현상을 발견했다. 
  전압이 원자들 사이 상호작용을 끊어주는 자연차폐막이 형성되는 현상을 이용해 마치 진공에 있는 것처럼 반도체 안에 존재하는 산소원자 4개씩을 개별적으로 스위칭하여 메모리 소재로 응용할 수 있음을 입증해 낸 것이다.
  또한, 정보저장을 위해서 적어도 원자 수천 개 이상이 모여 만든 수십 나노미터 크기의 도메인이 필요하다는 기존 이론과는 달리,
  1비트의 정보를 저장하기 위한 물질 내의 최소 크기 영역(보통 수십~수백 나노미터).
  도메인 없이 0.5 나노미터에 불과한 개별 원자 4개 묶음에 정보를 저장, 일반 반도체에서도 단일원자 수준의 메모리를 구현할 수 있음도 입증하였다.
 특히 산화하프늄(HfO2) 이라는 산화물은 기존의 실리콘 기반 반도체 공정에서 이미 흔하게 사용되는 물질이어서, 원자 이론의 상업화 적용 가능성이 높고 파급력도 클 것으로 기대된다.
  이준희 교수는 “향후 초집적 반도체 분야에 세계적 경쟁력을 확보하기 위한 중요한 기반이 될 수 있는 이론으로, 개별 원자에 정보를 저장하는 기술은 원자를 쪼개지 않는 한, 현 반도체 산업의 마지막 집적 저장 기술이 될 확률이 높다” 고 연구의 파급력을 설명했다.

이 교수 연구팀은 전압이 원자들 사이 상호작용을 끊어주는 자연차폐막이 형성되는 새로운 물리현상을 발견했다.