Bolsa 07/50425-7 - Fotoluminescência, Ressonância paramagnética eletrônica - BV FAPESP
Estudo dos estados intermediários localizados entre as bandas de condução e valência, e a influência desses na emissão fotoluminescente do catio3:sm
Processo: 07/50425-7
Beneficiário: Alberthmeiry Teixeira de Figueiredo
Assunto(s): Fotoluminescência Ressonância paramagnética eletrônica Espectroscopia por absorção de raios X
O estudo da propriedade fotoluminescente (FL) em materiais sempre despertou o interesse da comunidade científica. Muitos modelos na literatura buscam explicar a emissão FL. No entanto, todos esses modelos interpretam o que ocorre após o processo de excitação. De maneira inovadora, o nosso grupo de pesquisa (LIEC) propõe um modelo baseado nos modelos tradicionais existentes na literatura, no qual o principal evento contribuinte para a emissão FL ocorre antes da excitação. Nesse modelo, o Wide Band Model, os defeitos locais de curto e médio alcance geram estados intermediários localizados dentro do gap. A diminuição do gap devido aos estados intermediários, juntamente com a descontinuidade local de cargas gerada pela desordem local leva ao armadilhamento de elétrons e buracos gerando a emissão de FL. Alguns pontos do modelo ainda não foram evidenciados e necessitam de mais estudos para confirmação. É o caso do armadilhamento de elétrons pelos estados intermediários dentro do gap. Nesse projeto propomos estudar os estados intermediários dentro do gap. Será estudada a contribuição do modificador de rede e do formador de rede para a formação dos estados intermediários dentro do gap. Mais que isso, propomos estudar o armadilhamento de elétrons pelos estados intermediários dentro do gap e a formação de vacâncias de oxigênio mono-ionizadas, as quais armadilharam um elétron. (AU)